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Texture ZnO Thin-Films and their Application as Front Electrode in Solar Cells
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作者 Yue-Hui Hu Yi-Chuan Chen +4 位作者 Hai-Jun Xu Hao Gao Wei-Hui Jiang Fei Hu Yan-Xiang Wang 《Engineering(科研)》 2010年第12期973-978,共6页
In this paper, three kinds of textured ZnO thin-films (the first kind has the textured structure with both columnar and polygon, the second posses pyramid-like textured structure only, and the third has the textured s... In this paper, three kinds of textured ZnO thin-films (the first kind has the textured structure with both columnar and polygon, the second posses pyramid-like textured structure only, and the third has the textured structure with both crater-like and pyramid-like), were prepared by three kinds of methods, and the application of these ZnO thin-films as a front electrode in solar cell was studied, respectively. In the first method with negative bias voltage and appropriate sputtering parameters, the textured structure with columnar and polygon on the surface of ZnO thin-film are both existence for the sample prepared by direct magnetron sputtering. Using as a front electrode in solar cell, the photoelectric conversion efficiency Eff of 7.00% was obtained. The second method is that by sputtering on the ZnO:Al self-supporting substrate, and the distribution of pyramid-like was gained. Moreover, the higher (8.25%) photoelectric conversion efficiency of solar cell was got. The last method is that by acid-etching the as-deposited ZnO thin-film which possesses mainly both columnar and polygon structure, and the textured ZnO thin-film with both crater-like and pyramid-like structure was obtained, and the photoelectric conversion efficiency of solar cell is 7.10% when using it as front electrode. These results show that the textured ZnO thin-film prepared on self-supporting substrate is more suitable for using as a front electrode in amorphous silicon cells. 展开更多
关键词 textured zno Thin-film Solar Cells FRONT ELECTRODE MAGNETRON SPUTTERING Transparent CONDUCTING Oxide Surface Of Micrograph SnO2:F
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基于柔性玻璃衬底ZnO∶B薄膜的非晶硅太阳能电池的制备及其光电性能研究 被引量:7
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作者 李旺 朱登华 +6 位作者 刘石勇 刘路 王仕鹏 黄海燕 杨德仁 牛新伟 杜国平 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期2057-2062,共6页
采用低压化学气相沉积法(LPCVD)在大面积(40 cm×40 cm)超薄柔性玻璃和硬质玻璃衬底上分别制备了B掺杂的ZnO(BZO)透明导电薄膜及非晶硅薄膜太阳能电池,对比了两种衬底上BZO薄膜的形貌、光学和导电性能及其非晶硅薄膜电池的性能。结... 采用低压化学气相沉积法(LPCVD)在大面积(40 cm×40 cm)超薄柔性玻璃和硬质玻璃衬底上分别制备了B掺杂的ZnO(BZO)透明导电薄膜及非晶硅薄膜太阳能电池,对比了两种衬底上BZO薄膜的形貌、光学和导电性能及其非晶硅薄膜电池的性能。结果表明,在相同LPCVD工艺下,超薄柔性玻璃衬底上BZO薄膜的生长速率相对减小;当生长相同厚度BZO薄膜时,超薄柔性玻璃衬底的透光率相对于硬质玻璃衬底提高约2%,同时并具有相同的导电能力。在柔性玻璃衬底上制备的非晶硅薄膜电池的初始和稳定转化效率也相对提高,分别达到9.16%和7.82%。 展开更多
关键词 柔性衬底 低压化学气相沉积 b掺杂zno 非晶硅薄膜 太阳能电池
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用MOCVD方法制备ZnO:B透明导电薄膜及其性能优化 被引量:3
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作者 孟凡英 江民林 +1 位作者 余跃波 胡宇 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期939-943,共5页
采用金属氧化物化学气相沉积(MOCVD)方法在石英衬底上生长氧化锌(ZnO)薄膜。改变薄膜材料的生长温度和掺杂气体硼烷(B_2H_6)的流速,制备一系列薄膜样品。通过X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透过率、反射率、电阻率和原子力显微... 采用金属氧化物化学气相沉积(MOCVD)方法在石英衬底上生长氧化锌(ZnO)薄膜。改变薄膜材料的生长温度和掺杂气体硼烷(B_2H_6)的流速,制备一系列薄膜样品。通过X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透过率、反射率、电阻率和原子力显微镜(AFM)等测试分析,研究了材料生长温度和B_2H_6流速对薄膜生长速度、微观结构、薄膜晶向、光学透过率、光学禁带宽度、电阻率、表面粗糙度等特征参量的影响,经过优化实验条件,获得薄膜电阻率在10^(-3)Ω·cm量级,可见光区域光学透过率在85%以上,成功制备低电阻率高光学透过率的ZnO透明导电薄膜。 展开更多
关键词 zno:b 光学透过率 电阻率 透明导电薄膜(TCO) MOCVD
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罗丹明B的ZnO膜光催化降解 被引量:1
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作者 孔德国 张红美 +1 位作者 罗华平 李晓勤 《湖北农业科学》 北大核心 2013年第14期3294-3296,共3页
采用纳米ZnO膜为催化剂对罗丹明B进行光催化降解试验。研究溶液pH、罗丹明B初始浓度、H2O2、膜的层数及光照时间对罗丹明B降解效果的影响,确定ZnO膜光催化降解罗丹明B的最佳参数。结果表明,酸性环境可以提高ZnO膜的光催化活性;罗丹明B... 采用纳米ZnO膜为催化剂对罗丹明B进行光催化降解试验。研究溶液pH、罗丹明B初始浓度、H2O2、膜的层数及光照时间对罗丹明B降解效果的影响,确定ZnO膜光催化降解罗丹明B的最佳参数。结果表明,酸性环境可以提高ZnO膜的光催化活性;罗丹明B初始浓度越低光降解的速度越快;H2O2可提高罗丹明B的降解速度;三层膜对罗丹明B的降解率高于单层膜的降解率。采用三层膜为催化剂,在35 mL初始浓度为5 mg/L、pH 1.46的罗丹明B溶液中加入适量的H2O2水溶液后进行光降解,紫外光照射60 min后,罗丹明B的降解率达到99.6%。 展开更多
关键词 zno 光催化 降解 罗丹明b
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Sol-Gel法制备B-N共掺ZnO薄膜及光学性能研究 被引量:1
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作者 王玉新 褚浩博 +2 位作者 赵莉 蔺冬雪 李真 《辽宁师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2021年第2期183-187,共5页
实验将B和不同含量的N元素掺入ZnO薄膜中,利用溶胶-凝胶(Sol-Gel)旋涂工艺分别在玻璃和硅衬底上制备B-N共掺ZnO薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)和光致发光谱(PL)对B-N掺杂样品薄膜的晶体结... 实验将B和不同含量的N元素掺入ZnO薄膜中,利用溶胶-凝胶(Sol-Gel)旋涂工艺分别在玻璃和硅衬底上制备B-N共掺ZnO薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)和光致发光谱(PL)对B-N掺杂样品薄膜的晶体结构、表面形貌及光学性能进行表征.结果表明,B-N共掺后的薄膜样品,与未掺杂样品和B单掺样品薄膜相比,薄膜结构仍为六方纤锌矿相,且沿ZnO(002)衍射峰择优生长.随着N掺杂量的增加,样品的(002)衍射峰的强度先增强再减弱,当N掺杂量为3.0 at%时,衍射峰强度最强,更适合薄膜生长.此时c轴取向相对较好,结晶度高,薄膜表面性能最佳,透过率在90%左右,禁带宽度达到3.51 eV,紫外发光峰受到抑制. 展开更多
关键词 b-N共掺 透过率 光致发光 溶胶-凝胶法 zno薄膜
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基于SSCVD方法的a-b轴取向ZnO薄膜制备 被引量:3
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作者 陈根 汤采凡 +1 位作者 戴丽萍 邓宏 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期773-776,共4页
以Zn4(OH)2(O2CCH3)6·2H2O为单一固相有机源,采用单源化学气相沉积法(Singlesourcechemicalvapordeposition,SSCVD)在Si(100)衬底上制备ZnO薄膜,用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)分析ZnO薄膜样品的晶体结构和微观形貌,并用X射... 以Zn4(OH)2(O2CCH3)6·2H2O为单一固相有机源,采用单源化学气相沉积法(Singlesourcechemicalvapordeposition,SSCVD)在Si(100)衬底上制备ZnO薄膜,用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)分析ZnO薄膜样品的晶体结构和微观形貌,并用X射线光电子能谱(XPS)对薄膜的锌氧化学计量比进行了分析。研究结果表明:在非平衡条件下所得到的ZnO薄膜沿a-b轴取向生长,基片温度对ZnO薄膜生长过程影响较大,随着基片温度的升高,薄膜呈现c轴生长趋势;晶粒成柱状、尺寸均匀、膜层结构致密;薄膜样品中nZn∶nO=0.985。 展开更多
关键词 zno薄膜 单源化学气相沉积 a-b取向
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B掺杂量对LPCVD生长大面积ZnO透明导电薄膜性能的影响 被引量:1
7
作者 黄建华 刘怀周 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期236-240,共5页
采用低压化学气相沉积(LPCVD)技术在大面积的玻璃衬底上制备了B掺杂ZnO(BZO)透明导电薄膜,研究了不同B2H6掺杂量对BZO薄膜微观形貌、导电能力及其均匀性、透光率等性能的影响。结果表明,所制备的BZO薄膜表面具有自生长的绒面结构;B... 采用低压化学气相沉积(LPCVD)技术在大面积的玻璃衬底上制备了B掺杂ZnO(BZO)透明导电薄膜,研究了不同B2H6掺杂量对BZO薄膜微观形貌、导电能力及其均匀性、透光率等性能的影响。结果表明,所制备的BZO薄膜表面具有自生长的绒面结构;B2H6掺杂量由30 sccm增加到60 sccm,BZO薄膜的方阻由28.6Ω/□减小到14.1Ω/□,导电能力显著增强同时方阻均匀性也明显提升;BZO薄膜在长波区的透光率随B2H6掺杂量的增加而明显降低,综合透光率结果,最佳B2H6掺杂量控制在6090 sccm之间。 展开更多
关键词 低压化学沉积 b掺杂Zn O薄膜 透明导电氧化物 方块电阻 均匀性 绒面结构
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Influence of substrate temperature on in situ-textured ZnO thin films grown by MOCVD
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作者 Yajuan ZHENG Xiangbin ZENG Xiaohu SUN Diqiu HUANG 《Frontiers of Optoelectronics》 CSCD 2013年第3期270-274,共5页
The influence of substrate temperature on microstructure, electrical and optical properties of in situ- textured zinc oxide (ZnO) films fabricated by metal organic chemical vapor deposition (MOVCD) had been invest... The influence of substrate temperature on microstructure, electrical and optical properties of in situ- textured zinc oxide (ZnO) films fabricated by metal organic chemical vapor deposition (MOVCD) had been investigated. Results indicated that the substrate tempera- ture played a very important role on preparation of ZnO thin film. With the raising of temperature, firstly ZnO crystals were perpendicular to the substrate, then they were grown inclining toward the substrate, finally ZnO crystals grown in layers but not regular. Consequently, ZnO film surface morphology changed from smooth to a pyramid structure and then disappeared little by little. Moreover, it was also found in this study that ZnO film was characterized with high crystallinity, low resistivity (2.17 x 10 2) and high transmittance (〉 80%). These results suggested that ZnO thin film is suitable for front electrode of silicon thin film solar cell. 展开更多
关键词 metal organic chemical vapor deposition(MOVCD) in situ-textured zinc oxide zno thin film temperature
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绒面ZnO薄膜的生长及其在太阳电池前电极的应用 被引量:11
9
作者 陈新亮 薛俊明 +2 位作者 孙建 赵颖 耿新华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期1072-1077,共6页
研究了MOCVD技术制备的不同B2H6掺杂流量下ZnO薄膜的微观结构和光电性能变化.XRD和SEM的研究结果表明,ZnO薄膜具有(110)峰择优取向的绒面结构特征.当B2H6流量为10sccm时,在6cm×6cm面积玻璃衬底上生长出厚度为1000nm,方块电阻为~1... 研究了MOCVD技术制备的不同B2H6掺杂流量下ZnO薄膜的微观结构和光电性能变化.XRD和SEM的研究结果表明,ZnO薄膜具有(110)峰择优取向的绒面结构特征.当B2H6流量为10sccm时,在6cm×6cm面积玻璃衬底上生长出厚度为1000nm,方块电阻为~12Ω/□,平均透过率大于80%,迁移率为30.5cm2/(V.s)的绒面结构ZnO薄膜.PL谱测试表明B掺杂提高了ZnO薄膜的晶体质量,有力地说明了B掺杂ZnO薄膜具有更好的电学稳定性;低压H2氛围中退火可以有效提高ZnO薄膜的电子迁移率.将其用作Si薄膜太阳电池的前电极,电池性能与日本Asahi-UtypeSnO2作前电极的电池具有同等效果. 展开更多
关键词 MOCVD 绒面zno薄膜 b掺杂 前电极 太阳电池
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ZnO:Al绒面透明导电薄膜的制备及分析 被引量:9
10
作者 薛俊明 黄宇 +4 位作者 熊强 马铁华 孙建 赵颖 耿新华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期701-705,共5页
利用中频脉冲磁控溅射方法,采用Al掺杂(质量百分比2%)的Zn(纯度99.99%)金属材料为靶材制备平面透明导电ZnO:Al(ZAO)薄膜。利用湿法腐蚀方法,将平面ZAO薄膜在0.5%的稀盐酸中浸泡一定时间后,形成表面凹凸起伏的绒面结构。研究了平面ZAO薄... 利用中频脉冲磁控溅射方法,采用Al掺杂(质量百分比2%)的Zn(纯度99.99%)金属材料为靶材制备平面透明导电ZnO:Al(ZAO)薄膜。利用湿法腐蚀方法,将平面ZAO薄膜在0.5%的稀盐酸中浸泡一定时间后,形成表面凹凸起伏的绒面结构。研究了平面ZAO薄膜的结构特性以及衬底温度、溅射功率和腐蚀时间对绒面ZAO薄膜表面形貌的影响,并对腐蚀前后薄膜的电阻变化进行了分析。结果表明:高温、低功率条件下制备的绒面ZAO薄膜表面形貌较好,在硅薄膜太阳电池中具有潜在的应用前景。 展开更多
关键词 中频脉冲磁控溅射 zno:Al(ZAO)薄膜 绒面结构
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溅射时间对硼掺杂ZnO薄膜性能的影响 被引量:8
11
作者 化麒麟 付蕊 +1 位作者 杨雯 杨培志 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第18期16-18,22,共4页
采用脉冲磁控溅射系统在玻璃衬底上制备了硼掺杂氧化锌(ZnO∶B)薄膜,利用X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、紫外-可见光-近红外分光光度计和四探针测试仪研究了溅射时间与薄膜的结构、光学和电学特性的关系。结果表明:ZnO∶B是多晶薄... 采用脉冲磁控溅射系统在玻璃衬底上制备了硼掺杂氧化锌(ZnO∶B)薄膜,利用X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、紫外-可见光-近红外分光光度计和四探针测试仪研究了溅射时间与薄膜的结构、光学和电学特性的关系。结果表明:ZnO∶B是多晶薄膜,具有六方钎锌矿结构且呈c轴择优取向,其透明导电性能优良,在可见光谱范围的平均透光率超过80%,薄膜电阻率随溅射时间延长而降低至3.0×10-3Ω·cm。 展开更多
关键词 znob薄膜 溅射时间 光电特性 透光率
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太阳电池用绒面ZnO-TCO薄膜制备技术及特性的研究进展 被引量:4
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作者 陈新亮 薛俊明 +1 位作者 赵颖 耿新华 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期98-103,112,共7页
概括阐述了薄膜太阳电池用绒面结构ZnO透明导电薄膜(ZnO-TCO)方面的最新研究进展。绒面结构ZnO-TCO薄膜可以提高薄膜太阳电池效率和稳定性并降低生产成本。磁控溅射技术和MOCVD(LP-MOCVD/LPCVD)技术是制备绒面结构ZnO-TCO薄膜(例如"... 概括阐述了薄膜太阳电池用绒面结构ZnO透明导电薄膜(ZnO-TCO)方面的最新研究进展。绒面结构ZnO-TCO薄膜可以提高薄膜太阳电池效率和稳定性并降低生产成本。磁控溅射技术和MOCVD(LP-MOCVD/LPCVD)技术是制备绒面结构ZnO-TCO薄膜(例如"弹坑"状和"类金字塔"状表面)的主流生长技术,而喷雾热分解技术则是正在开发的非真空法低成本工艺路线。论述了2种主流技术生长ZnO-TCO薄膜的发展历程,并重点讨论了近期关于绒面ZnO-TCO薄膜微观结构、电学以及光学等特性与工艺关系的研究结果。进一步降低成本和实现大面积产业化是绒面ZnO-TCO薄膜拓展应用的发展趋势。 展开更多
关键词 zno薄膜 透明导电氧化物-TCO 绒面结构 薄膜太阳电池
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MOCVD制备的ZnO薄膜及其在太阳电池背电极应用 被引量:3
13
作者 陈新亮 徐步衡 +3 位作者 薛俊明 赵颖 张晓丹 耿新华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期2363-2368,共6页
研究了利用LPMOCVD技术制备的不同B掺杂浓度对ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响.对XRD和SEM的研究结果表明,B掺杂对ZnO薄膜的微观结构有重大影响.通过优化工艺,当B2H6流量为17sccm(约1%掺杂浓度)时,在20cm×20cm大面积衬底上生长出... 研究了利用LPMOCVD技术制备的不同B掺杂浓度对ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响.对XRD和SEM的研究结果表明,B掺杂对ZnO薄膜的微观结构有重大影响.通过优化工艺,当B2H6流量为17sccm(约1%掺杂浓度)时,在20cm×20cm大面积衬底上生长出厚度为700nm,方块电阻为38Ω/□,透过率大于85%,迁移率为17.8cm2/(V·s)的绒面结构ZnO薄膜.其应用于太阳电池背反射电池后,可使电池短路电流提高将近3mA,使20cm×20cm面积的aSi集成电池效率高达9.09%. 展开更多
关键词 MOCVD zno薄膜 b掺杂 背电极 太阳电池
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绒面ZnO透明导电薄膜 被引量:3
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作者 朱锋 薛玉明 +2 位作者 孙建 赵颖 耿新华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期419-421,427,共4页
采用孪生ZnO (Al2 O3 ∶2 % )对靶直流磁控溅射制备高透过率、高电导率的平面ZnO薄膜 (迁移率为 5 .5 6cm2 /V·s,载流子浓度为 4 .5 7× 10 2 0 cm-3 ,电阻率为 2 .4 6× 10 -3 Ω·cm ,可见光范围 (380~ 80 0nm)平... 采用孪生ZnO (Al2 O3 ∶2 % )对靶直流磁控溅射制备高透过率、高电导率的平面ZnO薄膜 (迁移率为 5 .5 6cm2 /V·s,载流子浓度为 4 .5 7× 10 2 0 cm-3 ,电阻率为 2 .4 6× 10 -3 Ω·cm ,可见光范围 (380~ 80 0nm)平均透过率大于 85 % )。用酸腐蚀的方法 ,可以获得绒面效果 ,而反应气压对绒面效果没有影响 ,薄膜的电学特性没有变化 ,绒面对光散射作用增强 ,导致相对于平面ZnO薄膜的透过率要低一些 (可见光范围平均透过率大于 80 % )。 展开更多
关键词 zno 透明导电薄膜 绒面 直流磁控溅射 电阻率
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中频脉冲溅射制备绒面ZnO透明导电薄膜 被引量:4
15
作者 刘佳宇 杨瑞霞 +3 位作者 牛晨亮 薛俊明 赵颖 耿新华 《微纳电子技术》 CAS 2006年第4期186-189,共4页
采用中频脉冲磁控溅射系统制备高透过率、高电导率的平面ZnO薄膜。电阻率为5.57×10-4Ω·cm,载流子浓度2.2×1020cm-3,霍尔迁移率40.1cm2/V·s,可见光范围内(400~800nm)的平均透过率大于85%。用酸腐蚀的方法可以获得... 采用中频脉冲磁控溅射系统制备高透过率、高电导率的平面ZnO薄膜。电阻率为5.57×10-4Ω·cm,载流子浓度2.2×1020cm-3,霍尔迁移率40.1cm2/V·s,可见光范围内(400~800nm)的平均透过率大于85%。用酸腐蚀的方法可以获得绒面效果。分析了气压和温度对绒面结构的影响,获得了适合薄膜太阳能电池要求的绒面ZnO透明导电薄膜。 展开更多
关键词 中频脉冲溅射 绒面氧化锌 透明导电膜
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溅射气压对硼掺杂ZnO薄膜光电特性的影响 被引量:4
16
作者 化麒麟 杨培志 +3 位作者 杨雯 付蕊 邓双 彭柳军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期833-836,共4页
采用脉冲磁控溅射系统在玻璃衬底上制备了ZnO∶B薄膜,利用霍尔测试仪和紫外-可见光-近红外分光光度计及逐点无约束最优化法,研究了溅射气压(0.1~3 Pa)对ZnO薄膜的光学和电学特性的影响。结果表明:ZnO∶B薄膜在可见光区域内的平均透光... 采用脉冲磁控溅射系统在玻璃衬底上制备了ZnO∶B薄膜,利用霍尔测试仪和紫外-可见光-近红外分光光度计及逐点无约束最优化法,研究了溅射气压(0.1~3 Pa)对ZnO薄膜的光学和电学特性的影响。结果表明:ZnO∶B薄膜在可见光区域内的平均透光率高于80%,近红外波段的透过率及薄膜的电阻率与溅射气压成正比;折射率n随溅射气压降低呈下降趋势,其值介于1.92~2.09之间;在较低的溅射气压下(PAr=0.1 Pa)获得的薄膜电阻率最小(3.7×10-3Ω.cm),且对应着小的光学带隙(Eg=3.463 eV)。 展开更多
关键词 磁控溅射 znob薄膜 溅射气压 透过率 电阻率 折射率
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绒面结构ZnO薄膜及其表面处理 被引量:2
17
作者 陈新亮 薛俊明 +4 位作者 张德坤 蔡宁 张晓丹 赵颖 耿新华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期631-633,共3页
本文制备出(110)峰取向的绒面结构MOCVD-ZnO:B薄膜并提出CH3COOH湿法刻蚀的表面处理技术。研究表明,绒面结构ZnO:B薄膜具有"类金字塔"晶粒形状;处理前后ZnO:B薄膜的微观结构,方块电阻和光学性能变化不大。适当的表面处理有助... 本文制备出(110)峰取向的绒面结构MOCVD-ZnO:B薄膜并提出CH3COOH湿法刻蚀的表面处理技术。研究表明,绒面结构ZnO:B薄膜具有"类金字塔"晶粒形状;处理前后ZnO:B薄膜的微观结构,方块电阻和光学性能变化不大。适当的表面处理有助于使薄膜表面趋于柔和,有望改善ZnO/Si界面特性,从而应用于μc-Si薄膜太阳电池。 展开更多
关键词 MOCVD 绒面zno薄膜 湿法刻蚀 太阳电池
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ZnO∶Al绒面透明导电薄膜性能研究 被引量:2
18
作者 薛俊明 黄宇 +4 位作者 熊强 马铁华 孙建 赵颖 耿新华 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期504-508,共5页
利用中频脉冲磁控溅射方法,以掺杂质量2%Al的Zn(纯度99.99%)金属材料为靶材制备平面透明导电ZnO∶Al(ZAO)薄膜,利用湿法腐蚀方法,将平面ZAO薄膜在一定浓度的稀盐酸中浸泡一定时间,使其形成表面凹凸起伏的绒面结构。研究了溅射功率、工... 利用中频脉冲磁控溅射方法,以掺杂质量2%Al的Zn(纯度99.99%)金属材料为靶材制备平面透明导电ZnO∶Al(ZAO)薄膜,利用湿法腐蚀方法,将平面ZAO薄膜在一定浓度的稀盐酸中浸泡一定时间,使其形成表面凹凸起伏的绒面结构。研究了溅射功率、工作压力、腐蚀时间以及溶液浓度对绒面ZAO薄膜表面形貌的影响,并对腐蚀前后薄膜的电阻变化进行了分析。结果表明:低功率、低气压、腐蚀时间20 s、溶液浓度0.5%的条件下制备的绒面ZAO薄膜表面形貌较好,在硅薄膜太阳电池中具有潜在应用前景。 展开更多
关键词 凝聚态物理学 中频脉冲磁控溅射 zno:A1薄膜 绒面 溅射功率 工作气压
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太阳电池用绒面结构ZnO-TCO薄膜及光管理研究进展 被引量:1
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作者 陈新亮 田淙升 +6 位作者 赵慧旭 杜建 张德坤 魏长春 耿新华 赵颖 张晓丹 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期1-6,共6页
主要阐述了近年来薄膜太阳电池用绒面结构氧化锌(ZnO)透明导电氧化物(Transparent conductive oxides,TCO)薄膜以及光管理设计方面的研究进展。主要包括溅射&湿法刻蚀技术、等离子体刻蚀玻璃衬底技术、等离子体处理修饰ZnO薄膜表面... 主要阐述了近年来薄膜太阳电池用绒面结构氧化锌(ZnO)透明导电氧化物(Transparent conductive oxides,TCO)薄膜以及光管理设计方面的研究进展。主要包括溅射&湿法刻蚀技术、等离子体刻蚀玻璃衬底技术、等离子体处理修饰ZnO薄膜表面技术、修饰层改善ZnO薄膜表面技术、梯度杂质掺杂技术、复合特征尺寸生长设计以及直接生长绒面结构ZnO薄膜技术和宽光谱ZnO薄膜生长设计等。此外,对薄膜太阳电池中的先进光管理(Light management)结构设计及新材料应用进行了探讨和展望。 展开更多
关键词 太阳电池 绒面结构 zno-TCO薄膜 光管理 薄膜技术
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应用织构极图研究ZnO外延膜的晶体取向特征 被引量:1
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作者 高宇 顾滨兵 +3 位作者 侯长民 黄科科 高忠民 李向山 《实验技术与管理》 CAS 2007年第9期32-34,共3页
用MOCVD法在蓝宝石衬底上生长ZnO外延膜。用理学D/m ax 2550转靶衍射仪测量ZnO外延膜织构。观察到试样存在2种晶体取向关系:ZnO[11-20]//A l2O3[10-10]及ZnO[10-10]//A l2O3[10-10]。计算得到晶格取向极点分布平均半高宽为12.26O,且前... 用MOCVD法在蓝宝石衬底上生长ZnO外延膜。用理学D/m ax 2550转靶衍射仪测量ZnO外延膜织构。观察到试样存在2种晶体取向关系:ZnO[11-20]//A l2O3[10-10]及ZnO[10-10]//A l2O3[10-10]。计算得到晶格取向极点分布平均半高宽为12.26O,且前一种取向晶体的数量是后者的13倍。探讨了2种取向的热力学稳定性。给出了外延膜取向特性的逐层分析结果。 展开更多
关键词 zno外延膜 晶体取向 织构极图 极点密度 极点密度 分布半高宽
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