可缩放的开路通路地屏蔽电感在片测试结构去嵌入方法

建立了标准CMOS工艺电感在片测试寄生参量模型.实验验证了相同频率时,信号线寄生的串联电阻、串联电感、并联电容与信号线的长度成正比.进而针对不同外径电感到焊盘之间信号线长度不同,采用相同去嵌入结构引起测量误差,不同的测试去嵌入结构又大大增加芯片面积的问题,首次提出针对该信号线寄生参量的按比例缩放地屏蔽开路通路测试结构去嵌入解决方案.使用0.35μm两层多晶硅、四层互连线的CMOS工艺电感流片验证了该方法的有效性.

圆柱壳大开孔补强圈补强的极限分析

对圆筒形薄壁容器开孔率大于０．５时采用补强圈补强之后的结构进行了极限分析。用两倍弹性斜率法、双切线法分别确定了内压作用下该补强结构的极限载荷，同时，由爆破试验得出其爆破压力并与无补强圈补强的结构进行了比较。结果表明，所研究的薄壁容器（ｄ／Ｄ≥０．５）的补强圈补强结构，无论是筒体还是接管，其横向对称面上的极限载荷均大于纵向对称面上的极限载荷。结果还表明，补强圈补强结构有效地提高了圆柱壳大开孔结构的极限载荷值及爆破压力。

汽机调节阀开度差与轴瓦温度及油膜压力之间关系特性试验

介绍了华能汕头电厂汽机调节阀开度差与 1号轴瓦温度及油膜压力之间关系特性试验 ,论述了该汽机调节阀开度差与轴瓦温度及油膜压力之间的变化规律 ,以实例说明应用此规律解决汽机轴瓦温度高的问题。