3类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的温度稳定性

研究了温度作用下 3类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线 (VBL)的消失过程 ,发现和证实了普通硬磁泡 (OHBs) ,第I类哑铃畴 (IDs)和第II类哑铃畴 (IIDs)都存在一个与材料参量有关的VBL解体的临界温度范围 .对同一样品而言 ,3类硬磁畴的起始临界温度是相同的 ,而VBL完全解体的最低温度却是依次增加的 .在临界温度范围内 ,3类硬磁畴畴壁中的VBL是不稳定的 。

面内磁场和直流偏磁场共同作用下第Ⅱ类哑铃畴的稳定性

实验研究了面内磁场Hip对处于直流偏磁场Hb作用下的第Ⅱ类哑铃畴（ⅡD）的稳定性的影响．发现当Hb小于阈值（Hb）tb时，使ⅡD向其它种类硬磁畴或软泡转变的临界面内磁场不随Hb而改变；当Hb大于（Hb）th时，临界面内磁场开始下降．

系列脉冲偏场作用下哑铃畴的行为

该文研究了由多枝畴收缩而成的哑铃畴（ⅠＤ、ⅡＤ）在系列脉冲偏场作用下的行为，发现哑铃畴在系列脉冲偏场作用下，随脉冲偏场幅度的增加会出现改变方向以及丢失ＶＢＬ的现象．

枝状畴形成的哑铃畴在系列脉冲偏场作用下的一些行为

实验研究了由多枝畴收缩而成的哑铃畴（ＩＤ，ＩＤ）在系列脉冲偏场作用下的一些旋转行为以及丢失ＶＢＬ的现象．

直流偏磁场作用下VBL消失机制探讨

以实验为依据，在Ｔｈｉｅｌｅ磁泡静力学理论和垂直布洛赫线均匀旋转模型的基础上，通过对畴壁能进行修正，研究了直流偏磁场作用下泡状硬磁畴的条泡转变和缩灭问题，从能量表达式出发算出了硬磁畴的缩灭场和最大缩灭场，并首次解释了第二类哑铃畴以条畴形态缩灭的现象。从而系统地解释了这些多年来未能解释的实验现象。

三类硬磁畴畴壁结构分析

实验研究了硬磁畴在不同温度下的静态性质，发现具有相同数目ＶＢＬ的硬碰畴在不同温度下的存在形式不一定相同，从而揭示了三类硬磁畴畴壁结构的一致性，证明了直流偏场作用下硬磁畴缩灭时ＶＢＬ间的平衡间距随温度的升高而增大。

磁泡材料中硬磁畴与物性的关系

利用法拉第偏光显微镜观测了磁畴,通过显微照相技术拍摄了硬磁畴随温度变化的典型照片,这些照片揭示了硬磁畴的物理性质与温度之间的关系:VBL间的最小平衡间距随温度的升高逐步增大;较硬的普通硬磁泡(OHB)可以随着温度的升高转变为较软的第1类哑铃畴(ID),而较软的第1类哑铃畴(ID)又可以随着温度的升高转变为较软的第2类哑铃畴(IID);为3类硬磁畴畴壁结构的一致性提供了直接证据.此外,VBL的这些温度特性反映出BLM方案的不足.

面内场对第Ⅰ类哑铃畴“切尾”后畴壁内VBLs解体的影响

实验研究了直流偏场(Hb)和面内场(Hip)联合作用下,液相外延石榴石磁泡薄膜中第Ⅰ类哑铃畴(ID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的解体.通过实验得到了3个重要的面内场Hi(p1),Hip*和Hi(p2).通过“切尾”实验可以证明面内场对垂直布洛赫线链(VBLs)的丢失有影响;而VBLs的丢失又影响到了ID的行为.

温度对IID畴壁中VBL解体临界面内场的影响

实验研究了温度和面内场对液相外延石榴石磁泡薄膜内,第II类哑铃畴(IID)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)链稳定性的影响.研究发现,在室温到T0′的任一温度下,IID畴壁中VBL的消失都存在一个临界面内场范围[H(1)ip(T)<Hip<ip(T),H(2)ip(T)].当Hip≤H(1)ip(T)时,IID畴壁中VBL稳定存在;当H(1)H(2)ip(T)时,IIDD畴壁中VBL变得不稳定;随着Hip的增大VBL丢失得越来越多,当Hip≥H(2)ip(T)时,IID畴壁中VBL完全丢失.并且随着温度的升高,临界面内场值H(1)ip(T)和H(2)ip(T)逐渐减小.

直流偏场和面内场联合作用下第Ⅰ类哑铃畴壁内VBLs的稳定性

研究了直流偏场和面内场联合作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第Ⅰ类哑铃畴(ID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现,室温时在Hb和Hip的共同作用下,当Hb>H′sb时,ID的剩余率将在某一面内场Hip下迅速下降,即ID畴壁内VBL在某一Hip迅速丢失.随着Hb上升这种下降的趋势越容易发生,并变得更剧烈.通过观察证实,这种下降的趋势与ID的自收缩有关.由此可知,在Hip和Hb的共同作用下ID畴壁中的VBLs丢失的过程中,自收缩起着重要的作用.