Influence of La-Mn-Al Co-Doping on Dielectric Properties and Structure of BST Thick Film

A new sol-gel process is applied to fabricate the BST （BaxSr1-xTiO3） sol and nano-powder of La-Mn-Al co-doping with Ba/Sr ratio 65/35, and the BST thick film is prepared in the Pt/Ti/SiO2/Si substrate. The powder and thick film are characterized by X-ray diffraction and transmission electron microscope. The influence of La-Mn-Al co-doping on the dielectric properties and micro-structure of BST thick film is analyzed. The results show that the La, Mn, and Al ions can take an obvious restraint on the growth of BaSrTiO3 grains. The polycrystalline particles come into being during the crystallization of thick film, which may improve the uniformity and compactness of thick film. The influence of unequal-valence and doping amount on the leakage current, dielectric loss, and dielectric property are mainly discussed. The dielectric constant and dielectric loss of thick film are 1200 and 0.03, respectively, in the case of 1mol% La doping, 2mol% Mn doping, and 1mol% Al doping.

基于霍夫算法的薄膜印品墨层厚度研究

在印刷技术领域中,经常会因墨层厚度无法精准检测而产生印刷精度问题。现有的墨层厚度检测方法误差较大,为此本研究基于概率霍夫直线变换原理,提出了将激光三角测厚技术和图像处理技术相结合的墨层厚度检测方法。首先搭建墨层厚度检测系统平台,然后使用工业相机采集图像并处理采集的图像,最后基于概率霍夫直线变换方法获得激光偏移量,计算得到墨层厚度数值。本研究找到了适合该墨层厚度检测系统的激光入射角,并与传统测量方法进行对比测量实验。结果表明,测量误差小于3μm,验证了该方法能够有效测量透明薄膜印品墨层厚度。

制备工艺参数对氟碳树脂/铝粉涂层红外发射率的影响

为获得发射率较低的涂层,多集中在树脂与填料组分的筛选上,而涂层制备过程中的工艺参数对其发射率的影响研究较少,且未对各制备工艺间的相互影响作用进行分析。为此,选择铝粉作为金属填料,氟碳树脂作为黏合剂制备了低红外发射率涂层,先进行单因素试验,调控涂料的黏度(通过改变涂料中稀释剂添加量实现)、涂层的湿膜厚度以及固化温度,分析了3种工艺参数共同作用下对涂层中铝粉排布以及涂层红外发射率的影响。通过响应曲面法进一步分析了各工艺参数相互间的影响,并得到最优工艺参数组合,为涂层的实际制备过程做出指导。结果表明:3种工艺参数对涂层发射率的影响程度依次为涂料黏度>固化温度>湿膜厚度,在稀释剂添加量为78 g,膜层厚度为60μm,固化温度为73℃时,涂层在3~5μm波段的红外发射率为0.141,8~12μm波段的红外发射率为0.177。

碳纳米管场发射阴极的厚膜工艺研究

研究了制备碳纳米管 ( CNT)场发射阴极的厚膜工艺 ,通过浆料配方和烧结工艺等方面的探索 ,在 Si基底上制作了均匀、平整、场发射特性良好的 CNT厚膜。 CNT厚膜工艺研究表明 ,CNT浆料中银浆的最佳比例约为 4.2 % ,最佳烧结温度为 480℃ (空气中 ) ,才能保证厚膜有较强的附着力 ,CNT又不至于全部氧化。银浆比例过大 ,则使高电压时场发射电流明显下降 ,通过对 CNT厚膜的场发射特性测量得知 ,其开启电压为 2 .4V/μm,在 5 V/μm的电场下 ,场发射电流密度为 2 7.8μA/cm2 ,但发光显示情况不佳 ,通过使用含有机粘结剂的浆料 。

涂布工艺对厚膜涂布性能的影响

为了得到一定厚度的厚膜，并保证涂膜表面的平整性，分别采用刮涂法、网纹辊涂布法、以及丝网印刷法进行涂布，改变涂布框厚度、刮刀角度、网纹辊绕线直径、丝网目数和版膜厚度对UV涂布油进行涂布，测试涂布膜层的厚度及表面粗糙度，研究涂布工艺对膜层性能的影响。研究结果表明：采用刮涂法可获得较厚、表面较平整的涂膜，且刮刀角度在45°～60°范围内，另外，采用丝网印刷法也可得到性能较好的涂膜，但版膜厚度应很高。

陶瓷厚膜和薄膜混合电致发光器件

使用PbMg1/ 3Nb2 / 3O3 PbTiO3 PbCd1/ 2 W1/ 2 O3三元系电容器瓷料 ,采用流延工艺成膜 ,丝网印刷内电极 ,在 930～ 950℃下低温烧结的方法制备了陶瓷衬底。陶瓷厚膜在室温下的相对介电常数εr>1.4× 10 4 ,损耗tanδ≈ 1% ,具有极高的品质因素 (大于等于 80 μC/cm2 )。理论分析了电致发光器件的阈值电压与绝缘介质特性的关系。直接在陶瓷厚膜上制备了MIS结构和MISIM结构的以陶瓷厚膜为绝缘层的ZnS

一种通过光刻工艺实现细线宽的厚膜布线技术

采用传统厚膜布线工艺通常可实现150μm的线宽,而达到50μm以下的线宽是非常困难的。文章介绍了一种利用光刻技术结合厚膜工艺实现10～50μm线宽的技术,并给出了该项技术在实际产品中的应用实例。

铝层厚度对铝诱导非晶硅薄膜晶化过程的影响

基于铝诱导非晶硅薄膜固相晶化方法,利用直流磁控溅射离子镀技术制备了A l/S i/…A l/S i/glass周期性结构的薄膜。采用真空退火炉对A l/S i多层薄膜进行了500℃退火实验,通过透射电子显微镜(TEM)分析了退火前、后A l/S i多层薄膜截面形貌的变化规律,并结合扩散过程探讨了铝层厚度对铝诱导非晶硅薄膜晶化过程的本质影响机理。研究结果表明:在铝诱导非晶硅薄膜固相晶化过程中,随退火过程的进行,A l、S i原子会沿A l/S i层间界面进行互扩散运动且在S i层中达到临界浓度Cs的A l原子所在区域整体呈线形平行于A l/S i界面逐渐向铝原子扩散距离增大的方向推进;随着A l层厚度的增加,A l在S i层中达到临界浓度Cs的区域整体向前推进速度加快,已扩散区域产生硅初始晶核的数量也随之增大;随A l/S i层厚比的增大,虽因铝诱导而晶化的硅薄膜均为多晶态,但非晶硅薄膜在晶化过程中的生长晶面数量增多,同时硅晶粒的尺寸有所减小。

氧化锆球体上的铝膜机械球磨法制备及工艺研究

在氧化锆球体上用机械球磨法制备铝膜,采用SEM和EDS观察铝膜的显微形貌及成分,分析了铝涂层的形成过程,运用L9(34)正交试验研究了球磨时间、球磨转速和球料比等工艺参数对膜厚的影响规律。结果表明:球磨转速、球磨时间、球料比影响膜厚的极差依次减小;以球磨时间10 h、转速250 r/min、球料比7∶1参数制备的铝膜最厚,达到了50μm,且铝膜结构较致密,含氧量低、纯度高,与氧化锆球体机械结合良好。

平面磁控溅射薄膜厚度均匀性的研究概述

在平面磁控溅射镀膜系统中,薄膜厚度均匀性作为衡量薄膜质量和成膜系统性能的一项重要指标,得到了国内外学者们的广泛研究。本文以膜厚分布的理论模型为出发点,从工艺条件及模型参数两个方面,对靶与基片的位置关系、基片的运动方式、靶材的形状、溅射功率、工作气压、工作模式等各种影响以及改善薄膜厚度均匀性的因素进行了系统的归纳和陈述。最后对平面磁控溅射镀膜系统膜厚分布的研究进展进行总结并提出了展望。

基于CFD的刮板式薄膜蒸发器工艺计算及辅助设计系统

以VisualBasic6.0为开发工具,开发了薄膜蒸发器辅助设计系统。该系统包括设计计算、参数化绘图、结果输出及管理系统四大部分。通过对薄膜蒸发器内各料液进行CFD分析,针对高粘度物料提出了一种物料膜厚计算方法。以此为基础,综合考虑CFD数值模拟得出的最佳进料量要求,实现薄膜蒸发器的工艺计算。薄膜蒸发器辅助设计系统的开发,结束了长期以来工艺计算采用手工计算或工程放大估算的现状,有效地缩短设计周期,加快设备的推广和应用,进一步提高其研究水平。

粉末-溶胶法制备掺LaPZT0-3型厚膜

用粉末 -溶胶 0 - 3型厚膜技术制备出厚度为 10μm的 PL ZT厚膜。PL ZT超细陶瓷粉采用 sol- gel法制备 ,这样保证了其化学组分的准确 ,降低了合成温度。在 Pt底电极上 ,掺 L a PZT (PL ZT- 8/5 3/4 7)厚膜的择优取向为 [111]与 Pt的取向一致 ,而纯 PZT(PL ZT- 0 /5 3/4 7)厚膜的择优取向为 [10 0 ]。在同等工艺条件下 ,掺 L a PZT厚膜晶粒大于纯 PZT厚膜的晶粒。厚膜介电、铁电性能分别使用 HP4192 A低频阻抗分析仪和 ZT- 铁电材料参数测试仪进行测试 ,结果表明掺 L a PZT厚膜的频率特性较好 ,矫顽电场强度 Ec有显著降低。

液体粘性软启动过渡过程的研究

研究了液体粘性软启动传动装置在电动机启动过渡过程和液体粘性软启动过渡过程中的运动学和动力学特性。结果表明 ,初始油膜厚度以及油膜厚度的变化规律对大型重载设备软启动的特性有很大影响。

介质保护铝基高反膜的激光损伤特性研究

激光系统中高反膜的抗激光诱导损伤能力限制激光器有效输出功率的提高.实验采用阻蒸法制备Al膜,采用轮廓仪测试薄膜厚度,利用lambda950测试光谱特性,在激光损伤测试仪上测试薄膜的激光损伤阈值.分析了沉积温度和厚度对薄膜光学特性和抗激光损伤能力的影响.研究结果表明：在不同沉积温度下,采用阻蒸法制备单层Al膜,当沉积温度为200℃时,在1 000-1 400nm波段的平均反射率达到95.59%,加介质保护膜后反射率提高到98%;随着膜层厚度的增加,其抗激光损伤阈值先降低再升高,沉积温度为200℃时,加介质保护膜的铝膜损伤阈值是单层铝膜的2倍;经零几率损伤激光能量辐照后,样片在1 000-1 400nm范围内的平均反射率降低了1%.

润滑状态及其转化过程的测试方法

通过对多种润滑状态测试方法的比较研究 ,提出用R -C阻容振荡法来监测滚动轴承的润滑状态。将电容法与电阻法的优点结合起来 ,用阻容振荡法能实现对全膜润滑、混合润滑与边界润滑状态及其转化过程的监测 。

CVD金刚石厚膜焊接刀具的试验研究

提出一种制作CVD金刚石厚膜焊接刀具的新工艺。采用电子辅助化学气相沉积法 (EACVD)制备直径10 0mm、厚度 0 8～ 1mm的金刚石厚膜 ;通过对金刚石刀头表面进行金属化处理 (化学气相沉积W膜 ) ,改善了金刚石的耐高温性及与低熔点合金焊料的浸润性 ,可在大气环境下实现金刚石刀头与刀架的焊接。车削试验结果表明

微型笔直写制备厚膜阻性元件技术研究

为了实现电子元器件的快速制备,设计并实现了一种微型笔直写装置。利用该装置进行了电阻浆料的直写制备。研究了直写电阻元件的工艺特点、表面形貌和性能。得到了优化的工艺范围:笔头通径100～450μm,笔头到基板表面距离8～20μm,电阻高温烧结之后线宽100～500μm,膜厚5～15μm。所直写的电阻边缘整齐,表面较平整,烧结后,方阻约为0.92 kΩ/□。

中密度纤维板静电粉末喷涂工艺的最佳涂膜厚度研究

选择中密度纤维板静电粉末喷涂工艺试验涂膜厚度范围为80μm～200μm,分为6组,根据涂膜厚度与涂膜理化性能的关系,对每组工件的相关涂膜理化性能作相应的检测和分析,最终确定最佳涂膜厚度范围为160μm～180μm。

涂料颜色稳定性的工艺验证

讨论了涂料工艺验证时,涂料导电性、膜厚、底材等对颜色变化的影响,并用相应的方法进行试验,从而选出颜色稳定性好的涂料。

丝网印刷工艺制备高T_c Ba-Y-Cu氧化物超导厚膜

本文报道以化学共沉淀法制备 Ba-Y-Cu 氧化物粉料,用丝网漏印技术在兰宝石晶体和氧化铝陶瓷衬底号印刷成膜,经多段温度下的热处理,获得超导转变温度>90K、零电阻温度达84K 以上的超导材料膜。膜层厚度一般为20～50μm。扫描电镜观测表明,材料层致密、气孔很少。时效试验表明膜层超导电性相当稳定。该技术为超导材料膜的器件应用提供了一条途径。