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Vibrational effects on electron momentum distributionsof outer valence orbitals of benzene
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作者 张钰 牛珊珊 +3 位作者 唐亚国 王忆纯 单旭 陈向军 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第2期269-274,共6页
The outer valence electron momentum distributions of benzene are reinvestigated with theoretical calculations involving the vibrational effects.The results are compared with recent experimental measurements[Phys.Rev.A... The outer valence electron momentum distributions of benzene are reinvestigated with theoretical calculations involving the vibrational effects.The results are compared with recent experimental measurements[Phys.Rev.A 98042705(2018)].The significant discrepancies between theories and experiments in previous works have now been interpreted quantitatively,indicating that the vibrational motion in benzene molecule has noticeable influence on its electron momentum distributions. 展开更多
关键词 electron momentum spectroscopy BENZENE outer valence ORBITALS VIBRATIONAL effects
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Valence electron structures and properties of Ni-based corrosion resistant alloy
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作者 杨瑞成 舒俊 +1 位作者 陈奎 王凯旋 《中国有色金属学会会刊:英文版》 CSCD 2007年第A01期84-87,共4页
The corrosion resistance and mechanical properties were tested and compared for the newly synthesized as-cast,as-solution Ni-Cr-Mo-Cu corrosion resistant alloys and 1Cr18Ni9Ti austenitic stainless steel. Their valence... The corrosion resistance and mechanical properties were tested and compared for the newly synthesized as-cast,as-solution Ni-Cr-Mo-Cu corrosion resistant alloys and 1Cr18Ni9Ti austenitic stainless steel. Their valence electron structural units were constructed,and the relative parameters were calculated by means of the Empirical Electron theory of Solids and Molecules(EET). The results show that,during alloy elements Cr,Mo and Cu entering Ni-matrix,the bonding strength nA and bonding energy EA of the strongest bond of the alloy are greatly increased,causing the stronger solid solution strengthening effects(about 30% increase in σb). Also,as reinforcement of the main bond network and the improvement of stability of the alloy system due to the solution of these alloying elements in γ-Ni,the ionization of metal atoms in corrosion solution and the flow of electrons from anode to cathode would all be impeded during electro-chemical corrosion processes,which leads to the excellent corrosion resistant ability of the present Ni-Cr-Mo-Cu alloy(about 2-3 orders of magnitude as high as 1Cr18Ni9Ti austenitic stainless steel) in several highly aggressive solutions. 展开更多
关键词 抗腐蚀合金 原子价 微观结构
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Electron Capture in He^(2+) + Li(2s) Collision in the 40~200 keV Energy Region
3
作者 Ma Shuhong Zhang XianzhouPhysics Department of Henan Normal University, Xinxiang Henan 453002 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1998年第S1期183-184,共2页
1IntroductionLastyear,wehadcalculatedk-ksingle-electroncapturetotalcrosssections(TCS)byHe2+fromLiatominpaper... 1IntroductionLastyear,wehadcalculatedk-ksingle-electroncapturetotalcrosssections(TCS)byHe2+fromLiatominpaperone[1].Thenumeric... 展开更多
关键词 Effective potential model valence electron CAPTURE cross sectionTwo-state EXPANSION
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THE MODEL OF VALENCE ELECTRON THEORY OF DRAG-LIKE EFFECT 被引量:4
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作者 刘志林 戴天时 屈庸博 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 1989年第12期979-983,共5页
H. I. Aaronson school proposed Drag-like Effect and they took the activity of carbon in γ-Fe as a criterion to explain the formation of 'Bay' in C-curves of phase transformation kinetics of alloys. This work ... H. I. Aaronson school proposed Drag-like Effect and they took the activity of carbon in γ-Fe as a criterion to explain the formation of 'Bay' in C-curves of phase transformation kinetics of alloys. This work employs Yu’s 'Empirical electron theory of solids and molecules' and C-Me segregation as a criterion to set forth the nature of drag-like effect and proposes the model of valence electron theory of 'Bay' formation. 展开更多
关键词 drag-like EFFECT valence electron theORY model.
原文传递
A New hcp Phase Formed in the Ni-Nb System during Ion-beam-assisted Deposition
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作者 Bin ZHAO, Kuiwei GENG, Fei ZENG and Feng PANLaboratory of Advanced Materials, Department of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2004年第5期577-579,共3页
The Ni80Nb20 films were prepared by ion beam assisted deposition (IBAD) with various Ar+ ion energies. A phase evolution of fcc→amorphous→Ni+Nb→Ni+hcp was observed with the increasing of ion beam energy from 2 keV ... The Ni80Nb20 films were prepared by ion beam assisted deposition (IBAD) with various Ar+ ion energies. A phase evolution of fcc→amorphous→Ni+Nb→Ni+hcp was observed with the increasing of ion beam energy from 2 keV to 8 keV. When bombarded by Ar+ ions of 8 keV during deposition, a new crystalline phase with hcp structure was obtained, of which the lattice parameters are a=0.286 nm and c=0.483 nm, different from those of the similar A3B-type hcp phase previously reported. The experimental results were discussed in terms of thermodynamics and restricted kinetic conditions in the far-from-equilibrium process of IBAD. The formation of hep phase may also be related to the valence electron effect. 展开更多
关键词 Hcp phase Ni-Nb Ion beam assisted deposition theRMODYNAMICS valence electron effect
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烷烃电离能和生成焓的相关性 被引量:3
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作者 曹晨忠 刘金玲 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第6期955-958,共4页
根据化合物形成过程中价电子能量变化与生成焓之间的关系,推导出烷烃的生成焓和电离能之间的关系.以21个烷烃化合物为模型将实验测定的电离能与标准生成焓进行直接关联,证实了模型方程的适用性,所得回归方程的相关系数达到0.9999,估算... 根据化合物形成过程中价电子能量变化与生成焓之间的关系,推导出烷烃的生成焓和电离能之间的关系.以21个烷烃化合物为模型将实验测定的电离能与标准生成焓进行直接关联,证实了模型方程的适用性,所得回归方程的相关系数达到0.9999,估算值与实验值之间的标准偏差仅为0.03eV.同时还利用实验测定的标准生成焓对一系列烷烃的电离能作了预测. 展开更多
关键词 烷烃 价电子能 生成焓 电离能 极化效应
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中低能区α粒子与Li原子碰撞中电子俘获总截面的计算 被引量:2
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作者 马淑红 张现周 周效信 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期249-252,共4页
采用Li原子价电子的有效势模型和两态轨道展开方法主要计算了中低能区(30keV~200keV)α粒子与Li原子碰撞过程中价电子俘获的部分截面,提出了利用部分截面计算总截面的近似公式。计算结果表明,中低能区价电子的俘获... 采用Li原子价电子的有效势模型和两态轨道展开方法主要计算了中低能区(30keV~200keV)α粒子与Li原子碰撞过程中价电子俘获的部分截面,提出了利用部分截面计算总截面的近似公式。计算结果表明,中低能区价电子的俘获截面对总截面有很大的贡献。 展开更多
关键词 电子俘获截面 锂原子 碰撞 中低能区 Α粒子
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硅晶片上超薄氧化硅层厚度纳米尺寸效应的XPS研究 被引量:3
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作者 赵志娟 刘芬 赵良仲 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2010年第11期3030-3034,共5页
用X射线光电子能谱(XPS)测定了一系列厚度经过国际比对准确已知的硅晶片上的超薄(1.45nm<d<7.2nm)氧化硅膜的Si2p电子能谱和价带谱.结果表明:SiO2膜厚d<2nm时,Si2p结合能最低,其原因可归结于此时光电离空穴既有来自SiO2中的原... 用X射线光电子能谱(XPS)测定了一系列厚度经过国际比对准确已知的硅晶片上的超薄(1.45nm<d<7.2nm)氧化硅膜的Si2p电子能谱和价带谱.结果表明:SiO2膜厚d<2nm时,Si2p结合能最低,其原因可归结于此时光电离空穴既有来自SiO2中的原子极化对空穴的原子外弛豫,也有来自衬底Si的电荷移动对空穴的屏蔽(有效屏蔽距离大约是(2.5±0.6)nm);当d>3nm时Si2p结合能增大,此时只有来自SiO2的原子外弛豫,d较小者的Si2p结合能较高.SiO2的价带电子结构也与其厚度纳米尺寸效应有关:当d<2nm时价带中SiO2的O2p非成键电子峰的相对强度较强,O2p—Si3p和O2p—Si3s成键电子峰较弱. 展开更多
关键词 硅晶片 SIO2膜 纳米厚度 尺寸效应 X射线光电子能谱 电子结合能 价带谱 原子外弛豫
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p区元素“惰对效应”的电位判据(Ⅰ) 被引量:1
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作者 陈国强 赵云强 陈天朗 《贵州师范大学学报(自然科学版)》 CAS 1999年第4期26-29,共4页
对p 区元素进行了普查,提出了用同一元素s 轨道与p 轨道标准还原电位的差值来量度“惰对效应”,当△E°s- p > 0-7 V 时,可作为+ ( q- 2) 价元素具有“惰对效应”的判据。由强到弱的顺序为:Tl+1(1-6... 对p 区元素进行了普查,提出了用同一元素s 轨道与p 轨道标准还原电位的差值来量度“惰对效应”,当△E°s- p > 0-7 V 时,可作为+ ( q- 2) 价元素具有“惰对效应”的判据。由强到弱的顺序为:Tl+1(1-60) 、Pb+2(1-58) 、Bi+ 3( > 1-48) 、Po+ 4(0-80) 。 展开更多
关键词 惰对效应 标准还原电位 P区元素 电位判据
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电负性研究Ⅰ.建立元素电负性标度的有效核电荷数方法 被引量:2
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作者 杨立新 《Chinese Journal of Structural Chemistry》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2001年第2期138-143,共6页
通过价层电离能、价键轨道能量用有效核电荷数法建立了周期表中 90种元素的电负性新标度。χ=0 .41 2 3 -EV,该式表明电负性值与价键轨道能量的绝对值的平方根成正比 ,所得数值是一套无量纲的相对参数。元素电负性值随价态的升高与元素... 通过价层电离能、价键轨道能量用有效核电荷数法建立了周期表中 90种元素的电负性新标度。χ=0 .41 2 3 -EV,该式表明电负性值与价键轨道能量的绝对值的平方根成正比 ,所得数值是一套无量纲的相对参数。元素电负性值随价态的升高与元素非金属性的增强相对应 ,元素电负性的大小不仅与单个成键电子有关 ,而且也与参加价键作用的多个电子甚至整个价层都有紧密的联系。氢的元素电负性值不同于Pauling值、等于 1 .52。用 1 6种氢化物中键的额外离子能Δ′对 (χA-χB) 2 作图 ,两者之间确实具有良好的线性关系。本方法充分体现了目前公认的三大电负性标度的优点 ,该标度同时也是价层电子在价键状态下的一种能量标度 ,是对元素周期律的定量描述和反映。 展开更多
关键词 元素 电负性标度 价电子能量标度 有效核电荷数 价层电离能 电负性
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从原子结构探讨负价金
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作者 金世斌 李昌寿 +4 位作者 石吉友 邢志军 张磊 马金瑞 鲁玉春 《黄金》 CAS 2013年第4期4-7,共4页
对于重金属相对论效应不可忽视。由于金的相对论效应显著大于其他元素,因此原子半径收缩大,惰性电子对效应也大,加之金特有的电子构型,使金具有独特的化学性质,即金不仅可氧化为正一价和正三价,还可以呈负一价。
关键词 原子结构 负价金 相对论效应 惰性电子对效应 电子构型
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空穴导电是怎么回事 被引量:1
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作者 张三慧 《物理与工程》 2004年第4期6-9,共4页
根据量子物理的基本概念和经典图像说明空穴概念以及空穴导电和P型霍尔效应的实质
关键词 大学物理教学 半导体物理 空穴导电 电子波 量子态 能级 能带 霍尔效应
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非典型耦合下二价原子精细结构能级的塞曼分裂
13
作者 孙雅琴 黄时中 《安徽理工大学学报(自然科学版)》 CAS 2003年第1期68-71,共4页
研究非典型耦合下二价原子精细结构能级的塞曼分裂问题,旨在将典型耦合(即ls耦合和jj耦合)下二价原子精细结构能级的塞曼分裂理论拓展到更为一般的情形。在具体计算中,以非典型耦合下的精细结构理论为基础,采用微扰论方法,导出了非典型... 研究非典型耦合下二价原子精细结构能级的塞曼分裂问题,旨在将典型耦合(即ls耦合和jj耦合)下二价原子精细结构能级的塞曼分裂理论拓展到更为一般的情形。在具体计算中,以非典型耦合下的精细结构理论为基础,采用微扰论方法,导出了非典型耦合下计算二价原子精细结构能级塞曼分裂的一般理论公式,并应用该理论具体分析了组态的塞曼分裂结构。计算结果表明:非典型耦合下二价原子精细结构能级的塞曼分裂结构包含了从ls耦合渐变到jj耦合的各种情形,具有更好实用性;理论给出的塞曼分裂因子形式具有一般性,ls耦合和jj耦合下的因子都是其特例。 展开更多
关键词 精细结构 能级 二价原子 非典型耦合 塞曼效应
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对使用VSEPR模型的一个改进——定量推算AX_nE_m分子或离子的几何构型
14
作者 夏泽吉 《四川师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1991年第5期92-96,共5页
目前常使用VSEPR模型定性确定共价型AX_nE_m分子或离子的几何构型.为了推动这一理论的发展,使VSEPR模型更为可靠,作者对该模型作了一些改进——定量推算这类分子或离子的稳定结构,供读者参考.
关键词 价层电子对(作用对) 参变孤电子对 方向角 惰性电子对
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基态原子价电子平均能的估算及应用 被引量:1
15
作者 张彩云 《广西师院学报(自然科学版)》 1994年第2期53-57,共5页
本文提出了一个判断元素化学分性的能量标度,它对周期表中元素性质的递变给予了较为合理的解释,用值划分的化合的价键类型与实验数据相一致。
关键词 能量标度 垂直电离能 基态 原子 价电子层
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“惰性电子对效应”问题探讨
16
作者 刘俊 黄保贵 《文山师范高等专科学校学报》 2008年第1期86-90,共5页
用原子结构理论、热力学理论和相对论性效应讨论了"惰性电子对效应",分析说明了"惰性电子对效应"称为"惰性价电子效应"更准确.
关键词 惰性电子对效应 相对论性效应 惰性价电子效应
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固体材料中价电子正则动量影响因素分析 被引量:1
17
作者 邢怀民 《新乡学院学报》 2012年第5期400-402,共3页
分析了正则方程和正则动量的物理意义,讨论了由正则方程向薛定谔方程过渡的物理依据,认为正则方程和薛定谔方程都是研究有心力场中单粒子运动问题的.正则动量是与粒子在有心力场中的能态相对应的动量,影响正则动量的分别是温度和外场.... 分析了正则方程和正则动量的物理意义,讨论了由正则方程向薛定谔方程过渡的物理依据,认为正则方程和薛定谔方程都是研究有心力场中单粒子运动问题的.正则动量是与粒子在有心力场中的能态相对应的动量,影响正则动量的分别是温度和外场.温度只影响固体材料中价电子的正则动量,外场既影响固体材料中价电子的正则动量,也影响其定向运动动量. 展开更多
关键词 固体材料 价电子 载流子 温度 体积效应 电场 磁场 外场 正则动量 定向运动动量
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d区单质“惰性s-价电子效应”的电位判据(Ⅱ)
18
作者 陈国强 《贵州师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2000年第3期68-69,72,共3页
本文对d区元素进行了普查 ,提出用单质s轨道的标准氧化电位来量度“惰性s -价电子效应” ,当E0 S>0 73V时 ,可作为单质具有“惰性s-价电子效应”的判据。由强到弱的顺序为 :Pt(2 6 4)、Au(1 6 9)、Rh(1 1)、Ir(1 0 )、Ru(0 95 )、... 本文对d区元素进行了普查 ,提出用单质s轨道的标准氧化电位来量度“惰性s -价电子效应” ,当E0 S>0 73V时 ,可作为单质具有“惰性s-价电子效应”的判据。由强到弱的顺序为 :Pt(2 6 4)、Au(1 6 9)、Rh(1 1)、Ir(1 0 )、Ru(0 95 )、Pd(0 92 )、OS(0 85 )、Hg(0 85 )、Ag(0 80 )。 展开更多
关键词 氧化电位 s轨道 d区元素 惰性s-价电子效应
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关于惰性电子对效应的探讨
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作者 夏泽吉 李青仁 任佰祥 《松辽学刊(自然科学版)》 1996年第4期66-70,共5页
本文在介绍了前人对于惰性电子对效应所作的理论解释的基础上.用热力学方法讨论了ⅡB族、ⅢA族、ⅣA族元素形成离子化合物和共价化合物时的能量变化,从而对惰性电子对效应的产生能有更好地解释.
关键词 氧化态 电离能 惰性电子对效应 周期系 能量效应
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共价化合物的热力学性质与结构的关系Ⅲ SiH_(mXn)的气相标准生成焓 被引量:3
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作者 李良超 罗明道 +2 位作者 屈松生 颜肖慈 张国鼎 《西北大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1993年第5期437-441,449,共6页
提出了一个估算SiHmXn的气相标准生成焓[Δ_fH_m^(?)(SiHmXn,g)]的经验公式,它表明了Δ_fH_m^(?)(SiHmXn,g)与Si—H键和Si—X键的键焓及键数(m,n)有关。当(m+n)<4时。中心原子(Si)与相邻原子(X)之间的共轭效应和配位效应对Δ_fH_m^(?... 提出了一个估算SiHmXn的气相标准生成焓[Δ_fH_m^(?)(SiHmXn,g)]的经验公式,它表明了Δ_fH_m^(?)(SiHmXn,g)与Si—H键和Si—X键的键焓及键数(m,n)有关。当(m+n)<4时。中心原子(Si)与相邻原子(X)之间的共轭效应和配位效应对Δ_fH_m^(?)(SiHmXn,g)也有较大的影响。 展开更多
关键词 卤代硅甲烷 共价化合物 热力学性质
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