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正/负双层光刻胶厚膜剥离技术
被引量:
3
1
作者
林立
韦书领
+2 位作者
杨春莉
刘理天
程绍椿
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期282-284,共3页
首次介绍一种正/负双层光刻胶厚膜剥离技术,采用在厚层正型光刻胶上涂薄层负型光刻胶的方法,在光刻胶的边缘形成顶层外悬的屋檐式结构,实现了10μm蒸发膜层的无高沿边缘剥离。对不同的剥离膜厚,选取合适的胶厚,可控制剥离膜的横向尺寸...
首次介绍一种正/负双层光刻胶厚膜剥离技术,采用在厚层正型光刻胶上涂薄层负型光刻胶的方法,在光刻胶的边缘形成顶层外悬的屋檐式结构,实现了10μm蒸发膜层的无高沿边缘剥离。对不同的剥离膜厚,选取合适的胶厚,可控制剥离膜的横向尺寸精度。10μm厚蒸发膜层的横向尺寸差可控制在5μm内。
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关键词
光刻
正/负双层光刻胶
屋檐式边缘结构
厚膜剥离
下载PDF
职称材料
题名
正/负双层光刻胶厚膜剥离技术
被引量:
3
1
作者
林立
韦书领
杨春莉
刘理天
程绍椿
机构
华北光电技术研究所
清华大学微电子所
出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期282-284,共3页
文摘
首次介绍一种正/负双层光刻胶厚膜剥离技术,采用在厚层正型光刻胶上涂薄层负型光刻胶的方法,在光刻胶的边缘形成顶层外悬的屋檐式结构,实现了10μm蒸发膜层的无高沿边缘剥离。对不同的剥离膜厚,选取合适的胶厚,可控制剥离膜的横向尺寸精度。10μm厚蒸发膜层的横向尺寸差可控制在5μm内。
关键词
光刻
正/负双层光刻胶
屋檐式边缘结构
厚膜剥离
Keywords
photolithography
positive/negative bi-layer resist
"eaves" edge structure
thick filmlift-off
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
正/负双层光刻胶厚膜剥离技术
林立
韦书领
杨春莉
刘理天
程绍椿
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2006
3
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