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Performance of Large Area Thin-Film CdTe Detector in Diagnostic X-Ray Imaging
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作者 Diana Shvydka , Xiance Jin E. Ishmael Parsai 《International Journal of Medical Physics, Clinical Engineering and Radiation Oncology》 2013年第3期98-109,共12页
Significant advancement in thin-film cadmium telluride (CdTe) deposition techniques in recent years has made this material attractive for the development of low-cost large area detector. Here we evaluate the intrinsic... Significant advancement in thin-film cadmium telluride (CdTe) deposition techniques in recent years has made this material attractive for the development of low-cost large area detector. Here we evaluate the intrinsic performance of the detector for a range of energies relevant to diagnostic imaging applications, such as fluoroscopy. The input x-ray spectra for a set of tube potentials ranging from 70 to 140 kVp were computed with the tungsten anode spectral model using interpolating polynomials (TASMIP) based on the measured output of our diagnostic x-ray simulator. Frequency-dependent detector performance analysis was conducted through Monte Carlo simulations of energy deposition within the detector. Intrinsic modulation transfer functions (MTF), noise power spectra (NPS), and detective quantum efficiencies (DQE) were computed for a set of CdTe detectors of varying thickness, from 100 to 1000 μm. MTF behavior at higher frequencies was affected by thickness and input energy, NPS increased with film thickness and energy, and the resultant DQE(f) decreased with increasing the input energy, but increased with the thickness of the detector. We found that the optimal thickness of CdTe under diagnostic x-ray beam is in the range of 300 to 600 μm. Physical properties of CdTe, such as the high atomic number and density, used in direct detection configuration, together with the recently established thin-film manufacturing techniques makes this technology a promising photoconductor for large area diagnostic flat panel imaging. 展开更多
关键词 MONTE Carlo CDTE detector PHOTOVOLTAIC thin film TASMIP DQE X-Ray Imaging
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Angle-sensitive and fast photovoltage of silver nanocluster embeded ZnO thin films induced by 1.064-μm pulsed laser 被引量:1
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作者 赵嵩卿 杨立敏 +3 位作者 刘闻炜 赵昆 周岳亮 周庆莉 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第8期559-562,共4页
Silver nanocluster embedded ZnO composite thin film was observed to have an angle-sensitive and fast photovoltaic effect in the angle range from -90° to 90° , its peak value and the polarity varied regularly... Silver nanocluster embedded ZnO composite thin film was observed to have an angle-sensitive and fast photovoltaic effect in the angle range from -90° to 90° , its peak value and the polarity varied regularly with the angle of incidence of the 1.064-μm pulsed Nd:YAG laser radiation onto the ZnO surface. Meanwhile, for each photovoltaic signal, its rising time reached -2 ns with an open-circuit photovoltage of -2 ns full width at half-maximum. This angle-sensitive fast photovoltaic effect is expected to put this composite film a candidate for angle-sensitive and fast photodetector. 展开更多
关键词 angle-sensitive detector ZnO thin film silver nanocluster fast photovoltage
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Dielectric Characteristics of Ba_(0.65)Sr_(0.35)TiO_3 Thin Films by Sol-Gel Method
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作者 刘桂君 胡文成 沈怡东 《Journal of Electronic Science and Technology of China》 2007年第1期47-49,90,共4页
Ferroelectric Ba0.65Sr0.35TiO3 (BST) thin films on the Pt/Ti/SiO2/Si substrate have been successfully prepared by sol-gel. Such films have approximately 300 nm thicknesses with a remnant polarization of about 2.95 ... Ferroelectric Ba0.65Sr0.35TiO3 (BST) thin films on the Pt/Ti/SiO2/Si substrate have been successfully prepared by sol-gel. Such films have approximately 300 nm thicknesses with a remnant polarization of about 2.95 μ℃/cm^2 and a coercive field of about 21.5 kV/cm. The investigations of X-ray diffraction and atomic force microscopy show that the BST films annealed at 650 ℃ exhibit a tetragonal structure and that the films dominantly consist of large column or grains of about 89 nm in diameter. The curves of the temperature dependence of dielectric coefficient in different frequencies display the curie transition at the temperature around 23 ℃. The dielectric loss tangent of BST thin fdms at 100 kHz is less than 0.04. As a result, the BST thin films are more applicable for fabrication of infrared detector compared with the BST thin films reported previously. 展开更多
关键词 BST thin films remnant polarization coercive field infrared detector
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晶格失配对InAs基室温中波红外探测器性能的影响
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作者 段永飞 张振宇 +1 位作者 陈泽中 胡淑红 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2023年第3期402-407,共6页
采用液相外延技术生长了InAs基室温红外探测器件材料,通过光学显微镜、扫描电子显微镜、X射线衍射仪分析了外延材料表面形貌、截面形貌与晶格失配的关系。分析发现,不恰当的晶体晶格常数匹配度会导致材料表面形貌变差,降低材料的结晶质... 采用液相外延技术生长了InAs基室温红外探测器件材料,通过光学显微镜、扫描电子显微镜、X射线衍射仪分析了外延材料表面形貌、截面形貌与晶格失配的关系。分析发现,不恰当的晶体晶格常数匹配度会导致材料表面形貌变差,降低材料的结晶质量,晶格失配在0.22%左右的InAs基外延材料表面形貌较好,缺陷少,晶体质量较好。在此基础上,成功制备出室温探测率D^(*)为6.8×10^(9)cm·Hz^(1/2)·W^(-1)的InAs基室温中波红外探测器,这一性能与国际上红外探测器领军企业美国Teledyne Judson Technologies和日本滨松株式会社的商用InAs基红外探测器性能处于同等水平。 展开更多
关键词 外延薄膜 半导体材料与器件 光伏探测器 红外材料与器件
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ZnO基紫外探测器的制作与研究 被引量:7
5
作者 杨晓天 刘博阳 +7 位作者 马艳 赵佰军 张源涛 杨天鹏 杨洪军 李万程 刘大力 杜国同 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期156-158,共3页
利用新型的等离子体辅助金属有机化学气相沉积(P-MOCVD)系统在蓝宝石、硅等衬底上生长出具有单一c轴取向、高阻的ZnO薄膜,利用添加的等离子体发生装置,进行氮掺杂获得高阻ZnO薄膜。利用ZnO的宽禁带与高光电导特性,结合MSM(金属-半导体-... 利用新型的等离子体辅助金属有机化学气相沉积(P-MOCVD)系统在蓝宝石、硅等衬底上生长出具有单一c轴取向、高阻的ZnO薄膜,利用添加的等离子体发生装置,进行氮掺杂获得高阻ZnO薄膜。利用ZnO的宽禁带与高光电导特性,结合MSM(金属-半导体-金属)结构器件响应度高、速度快、随偏压变化小、工艺简单、易于单片集成等优点,制作了ZnO基紫外探测器,器件规格为80 μm×100μm,电极为叉指式电极。测试中采用500 W的氙灯做测试光源,探测器的Ⅰ-Ⅴ特性曲线显示;正向偏压下探测器的暗电流及光照电流与外加偏压呈线性增长。不同波长下的响应曲线显示:探测器对紫外波段有响应,响应峰值在375nm附近。 展开更多
关键词 等离子体辅助金属有机化学气相沉积法 氧化锌薄膜 紫外探测器 半导体材料 禁带宽度
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红外探测器低频噪声长时间监测系统设计 被引量:15
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作者 胡为 庄奕琪 +1 位作者 包军林 赵启凤 《电子测量与仪器学报》 CSCD 北大核心 2015年第2期265-271,共7页
针对锰钴镍氧化物薄膜型红外探测器的结构特点,提出了一种红外探测器低频噪声长时间监测系统设计方案,并进行了测试验证。监测系统采用低噪声偏置电源激发红外探测器的低频噪声,然后将该低频噪声信号通过设计的高性能前置放大器放大,利... 针对锰钴镍氧化物薄膜型红外探测器的结构特点,提出了一种红外探测器低频噪声长时间监测系统设计方案,并进行了测试验证。监测系统采用低噪声偏置电源激发红外探测器的低频噪声,然后将该低频噪声信号通过设计的高性能前置放大器放大,利用基于PC的硬件平台采集放大后的噪声信号,最后通过编写的算法提取噪声信号的各种参量。实际测试结果表明,该监测系统能在10 k Hz的采样率下连续30 d不间断采集探测器的低频噪声,并实时计算噪声信号的峰峰值、均方值、功率谱密度等参数,频率分辨率可达到0.05 Hz。 展开更多
关键词 锰钴镍氧化物薄膜 红外探测器 低频噪声
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ZnO紫外光电导型探测器的制备与研究 被引量:3
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作者 冯士维 李瑛 +4 位作者 孙静莹 谢雪松 杨集 张跃宗 卢毅成 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第7期678-681,共4页
通过在MOCVD方法生长的ZnO薄膜上沉积Al/Au叉指状电极制得ZnO紫外光电导型探测器,对该探测器的欧姆接触特性、光电响应特性以及光谱响应特性进行了测试研究,并根据AES、XPS分析结果对测试结果进行了理论分析.结果表明,即使在未进行合... 通过在MOCVD方法生长的ZnO薄膜上沉积Al/Au叉指状电极制得ZnO紫外光电导型探测器,对该探测器的欧姆接触特性、光电响应特性以及光谱响应特性进行了测试研究,并根据AES、XPS分析结果对测试结果进行了理论分析.结果表明,即使在未进行合金工艺的情况下,非合金Al/ZnO金属体系与n型ZnO也可以形成良好的欧姆接触,正向偏压下,探测器的暗电流与光电流随外加偏压线性增加;探测器对紫外光潜具有明显的响应,其响应截止波长为368nm.XPS分析表明,在ZnO薄膜表面存在着一定的O空位和Zn间隙,非化学计量的O与Zn之比对器件的响应时间有影响. 展开更多
关键词 氧化锌 单品薄膜 紫外光探测器
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溶胶凝胶钽酸锂薄膜热释电红外探测器的设计与制备(英文) 被引量:6
8
作者 张德银 黄大贵 董政 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期113-118,共6页
在带微桥结构的石英玻璃基底上设计了一种新型Al-LiTaO3-ITO红外探测结构。在响应/参考双单元结构框架下,由振动、环境温度变化和日照变化引起的无效信号输出在前置放大电路处被消除掉了。用醋酸锂和乙醇钽作为起始反应物,通过溶胶... 在带微桥结构的石英玻璃基底上设计了一种新型Al-LiTaO3-ITO红外探测结构。在响应/参考双单元结构框架下,由振动、环境温度变化和日照变化引起的无效信号输出在前置放大电路处被消除掉了。用醋酸锂和乙醇钽作为起始反应物,通过溶胶凝胶工艺生成了对红外敏感的钽酸锂薄膜,并详细讨论了基于钽酸锂薄膜的红外探测器件制备工艺。用ITO衬底作下电极,蒸镀的Al点作上电极,在室温条件下测试了薄膜的介电特性,在1kHz处,介电常数为53.28,在40~10kHz内,介电损耗和介电系数呈下降趋势。器件的电压响应和比探测率测试结果表明75Hz处得到响应电压峰值9685V/W,器件的比探测率在70-100Hz区域保持在6.12×10^8cmHz^1/2 W^-1附近。 展开更多
关键词 钽酸锂薄膜 红外探测器 结构设计 溶胶凝胶
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TiO_2/ZnO薄膜紫外探测器的光电特性 被引量:8
9
作者 王怡 江伟 +2 位作者 邢光建 武光明 李东临 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期513-516,520,共5页
采用射频磁控溅射的方法制备了TiO2/ZnO复合薄膜,用XRD、SEM和UV-Vis分别表征TiO2/ZnO薄膜的晶体结构、表面形貌及其紫外-可见光吸收谱。并用此材料制备了Au/TiO2/ZnO/Au结构MSM光电导型薄膜紫外光探测器,研究其光电特性。实验结果表明,... 采用射频磁控溅射的方法制备了TiO2/ZnO复合薄膜,用XRD、SEM和UV-Vis分别表征TiO2/ZnO薄膜的晶体结构、表面形貌及其紫外-可见光吸收谱。并用此材料制备了Au/TiO2/ZnO/Au结构MSM光电导型薄膜紫外光探测器,研究其光电特性。实验结果表明,TiO2/ZnO紫外探测器在5 V偏压360 nm紫外光照下光电流约为500μA,其响应度为100 A/W,平均暗电流约为0.5μA;由于TiO2/ZnO复合薄膜之间的费米能级不同而形成的内建电场作用,减少了产生的光生电子与空穴的复合,得到较强的光电流,且其光响应的上升弛豫时间约为22 s,下降响应时间约为80 s;响应时间较长是由于广泛分布于薄膜中的缺陷而造成的。结果表明TiO2/ZnO可作为一种良好的紫外探测材料。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 TiO2/ZnO薄膜 MSM紫外探测器 光响应
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非制冷热释电薄膜红外探测器热绝缘结构的研制 被引量:4
10
作者 李靓 姚熹 张良莹 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期847-851,共5页
采用由多孔 Si O2 薄膜和过渡 Si O2 薄膜组成的复合薄膜结构实现了非制冷热释电薄膜红外探测器的热绝缘 .利用溶胶凝胶方法制备了多孔 Si O2 薄膜以及过渡 Si O2 薄膜 ,通过优化制备工艺 ,使得多孔 Si O2 一次成膜厚度达到30 70 nm ,... 采用由多孔 Si O2 薄膜和过渡 Si O2 薄膜组成的复合薄膜结构实现了非制冷热释电薄膜红外探测器的热绝缘 .利用溶胶凝胶方法制备了多孔 Si O2 薄膜以及过渡 Si O2 薄膜 ,通过优化制备工艺 ,使得多孔 Si O2 一次成膜厚度达到30 70 nm ,孔率达到 5 9% ;过渡 Si O2 一次成膜的厚度达到 1 88nm,孔率达到 4 % .AFM表明 ,由过渡 Si O2 薄膜与多孔Si O2 组成的复合薄膜结构的表面粗糙度远小于多孔 Si O2 薄膜的表面粗糙度 . 展开更多
关键词 热释电薄膜红外探测器 热绝缘结构 溶胶凝胶法 多孔 SIO2薄膜 过渡SiO2薄膜 PACC 0670D 0762
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Φ100 mm YBCO高温超导材料及应用研究 被引量:2
11
作者 关效贤 孙晶 +5 位作者 张亮 刘景和 朱忠丽 黄宗坦 曾德群 黄江平 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第z2期101-103,共3页
采用固相反应法制备适用于红外探测器的高Tc超导靶材(YBCO),直径100mm,性能为:Tc≥90K,d≥4.5g·cm-3,平整度≤0.5mm,平面度≤0.1mm,无分层和裂纹;通过直流磁控溅射制得YBCO/YSZ超导薄膜,其性能为:Tc≥90K,Jc(77K)>106A·cm... 采用固相反应法制备适用于红外探测器的高Tc超导靶材(YBCO),直径100mm,性能为:Tc≥90K,d≥4.5g·cm-3,平整度≤0.5mm,平面度≤0.1mm,无分层和裂纹;通过直流磁控溅射制得YBCO/YSZ超导薄膜,其性能为:Tc≥90K,Jc(77K)>106A·cm-2,ΔT<3K;以高Tc超导薄膜为灵敏元的十二元测辐射热计的技术指标为:响应波段1~3000μm,平均响应率R(500,12,1)>104V·W-1,平均噪声等效功率NEP<10-12W·Hz-1/2,平均探测率D (500,12,1)>2×109cm·Hz·1/2·W-1,完成了对红外、亚毫米波和3mm波成像的初步实验。 展开更多
关键词 稀土 YBCO高温超导体 YBCO超导薄膜 红外探测器
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用于微测辐射热探测器的纳米VO_2薄膜 被引量:6
12
作者 何少伟 黄鹰 +3 位作者 戴君 赖建军 王兴治 易新建 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期609-612,共4页
用离子束溅射和后退火工艺制备了一种适用于微测辐射热探测器热敏材料的新型纳米结构二氧化钒(VO_2)薄膜材料,薄膜具有平均粒度8 nm,在半导体相区具有电阻温度系数(TCR)为-7%/K,性能高于传统的VO_2材料(平均粒度为1-2μm,在半导体相区具... 用离子束溅射和后退火工艺制备了一种适用于微测辐射热探测器热敏材料的新型纳米结构二氧化钒(VO_2)薄膜材料,薄膜具有平均粒度8 nm,在半导体相区具有电阻温度系数(TCR)为-7%/K,性能高于传统的VO_2材料(平均粒度为1-2μm,在半导体相区具有TCR约为-2%/K).基于纳米结构的VO_2薄膜材料的器件比基于传统的VO_2薄膜材料具有更高的性能,而两者的噪声基本相当. 展开更多
关键词 无机非金属材料 纳米二氧化钒薄膜 非致冷红外探测器 电阻温度系数(TCR)
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非制冷型热释电薄膜红外探测器的制备及应用 被引量:2
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作者 刘少波 李艳秋 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期14-17,共4页
介绍了室温非制冷型热释电薄膜红外探测器的原理和优势。从热释电材料的选择及器件的结构设计等方面阐述了热释电薄膜红外探测器的制备技术和研究动向,并归纳了器件的主要应用领域。
关键词 热释电 薄膜 红外探测器 非制冷 性能参数
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锰钴镍氧浸没式探测器制备及性能 被引量:1
14
作者 周炜 欧阳程 +2 位作者 吴敬 高艳卿 黄志明 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期161-165,共5页
基于化学溶液法制备了尖晶石结构氧化物锰钴镍氧Mn1.56Co0.96Ni0.48O4(MCNO)薄膜材料,研究了其电学性质及红外器件的探测性能,包括器件的响应率,时间常数和探测率.制作了厚度为8μm的MCNO薄膜及红外热敏探测器件,测量了材料的阻值-温... 基于化学溶液法制备了尖晶石结构氧化物锰钴镍氧Mn1.56Co0.96Ni0.48O4(MCNO)薄膜材料,研究了其电学性质及红外器件的探测性能,包括器件的响应率,时间常数和探测率.制作了厚度为8μm的MCNO薄膜及红外热敏探测器件,测量了材料的阻值-温度曲线.制作了基于半球形锗透镜的浸没式MCNO薄膜探测器,具有时间常数较小(~18 ms),响应率高(~4.4×103V/W)和探测率高(~5×108cm·Hz0.5/W)的优点. 展开更多
关键词 尖晶石氧化物 薄膜 热敏探测器 浸没式
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高温超导GdBa_2Cu_3O_(7-δ)薄膜测辐射热型红外探测器研究 被引量:1
15
作者 姚久胜 王瑞兰 +4 位作者 宣毅 李宏成 樊江水 周燕 万云 《红外技术》 CSCD 北大核心 1998年第3期1-8,共8页
用高TcGdBa2Cu3O7-δ薄膜设计并研制了单元及2×2阵列型红外探测器。其中2×2阵列型器件的四个单元探测器的Tc值及R-T特性相差≤3%。使用500K黑体及He-Ne激光作为辐照源。单元及阵列器件最好... 用高TcGdBa2Cu3O7-δ薄膜设计并研制了单元及2×2阵列型红外探测器。其中2×2阵列型器件的四个单元探测器的Tc值及R-T特性相差≤3%。使用500K黑体及He-Ne激光作为辐照源。单元及阵列器件最好的结果为噪声等效功率NEP(500,10,1)分别为3.6×10-12和4.1×10-12W/Hz1/2,归一化探测率分别为1.6×1010和1.2×1010cmHz1/2/W;响应率分别为8.2×104和7.2×104V/W。 展开更多
关键词 超导薄膜 红外探测器 高温超导材料
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脉冲激光薄膜制备技术 被引量:19
16
作者 李美成 杨建平 +5 位作者 王菁 吴敢 李勇华 雷占许 赵连城 陈学康 《真空与低温》 2000年第2期63-70,共8页
脉冲激光薄膜沉积是近年来受到普遍关注的制膜新技术。简要介绍了脉冲激光薄膜沉积技术的物理原理、独具的特点和研究发展动态。
关键词 脉冲激光沉积 纳米薄膜 红外探测器 硅化铂薄膜
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面向定量化红外遥感的热电堆探测器定标技术 被引量:1
17
作者 张磊 郑小兵 +2 位作者 林志强 王骥 刘昌锦 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期45-49,54,共6页
从红外遥感信息定量化的发展要求出发,分析了测辐射热计、热电堆探测器和热释电探测器的响应特性,选择薄膜热电堆探测器TS-76作为传递标准探测器。搭建高精度光谱响应率定标系统,使用宽波段可调谐激光器和绝对低温辐射计对TS-76探测器... 从红外遥感信息定量化的发展要求出发,分析了测辐射热计、热电堆探测器和热释电探测器的响应特性,选择薄膜热电堆探测器TS-76作为传递标准探测器。搭建高精度光谱响应率定标系统,使用宽波段可调谐激光器和绝对低温辐射计对TS-76探测器的线性、空间均匀性以及重复性进行了标定。按照国际通用不确定度评估规范,对光谱响应率测量结果进行不确定度分析和评估,联合不确定度小于1.5%,并根据实验结果提出实现高精度中远红外辐射定标的技术方案,证明基于热电堆探测器的红外辐射定标技术可以有效缩短标准传递的链路,提高定标的精度。 展开更多
关键词 红外遥感 薄膜热电堆 红外探测器 红外辐射定标
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质谱薄膜联用小型气体泄漏检测仪研制 被引量:7
18
作者 赵忠 王荣宗 孙天辉 《中国空间科学技术》 EI CSCD 北大核心 1999年第4期46-49,66,共5页
传统的监测技术往往采用单一的方法或者采用质谱加色谱联用的技术, 设备大都比较笨重, 操作复杂。随着现代工业的发展, 急需研制体积小、质量轻的便携式仪器, 同时具备灵敏度高、分辨能力强、可靠性高等特点的检测仪。利用质谱检测... 传统的监测技术往往采用单一的方法或者采用质谱加色谱联用的技术, 设备大都比较笨重, 操作复杂。随着现代工业的发展, 急需研制体积小、质量轻的便携式仪器, 同时具备灵敏度高、分辨能力强、可靠性高等特点的检测仪。利用质谱检测的高分辨能力和敏感膜的高灵敏度, 文章提出了质谱加薄膜联用进行气体泄漏监测的全新思路,并主要论述了检测仪的研制和性能实验研究等内容,最后结合其在航天领域的应用, 对甲基肼、无水肼等气体进行了实际的监测。监测结果表明, 该检测仪对上述气体的检测浓度灵敏度达到了1×10- 6 , 可靠性也有了显著提高。 展开更多
关键词 气体检测器 质谱 薄膜 泄漏检测仪
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适用于非制冷焦平面探测器的氧化钒薄膜制备研究 被引量:1
19
作者 袁俊 太云见 +3 位作者 李龙 秦强 魏虹 任华 《红外技术》 CSCD 北大核心 2009年第6期334-336,341,共4页
氧化钒薄膜由于其具有高电阻温度系数(TCR),近年来被广泛应用于非制冷红外探测器。利用离子束增强沉积法,通过精确控制溅射电压、退火温度优化了氧化钒的制备工艺,制备出的氧化钒薄膜电阻为40kΩ、TCR为-2.5%K-1,满足非制冷焦平面探测... 氧化钒薄膜由于其具有高电阻温度系数(TCR),近年来被广泛应用于非制冷红外探测器。利用离子束增强沉积法,通过精确控制溅射电压、退火温度优化了氧化钒的制备工艺,制备出的氧化钒薄膜电阻为40kΩ、TCR为-2.5%K-1,满足非制冷焦平面探测器氧化钒薄膜的应用的要求。 展开更多
关键词 氧化钒 非制冷红外探测器 离子束增强沉积
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硅基PtSi纳米薄膜制备及应用研究进展 被引量:3
20
作者 李美成 殷景华 +4 位作者 蔡伟 赵连城 陈学康 杨建平 王菁 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期237-239,共3页
PtSi红外探测器是一种重要的光电器件.在军事和民用方面均起着非常重要的作用。高质量硅基PtSi 薄膜的制备是高性能器件研制的基础。本文介绍了溅射、分子束外延、脉冲激光沉积和激光分子束外延等制备PtSi 薄膜的方法。并... PtSi红外探测器是一种重要的光电器件.在军事和民用方面均起着非常重要的作用。高质量硅基PtSi 薄膜的制备是高性能器件研制的基础。本文介绍了溅射、分子束外延、脉冲激光沉积和激光分子束外延等制备PtSi 薄膜的方法。并评述了PtSi红外探测器的最新应用研究进展及发展趋势。 展开更多
关键词 红外探测器 纳米薄膜 脉冲激光沉积 激光分子束外延
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