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Microstructure and Deposition Mechanism of C/SiCN Composites Prepared by Rapid Electro-thermal Pyrolysis CVD
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作者 夏熠 QIAO Shengru WANG Qiangqiang 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2013年第4期688-692,共5页
Carbon fiber-reinforced silicon carbonitride ceramic matrix composites (C/SiCN) were prepared by rapid electro-thermal pyrolysis CVD using liquid polymer hexamethyldisilazane (HMDS, (CH3)3SiNHSi(CH3)3) as prec... Carbon fiber-reinforced silicon carbonitride ceramic matrix composites (C/SiCN) were prepared by rapid electro-thermal pyrolysis CVD using liquid polymer hexamethyldisilazane (HMDS, (CH3)3SiNHSi(CH3)3) as precursor. Microstructure morphology and production technique of C/SiCN composites were investigated. Scanning electron microscopy and transmission electron microscopy were respectively employed to characterize microstructures of the as-received C/SiCN composites samples. The high temperature pyrolysis of HMDS results in destruction of molecular chain, fracture of bonds, as well as liquid-gas-solid conversion from polymer to ceramic. Microstructures observation indicates that there is a high degree of coalescence between SiCN matrix and C fiber. The deposition model of liquid precursor electro-thermal pyrolysis CVD is different from that of gas precursor isothermal chemical vapor infiltration. Rapid liquid flow and slow gas diffusion are key factors for the difference of two methods. Preparation of rapid electro-thermal pyrolysis CVD consists of four steps including liquid polymer infiltration, polymer pyrolysis, rapid deposition of pyrolyzed substances and rapid densification, respectively. 展开更多
关键词 C/SiCN composite electro-thermal cvd MICROSTRUCTURE deposition model
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SELECTIVE DEPOSITION OF DIAMOND FILMS BY THERMAL CVD OF TUNGSTEN FILAMENT 被引量:1
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作者 于三 金曾孙 +1 位作者 吕宪义 邹广田 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 1991年第17期1438-1440,共3页
Ⅰ. INTRODUCTIONThe preparation and application studies of diamond thin films as a new type of multifunction materials have made a great progress in recent years. Up to now, the initial applications of diamond thin fi... Ⅰ. INTRODUCTIONThe preparation and application studies of diamond thin films as a new type of multifunction materials have made a great progress in recent years. Up to now, the initial applications of diamond thin films prepared by various methods based on chemical vapor deposi- 展开更多
关键词 DIAMOND THIN films selective DEPOSITION thermal cvd method.
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Enhanced growth of crystalline-amorphous core-shell silicon nanowires by catalytic thermal CVD using in situ generated tin catalyst 被引量:1
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作者 CHENG ShiMin REN Tong +4 位作者 YING PinLiang YU Rui ZHANG WenHua ZHANG Jian LI Can 《Science China Chemistry》 SCIE EI CAS 2012年第12期2573-2579,共7页
In this work,we prepared silicon nanowires(Si NWs) on both fluorine-doped SnO 2(FTO) coated glass substrate and common glass substrate by catalytic thermal chemical vapor deposition(CVD) using indium film as the catal... In this work,we prepared silicon nanowires(Si NWs) on both fluorine-doped SnO 2(FTO) coated glass substrate and common glass substrate by catalytic thermal chemical vapor deposition(CVD) using indium film as the catalyst.It is confirmed that indium can catalyze the growth of Si NWs.More importantly,we found that tin generated in situ from the reduction of SnO 2 by indium can act as catalyst,which greatly enhances the growth of Si NWs on FTO substrate.The obtained Si NWs have a uniform crystalline-amorphous core-shell structure that is formed via vapor-liquid-solid and vapor-solid growth of silicon sequentially.This work provides a strategy to prepare Si NWs in high yield by catalytic thermal CVD using the low melting point metal catalysts. 展开更多
关键词 化学气相沉积法 金属催化剂 硅纳米线 催化生长 氧化锡 无定形 原位生成 结晶
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Analysis of Residual Thermal Stress in CVD-W Coating as Plasma Facing Material
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作者 朱大焕 王坤 +2 位作者 王先平 陈俊凌 方前锋 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第7期656-660,共5页
Chemical vapor deposition-tungsten (CVD-W) coating covering the surface of the plasma facing component (PFC) is an effective method to implement the tungsten material as plasma facing material (PFM) in fusion de... Chemical vapor deposition-tungsten (CVD-W) coating covering the surface of the plasma facing component (PFC) is an effective method to implement the tungsten material as plasma facing material (PFM) in fusion devices. Residual thermal stress in CVD-W coating due to thermal mismatch between coating and substrate was successfully simulated by using a finite element method (ANSYS 10.0 code). The deposition parametric effects, i.e., coating thickness and deposition temperature, and interlayer were investigated to get a description of the residual thermal stress in the CVD-W coating-substrate system. And the influence of the substrate materials on the generation of residual thermal stress in the CVD-W coating was analyzed with respect to the CVD-W coating application as PFM. This analysis is beneficial for the preparation and application of CVD-W coating. 展开更多
关键词 W-coating cvd residual thermal stress PFM FEA
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用热梯度式CVD增密技术制造C/C复合刹车盘 被引量:27
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作者 邹志强 汤中华 熊杰 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 2000年第2期22-27,共6页
利用自行研制的热梯度式炉系统探索了利用差温式 CVD增密技术制备高性能 C/ C复合刹车盘的可行性 ,研究了温度、气氛压力、气流量等参数对 CVD增密过程的影响及增密过程动力学特性 ,实现了在较短周期制取高密度 C/ C复合盘件 ,显示了该... 利用自行研制的热梯度式炉系统探索了利用差温式 CVD增密技术制备高性能 C/ C复合刹车盘的可行性 ,研究了温度、气氛压力、气流量等参数对 CVD增密过程的影响及增密过程动力学特性 ,实现了在较短周期制取高密度 C/ C复合盘件 ,显示了该项技术工业应用的良好前景。 展开更多
关键词 热梯度 cvd 增密 刹车盘 汽车 碳碳复合材料
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热CVD法制备纳米硅粉及其表征 被引量:3
6
作者 杨红 金达莱 +3 位作者 马照军 王勇 汪新颜 姚奎鸿 《浙江大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期280-284,共5页
采用简单的热CVD反应法成功制备了纳米硅粉、X射线衍射和透射电镜结果表明:该产物是无定形的球形纳米粉体,粒径为20~100nm.粉体粒径随分解温度敏感,温度升高粒径减小,但高于700℃时急剧增加.傅立叶红外分析表明,粉体存在Si~H... 采用简单的热CVD反应法成功制备了纳米硅粉、X射线衍射和透射电镜结果表明:该产物是无定形的球形纳米粉体,粒径为20~100nm.粉体粒径随分解温度敏感,温度升高粒径减小,但高于700℃时急剧增加.傅立叶红外分析表明,粉体存在Si~H键,且H含量随分解温度升高而降低.进一步研究表明,该无定形纳米硅粉经700℃退火处理可转变为晶体硅. 展开更多
关键词 cvd 纳米硅粉 均相分解
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CVD法制备碳纳米管的TG-DTA研究——温度对CVD法制备碳纳米管的影响 被引量:18
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作者 吕德义 徐丽萍 +1 位作者 徐铸德 葛忠华 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第2期118-122,共5页
基于碳纳米管粗产品中无定形碳和不同直径碳纳米管对氧的反应活性的差异 ,通过差热 -热重 (TG DTA)方法 ,结合透射电镜 (TEM)和X射线衍射 (XRD)的测试结果 ,研究了合成温度对以乙炔气体为碳源 ,用CVD法制备碳纳米管的石墨化程度、碳纳... 基于碳纳米管粗产品中无定形碳和不同直径碳纳米管对氧的反应活性的差异 ,通过差热 -热重 (TG DTA)方法 ,结合透射电镜 (TEM)和X射线衍射 (XRD)的测试结果 ,研究了合成温度对以乙炔气体为碳源 ,用CVD法制备碳纳米管的石墨化程度、碳纳米管直径以及直径分布的影响 .结果表明 :反应中 ,由于催化剂Co/SiO2中活性组分 (Co)微晶随合成温度的升高而增大 ,导致所制备的碳纳米管的直径增大 ,从 2 0~ 30nm (6 5 0℃ )增加到 30~ 5 0nm (75 0℃ ) .碳纳米管的石墨化程度随着反应温度的升高而增加 .XRD实验结果还表明 ,当合成温度从 6 5 0℃增加到 85 0℃时 ,2θ值从 2 5 .8°增加到 2 6 .8°,(0 0 2 )晶面的层间距从 3.45 减小到 3.32 ,即随着合成温度的升高 ,碳纳米管 (0 0 2 )晶面的层间距减小 .通过DTA放热峰的峰温和半峰宽的分析得出 ,无定形碳的放热峰峰温Tp<380℃ ,其含量随着温度的升高而减小 .碳纳米管的DTA放热峰的峰温Tp 随着碳纳米管的直径和石墨化的程度的增加而升高 ,半峰宽随着碳纳米管的直径的分布范围增大而增宽 .低温 (6 5 0℃ )有利于生成直径小且均匀的多层碳纳米管 (2 0~ 30nm) ,而高温 (大于 75 0℃ )则有利于生成直径大的多层碳纳米管 (大于 30~5 0nm) . 展开更多
关键词 制备 TG-DTA 温度 差热-热重分析 碳纳米管 cvd 化学气相沉积
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热解CVD法同质外延金刚石单晶的研究 被引量:1
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作者 李胜华 张志明 荘志诚 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第3期73-77,共5页
以有机低分子化合物丙酮与氢气为反应气体,用热解CVD 法在形状不规则的金刚石小颗粒上,外延出规整的立方八面体单晶金刚石颗粒,表面呈三角形或截角三角形形状,经反射高能电子衍射结构分析,确认是单晶。文中还讨论了金刚石结构中{111}面... 以有机低分子化合物丙酮与氢气为反应气体,用热解CVD 法在形状不规则的金刚石小颗粒上,外延出规整的立方八面体单晶金刚石颗粒,表面呈三角形或截角三角形形状,经反射高能电子衍射结构分析,确认是单晶。文中还讨论了金刚石结构中{111}面最容易显露的实验结果. 展开更多
关键词 金刚石 单晶 热解cvd 同质外延
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西门子CVD还原炉内硅棒生长环境的数值模拟 被引量:15
9
作者 王子松 黄志军 +3 位作者 覃攀 雷雳光 印永祥 戴晓雁 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期507-512,共6页
考虑包括热辐射在内的质量传递、动量传递、热量传递三维模型,利用流体力学计算软件,对18对棒西门子多晶硅CVD还原炉实际情况进行数值模拟。考察了两种进气方式下还原炉内的流场和温度场分布。计算结果表明,为了实现硅棒均匀沉积,与底... 考虑包括热辐射在内的质量传递、动量传递、热量传递三维模型,利用流体力学计算软件,对18对棒西门子多晶硅CVD还原炉实际情况进行数值模拟。考察了两种进气方式下还原炉内的流场和温度场分布。计算结果表明,为了实现硅棒均匀沉积,与底盘上分散进气、中心集中出气的还原炉结构相比,中心集中进气、中环与外环之间分散出气的流场及温度场分布更为合理。后者可能有效避免气体在进出口间的"短路"现象,又使炉内各处温度分布更为均匀,减小硅棒不均匀生长现象。模拟结果还表明,采用典型工况的数据,还原炉中总能量损失占能量输入的78.9%,辐射热损失占总能量损失的70.9%,产品单位质量能耗为72.8 kWh./kg-1,与很多其他研究结果及实际相一致。 展开更多
关键词 计算流体力学 多晶硅 cvd还原炉 辐射热传递
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化学气相沉积HfO_(2)涂层的制备及性能
10
作者 何锐朋 朱利安 +4 位作者 王震 叶益聪 李顺 唐宇 白书欣 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期67-75,共9页
采用化学气相沉积(CVD)法在难熔金属Mo表面制备厚约8μm的HfO_(2)涂层。通过HSC Chemistry软件从热力学角度探究CVD HfO_(2)的反应过程,分析HfO_(2)涂层的微观形貌、择优生长情况和纳米力学性能,测试涂层与基体的结合力及抗热震性。结... 采用化学气相沉积(CVD)法在难熔金属Mo表面制备厚约8μm的HfO_(2)涂层。通过HSC Chemistry软件从热力学角度探究CVD HfO_(2)的反应过程,分析HfO_(2)涂层的微观形貌、择优生长情况和纳米力学性能,测试涂层与基体的结合力及抗热震性。结果表明:HfO_(2)涂层与基体结合良好,在经历25~2000℃,100次循环热震后涂层表面未出现宏观剥落;划痕法测定的涂层附着力约23 N;在2.5~5μm波段,涂层表面平均发射率为0.48,将Mo在该波段的平均发射率提高了近5倍。 展开更多
关键词 化学气相沉积 氧化铪涂层 热力学计算 发射率 抗热震性
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CVD金刚石膜散热性能的实验及仿真分析 被引量:3
11
作者 何江 林贵平 庞丽萍 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2010年第3期22-27,共6页
本文基于化学气相沉积(CVD)金刚石膜的超高热导率,设计并搭建了一套实验系统,分析其对于小空间高热流密度电子元件的散热效果。通过测量加热器及材料表面的温度值可知,相同工况下,金刚石膜温度梯度小,温度分布均匀性好,表面最大温差仅... 本文基于化学气相沉积(CVD)金刚石膜的超高热导率,设计并搭建了一套实验系统,分析其对于小空间高热流密度电子元件的散热效果。通过测量加热器及材料表面的温度值可知,相同工况下,金刚石膜温度梯度小,温度分布均匀性好,表面最大温差仅为铜的一半且加热面温度相比于铜更低。实验结果说明CVD金刚石膜的散热性能明显优于传统散热材料铜。实验验证了经过Ti-Ni-Au金属化处理的CVD金刚石薄膜具有可焊性。在实验基础上,利用Flotherm软件对系统进行仿真建模,进一步探讨了材料厚度、热导率及接触热阻对加热面温度和最大热流密度的影响。 展开更多
关键词 cvd金刚石膜 散热 热导率 接触热阻
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载气在CVD法制备纳米碳管工艺中的作用 被引量:1
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作者 冯猛 张羊换 +2 位作者 董小平 任江远 王新林 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1435-1437,1441,共4页
纳米碳管是性能优异的具有准一维特征的纳米材料,CVD法是制备纳米碳管的典型工艺之一。本文以乙炔气体为原料气体、循环失效后的贮氢电极合金材料作为反应催化剂,研究了在相同反应条件下,CVD法制备纳米碳管过程中载气对纳米碳管形貌和... 纳米碳管是性能优异的具有准一维特征的纳米材料,CVD法是制备纳米碳管的典型工艺之一。本文以乙炔气体为原料气体、循环失效后的贮氢电极合金材料作为反应催化剂,研究了在相同反应条件下,CVD法制备纳米碳管过程中载气对纳米碳管形貌和产率的影响。通过对产物TEM观察和TG分析发现,虽然载气不直接参与合成反应但对产物产率和形貌有很大的影响,氢气作为载气可以获得形貌和热稳定性更好的纳米碳管。 展开更多
关键词 纳米碳管 cvd 载气 形貌 热稳定性
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CVD金刚石薄膜热导率的研究 被引量:1
13
作者 陈灵 黄元盛 +2 位作者 邱万奇 刘正义 瞿全炎 《理化检验(物理分册)》 CAS 2002年第2期50-52,共3页
研究了直流等离子体喷射沉积金刚石膜的晶粒尺寸、晶粒取向、膜厚、杂质和缺陷对金刚石膜的热导率的影响。结果表明 ,随着晶粒尺寸的增大 ,金刚石膜的热导率先慢后快逐渐增大 ;随着膜的增厚 ,热导率先大幅度提高 ,达到一定值后 ,变化率... 研究了直流等离子体喷射沉积金刚石膜的晶粒尺寸、晶粒取向、膜厚、杂质和缺陷对金刚石膜的热导率的影响。结果表明 ,随着晶粒尺寸的增大 ,金刚石膜的热导率先慢后快逐渐增大 ;随着膜的增厚 ,热导率先大幅度提高 ,达到一定值后 ,变化率变小 ;晶粒 (111)取向对金刚石膜的热导率最有利 ,其次是 (110 ) ;非金刚石碳相和缺陷都降低膜的热导率 。 展开更多
关键词 直流等离子体射流法 cvd 金刚石薄膜 热导率 晶间空隙
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热梯度式CVD增密技术制造C/C复合刹车材料——综合性研究报告[Ⅰ]
14
作者 邹志强 汤中华 熊杰 《粉末冶金材料科学与工程》 EI 2000年第4期247-253,共7页
利用自行研制的热梯度式炉,系统探索了利用差温式CVD增密技术制备高性能C/C复合刹车材料的可行性,研究了温度、气氛压力、气流量等参数对CVD增密过程的影响及增密过程动力学特性,实现了在较短周期内制取高密度C/C复合盘件,显示了该项技... 利用自行研制的热梯度式炉,系统探索了利用差温式CVD增密技术制备高性能C/C复合刹车材料的可行性,研究了温度、气氛压力、气流量等参数对CVD增密过程的影响及增密过程动力学特性,实现了在较短周期内制取高密度C/C复合盘件,显示了该项技术良好的工业应用前景。 展开更多
关键词 热梯度 cvd 增密 C/C复合 刹车材料
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CVD金刚石膜在微波管中的应用 被引量:1
15
作者 谢扩军 刘盛纲 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2003年第1期64-67,共4页
金刚石由于其低的介电常数、高的导热率和优良的机械性能 ,将其应用于微波管改善其散热性能取代传统有毒的氧化铍陶瓷 ,是微波管螺旋线优良的支撑材料。本文首次采用等离子体化学气相沉积法在行波管夹持杆上沉积金刚石厚膜 ,经材料和慢... 金刚石由于其低的介电常数、高的导热率和优良的机械性能 ,将其应用于微波管改善其散热性能取代传统有毒的氧化铍陶瓷 ,是微波管螺旋线优良的支撑材料。本文首次采用等离子体化学气相沉积法在行波管夹持杆上沉积金刚石厚膜 ,经材料和慢波组件性能测试 ,获得了较好的实验结果 :导热率 12W/cm·℃ ,介电常数为 5 .0~ 5 .3,介质损耗为 1× 10 -3 ,体积电阻率约 10 13 Ω·cm ;慢波组件导热性能与同结构的BeO组件相比提高 3.0倍。表明该薄膜能满足大功率行波管的设计。 展开更多
关键词 cvd 金刚石膜 微波管 等离子体化学气相沉积 性能
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CVD金刚石改善3D-MCM散热性能分析
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作者 谢扩军 蒋长顺 徐建华 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2005年第6期27-30,共4页
在3D-MCM(多芯片组件)封装设计中,大功率和高热流密度导致系统的散热成为关键技术之一。本文采用高导热率的金刚石封装材料建立了一种叠层多芯片组件结构,应用ANSYS软件和计算流体动力学方法(CFD),对CVD(化学气相沉积)金刚石基板的三维... 在3D-MCM(多芯片组件)封装设计中,大功率和高热流密度导致系统的散热成为关键技术之一。本文采用高导热率的金刚石封装材料建立了一种叠层多芯片组件结构,应用ANSYS软件和计算流体动力学方法(CFD),对CVD(化学气相沉积)金刚石基板的三维多芯片结构进行了热性能分析,模拟了器件在强制空气冷却条件下的热传递过程和温度分布,探讨了各种设计参数和物性参数对3D-MCM器件温度场的影响。结果显示金刚石基板应用在多芯片组件中能显著地改善3D-MCM封装的散热性能,明显优于氮化铝基板;在强制空冷时散热功率可达到120W。 展开更多
关键词 cvd金刚石 热沉 3D-MCM 封装 热性能
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硅烷流量对硅烷热CVD法制备纳米硅粉的影响 被引量:1
17
作者 汪新颜 金达莱 +2 位作者 马照军 王勇 姚奎鸿 《浙江理工大学学报(自然科学版)》 2007年第5期545-548,共4页
纳米硅粉的制备方法很多,但采用硅烷(SiH4)热CVD法制备纳米硅粉较于其它方法有很多优势。文章研究了在特定的温度和压力下硅烷流量对硅粉制备的影响,并对制得的硅粉进行XRD、SEM和粒径分析表征,从而获得硅烷热CVD法制备硅粉一些关于硅... 纳米硅粉的制备方法很多,但采用硅烷(SiH4)热CVD法制备纳米硅粉较于其它方法有很多优势。文章研究了在特定的温度和压力下硅烷流量对硅粉制备的影响,并对制得的硅粉进行XRD、SEM和粒径分析表征,从而获得硅烷热CVD法制备硅粉一些关于硅烷流量等关键控制参数,为该法多参数优化控制以及将来的大规模工业应用做准备。 展开更多
关键词 硅烷 cvd 流量 硅粉
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UHV/CVD多晶锗硅及其电学特性
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作者 黄文韬 陈长春 +4 位作者 刘志农 邓宁 刘志弘 陈培毅 钱佩信 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期418-420,424,共4页
 采用自行研制的超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)设备,研究了在550°C下SiO2薄膜上多晶SiGe成核时间和生长速率与GeH4和B2H6流量的关系,以及不同温度下快速热退火对多晶SiGe电阻率的影响。实验结果表明,多晶SiGe成核时间随GeH4流量...  采用自行研制的超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)设备,研究了在550°C下SiO2薄膜上多晶SiGe成核时间和生长速率与GeH4和B2H6流量的关系,以及不同温度下快速热退火对多晶SiGe电阻率的影响。实验结果表明,多晶SiGe成核时间随GeH4流量的增加而增加;在小的GeH4流量下,其生长速率随GeH4和B2H6流量的增加而增加,但比同等条件下单晶SiGe生长速率低;其电阻率随GeH4流量的增加而下降,随快速热退火温度的升高而下降。 展开更多
关键词 UHV/cvd 多晶锗硅 快速热退火 成核时间 外延
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CVD金刚石膜用作TaN_2热敏打印头表面保护层的研究
19
作者 姚江宏 彭军 +1 位作者 王志勇 陈光华 《光电子技术》 CAS 1996年第2期131-136,共6页
报道了用微波等离子体化学气相淀积(MWCVD)技术在TaN2电阻材料上淀积高质量金刚石薄膜的制备工艺,以及扫描电镜、X射线衍射、拉曼光谱、压痕测试的测试结果。探讨了提高金刚石膜在非金刚石衬底成核密度与粘附性的实验方法,从实验上... 报道了用微波等离子体化学气相淀积(MWCVD)技术在TaN2电阻材料上淀积高质量金刚石薄膜的制备工艺,以及扫描电镜、X射线衍射、拉曼光谱、压痕测试的测试结果。探讨了提高金刚石膜在非金刚石衬底成核密度与粘附性的实验方法,从实验上证实了CVD金刚石膜可以用作TaN2热敏打印头表面保护层。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 化学气相淀积 热敏打印头
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CVD金刚石薄膜热稳定性分析
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作者 苏堤 陈本敬 王秀琼 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1993年第3期272-276,共5页
应用 TG-DTA 热分析仪,对不同结构致密程度和结晶完好程度的热丝 CVD 金刚石薄膜样品进行热稳定性分析,并讨论了影响金刚石薄膜抗氧化能力的因素。
关键词 金刚石薄膜 热丝cvd 热重分析
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