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The Comparison of Thick and Thin Intermediate Wafer in Maxillary Le Fort I Osteotomies
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作者 Farnoush Mohammadi Naghmeh Bahrami Aref Darvishi 《International Journal of Clinical Medicine》 2018年第1期23-27,共5页
Background: Osteotomy wafers were routinely used in orthognathic surgery for repositioning the mobilized maxilla to achieve the planned final occlusion. Objectives: The aim of the current study was to determine compar... Background: Osteotomy wafers were routinely used in orthognathic surgery for repositioning the mobilized maxilla to achieve the planned final occlusion. Objectives: The aim of the current study was to determine comparison of thick and thin intermediate wafer in maxillary Le Fort I osteotomies. Methods: This study was done in 9 patients who had maxillary prognathism or retrognathism abnormality. The maxillary cast was oriented using articulator after facebow transfer. Then photographic and cephalometric data was used to determine proper dental arch segments. All 9 patients had Le Fort I combined with mandibular sagittal split osteotomies. The Le Fort I surgery was done on lateral, septum and medial sinus of nasal and trigomaxillary. The cast was removed from the base articulator and think and thick wafers were fabricated for each. Then the wafers were fixed in 1, 2 and 3 mm anterior (A1, A2 and A3, respectively). After mobilization of the maxilla and adequate bone removal, the jaws were held in occlusion with the thin intermediate wafer. The maxilla was then located against the stable part of the facial skeleton above using the yet unoperated mandible as an autorotated guide. Then the superior reposition >1 or Results: According to the results, the superior reposition was higher in thin wafers fixed in A3 > A2 compared to A1. Also, the same result was detected in thick wafers fixed in A3 > A2 compared to A1, respectively. However, there was no significant difference in both thin and thick wafers in each fixed locations. Conclusion: These results suggest thick wafers have acceptable results in maxillary Le Fort I osteotomies. 展开更多
关键词 THICK wafer thin wafer Le FORT I MAXILLARY OSTEOTOMY
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用于压电单晶薄膜晶圆制备的键合面清洗技术研究
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作者 刘善群 丁雨憧 +5 位作者 陈哲明 石自彬 龙勇 邹少红 庾桂秋 张莉 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第5期700-703,728,共5页
高性能薄膜声表面波滤波器对压电单晶薄膜晶圆键合面的洁净度提出了严苛的要求。目前采用的常规清洗技术对因离子注入后而残留的大量颗粒等污染物的去除效率低,导致键合晶圆存在较多气泡或者空洞,因此提出了一种采用硫酸与过氧化氢混合... 高性能薄膜声表面波滤波器对压电单晶薄膜晶圆键合面的洁净度提出了严苛的要求。目前采用的常规清洗技术对因离子注入后而残留的大量颗粒等污染物的去除效率低,导致键合晶圆存在较多气泡或者空洞,因此提出了一种采用硫酸与过氧化氢混合溶液(SPM)清洗和新型复合清洗液刷洗清洗技术的两步清洗法。采用此工艺后,晶圆表面的颗粒数由离子注入后的148000降到23,有效去除了晶圆键合面沾污、颗粒等污染物,显著提高了键合晶圆的质量。该清洗技术已成功应用于压电单晶薄膜晶圆LTOI材料的制备。 展开更多
关键词 压电单晶薄膜晶圆 清洗技术 离子注入 晶圆键合 表面洁净度
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晶圆级薄膜铌酸锂波导制备工艺与性能表征
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作者 叶志霖 李世凤 +5 位作者 崔国新 尹志军 王学斌 赵刚 胡小鹏 祝世宁 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第3期426-433,共8页
随着光子集成和光通信技术的快速发展,低损耗波导是实现高效光子传输的关键元件,其性能直接影响整个集成芯片的性能。因此,低损耗波导的制备技术是当前铌酸锂集成光子技术研究的热点和难点。本研究针对晶圆级低损耗薄膜铌酸锂波导的制... 随着光子集成和光通信技术的快速发展,低损耗波导是实现高效光子传输的关键元件,其性能直接影响整个集成芯片的性能。因此,低损耗波导的制备技术是当前铌酸锂集成光子技术研究的热点和难点。本研究针对晶圆级低损耗薄膜铌酸锂波导的制备工艺进行了深入研究,在4英寸的薄膜铌酸锂晶圆上,基于深紫外光刻和电感耦合等离子体刻蚀技术,成功制备出了传输损耗低于0.15 dB/cm的波导,同时刻蚀深度误差控制在10%以内,极大地提高了波导结构的精确度。此外,本研究还提出了一种基于微环谐振腔的晶圆上波导损耗的表征方案,能更精确地评估波导性能。通过测试,发现所制备的波导合格率超过85%,显示出良好的可重复性和可靠性。本文中发展的晶圆级薄膜铌酸锂加工工艺,对推进铌酸锂波导的大规模制备和应用具有重要意义。 展开更多
关键词 薄膜铌酸锂 晶圆级加工 波导损耗测量 深紫外光刻 ICP刻蚀 集成光子技术
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薄界面异质异构晶圆键合技术研究现状及趋势
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作者 王成君 杨晓东 +6 位作者 张辉 周幸叶 戴家赟 李早阳 段晋胜 乔丽 王广来 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第24期36-49,共14页
半导体产业对国防安全和国民经济发展意义重大,高端半导体装备也是国外对华技术封锁的重点领域。雷达探测、5G通信等领域所用的导体器件对大功率、高频率、高响应等性能要求越来越高,目前该类器件面临界面热阻高、传输损耗大和集成度低... 半导体产业对国防安全和国民经济发展意义重大,高端半导体装备也是国外对华技术封锁的重点领域。雷达探测、5G通信等领域所用的导体器件对大功率、高频率、高响应等性能要求越来越高,目前该类器件面临界面热阻高、传输损耗大和集成度低等技术瓶颈。开展超薄界面异质异构晶圆键合装备研发,大幅度降低键合界面热阻、提高互连密度和键合精度,是解决当前技术瓶颈、提高器件性能的重要途径。但由于核心零部件被国外垄断、设备整机技术攻关难度大,目前尚无成熟的国产异质异构晶圆键合装备,这就严重制约了我国新一代半导体器件的自主创新发展。本文梳理了超薄界面异质异构晶圆键合技术及典型工艺研究现状,并展望了超薄界面异质异构晶圆键合技术发展趋势。 展开更多
关键词 晶圆键合 超薄界面 异质异构 直接键合 金刚石基氮化镓微波功率器件
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管式PECVD工艺对“SE+PERC”晶体硅太阳电池镀膜均匀性的影响及改善研究
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作者 张福庆 张若凡 +2 位作者 王贵梅 胡明强 张鹏程 《太阳能》 2024年第6期41-50,共10页
针对在“SE+PERC”晶体硅太阳电池制备过程中,采用管式等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺沉积正面钝化介质膜后,硅片正面会出现角部发红色差,即镀膜均匀性异常的问题,通过实验,对硅片厚度、工器具状态、背面膜层结构、正面钝化介质... 针对在“SE+PERC”晶体硅太阳电池制备过程中,采用管式等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺沉积正面钝化介质膜后,硅片正面会出现角部发红色差,即镀膜均匀性异常的问题,通过实验,对硅片厚度、工器具状态、背面膜层结构、正面钝化介质膜沉积工艺等影响因素对硅片正面角部发红色差的影响分别进行分析和讨论,并提出解决方案。研究结果表明:硅片正面角部发红色差的产生与硅片自身厚度、工器具状态、背面膜层结构、正面钝化介质膜沉积工艺均存在一定关系。通过采用最具优势的管式PECVD工艺条件,即优化自动化装片技术、控制石墨舟形变量、采用合适的背面膜层结构,以及正面钝化介质膜沉积工艺采用高射频功率叠加高腔体压力,可将正面角部发红色差硅片的占比降低至0%,从而可有效提升“SE+PERC”晶体硅太阳电池的成品率,提升生产线的经济效益。 展开更多
关键词 管式等离子体增强化学气相沉积 “SE+PERC”太阳电池 硅片 沉积工艺 薄膜应力 石墨舟 射频功率 色差
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基于钽酸锂晶体薄片的红外探测器设计及应用 被引量:4
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作者 谭秋林 张文栋 +2 位作者 刘俊 薛晨阳 熊继军 《纳米技术与精密工程》 EI CAS CSCD 2011年第1期73-77,共5页
通过减薄、键合、抛光等技术加工成厚度达到10μm左右的超薄晶片,然后通过蒸金、黑化等处理技术将其制备成红外敏感元件.根据红外光谱吸收原理,为提高分辨率和选择性吸收性能,在敏感元件前段集成了窄带滤光片.制备的敏感元件与选用的窄... 通过减薄、键合、抛光等技术加工成厚度达到10μm左右的超薄晶片,然后通过蒸金、黑化等处理技术将其制备成红外敏感元件.根据红外光谱吸收原理,为提高分辨率和选择性吸收性能,在敏感元件前段集成了窄带滤光片.制备的敏感元件与选用的窄带滤光片,以及CMOS放大器与电阻和电容各一个都被封装和集成在一个TO-18型管壳内,最终被设计加工成为单一通道的红外探测器,其滤光片可根据要求的波带范围进行更换.利用两个吸收波长分别为(3 310±90)nm和(3 910±60)nm的单元探测器,设计并制作了一个微型气体传感器.该气体传感器能实现检测一些烃类气体,文中对乙烯气体进行了实验测试,并进行了实验数据分析.分析结果表明:这种气体传感器具备较好的检测气体浓度的能力,能检测的最大量程为30 000×10-6,达到分辨100×10-6的检测能力,且具有较好的重复性. 展开更多
关键词 钽酸锂 晶体薄片 红外吸收 气体传感器
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大尺寸硅片背面磨削技术的应用与发展 被引量:26
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作者 康仁科 郭东明 +1 位作者 霍风伟 金洙吉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第9期33-38,51,共7页
集成电路芯片不断向高密度、高性能和轻薄短小方向发展,为满足IC封装要求,图形硅片的背面减薄成为半导体后半制程中的重要工序。随着大直径硅片的应用,硅片的厚度相应增大,而先进的封装技术则要求更薄的芯片,超精密磨削作为硅片背面减... 集成电路芯片不断向高密度、高性能和轻薄短小方向发展,为满足IC封装要求,图形硅片的背面减薄成为半导体后半制程中的重要工序。随着大直径硅片的应用,硅片的厚度相应增大,而先进的封装技术则要求更薄的芯片,超精密磨削作为硅片背面减薄主要工艺得到广泛应用。本文分析了几种常用的硅片背面减薄技术,论述了的基于自旋转磨削法的硅片背面磨削的加工原理、工艺特点和关键技术,介绍了硅片背面磨削技术面临的挑战和取得的新进展。 展开更多
关键词 图形硅片 磨削技术 IC封装 硅片背面 减薄技术 加工原理
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微机电系统扭转微镜面驱动器的研制 被引量:8
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作者 李四华 刘玉菲 +1 位作者 高翔 吴亚明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期756-760,共5页
提出了一种新颖的采用键合减薄工艺制作的微机电系统扭转微镜面驱动器,该种微镜面驱动器工艺制作简便可行.通过对研制的微镜面驱动器进行测试,该驱动器在18V驱动电压时可以达到0.3°的扭转角度,微镜面的频率响应时间小于1ms.同时该... 提出了一种新颖的采用键合减薄工艺制作的微机电系统扭转微镜面驱动器,该种微镜面驱动器工艺制作简便可行.通过对研制的微镜面驱动器进行测试,该驱动器在18V驱动电压时可以达到0.3°的扭转角度,微镜面的频率响应时间小于1ms.同时该驱动器具有较大的微反射镜面,面积达到600μm×700μm,试验结果表明微镜面驱动器将可以应用于光通信领域. 展开更多
关键词 微机电系统 扭转微镜面 驱动器 键合减薄
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硅片背面减薄技术研究 被引量:8
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作者 江海波 熊玲 +2 位作者 朱梦楠 邓刚 王小强 《半导体光电》 CAS 北大核心 2015年第6期930-932,963,共4页
硅片背面磨削减薄工艺中,机械磨削使硅片背面产生损伤,导致表面粗糙,且发生翘曲变形。分别采用粗磨、精磨、精磨后抛光和精磨后湿法腐蚀等四种不同背面减薄方法对15.24cm(6英寸)硅片进行了背面减薄,采用扫描电子显微镜对减薄后的硅片表... 硅片背面磨削减薄工艺中,机械磨削使硅片背面产生损伤,导致表面粗糙,且发生翘曲变形。分别采用粗磨、精磨、精磨后抛光和精磨后湿法腐蚀等四种不同背面减薄方法对15.24cm(6英寸)硅片进行了背面减薄,采用扫描电子显微镜对减薄后的硅片表面和截面形貌进行了表征,用原子力显微镜测试了硅片表面的粗糙度,用翘曲度测试仪测试了硅片的翘曲度。结果表明,经过粗磨与精磨后的硅片存在机械损伤,表面粗糙且翘曲度大,粗糙度分别为0.15和0.016μm,翘曲度分别为147和109μm;经过抛光和湿法腐蚀后的样品无表面损伤,粗糙度均小于0.01μm,硅片翘曲度低于60μm。 展开更多
关键词 硅晶圆 背面减薄 损伤 抛光 湿法腐蚀
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面向超薄器件加工的临时键合材料解决方案 被引量:2
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作者 刘强 夏建文 +5 位作者 李绪军 孙德亮 黄明起 陈伟 张国平 孙蓉 《集成技术》 2021年第1期23-34,共12页
临时键合技术作为一项解决先进制造与封装的关键工艺,可为薄晶圆器件的加工提供一种高可靠性的解决方案。该文成功研发出热滑移解键合和紫外激光解键合两种不同解键合方式的临时键合材料。结果显示,与国外同类产品相比,热滑移临时键合材... 临时键合技术作为一项解决先进制造与封装的关键工艺,可为薄晶圆器件的加工提供一种高可靠性的解决方案。该文成功研发出热滑移解键合和紫外激光解键合两种不同解键合方式的临时键合材料。结果显示,与国外同类产品相比,热滑移临时键合材料WLP TB130和WLP TB140具有更高的耐热性,5%的热失重温度均大于400℃,同时也具有更好的耐化性,其中WLP TB140可在160℃实现低温解键合。紫外激光解键合材料为WLP TB4130与WLP LB210配合使用(WLP TB4130作为黏结层,WLP LB210作为激光释放层),超薄器件晶圆键合对通过激光解键合方式实现室温、无应力地与支撑晶圆分离。 展开更多
关键词 薄晶圆 临时键合 热失重 热滑移解键合 紫外激光解键合
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恒定电场声速引起压电振子设计上的误差分析 被引量:1
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作者 贺西平 胡时岳 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期156-157,共2页
推导晶堆的机电状态方程时 ,选用的是恒定电位移及恒定应力时的压电方程 ,最后设计计算时却又用的是恒定电场下的声速。文章通过对等效声速表达式的展开 ,分析了这种替代所带来的误差 ,并从电边界条件这个角度 ,阐明了这种替换的物理意义。
关键词 误差分析 压电振子 声速 恒定电场状态 换能器
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3D IC-TSV技术与可靠性研究 被引量:2
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作者 贾国庆 林倩 陈善继 《电子技术应用》 北大核心 2015年第8期3-8,共6页
对三维(3 Dimension,3D)堆叠集成电路的硅通孔(Through Silicon Via,TSV)互连技术进行了详细的介绍,阐述了TSV的关键技术与工艺,比如对准、键合、晶圆减薄、通孔刻蚀、铜大马士革工艺等。着重对TSV可靠性分析的重要性、研究现状和热应... 对三维(3 Dimension,3D)堆叠集成电路的硅通孔(Through Silicon Via,TSV)互连技术进行了详细的介绍,阐述了TSV的关键技术与工艺,比如对准、键合、晶圆减薄、通孔刻蚀、铜大马士革工艺等。着重对TSV可靠性分析的重要性、研究现状和热应力分析方面进行了介绍。以传热分析为例,实现简单TSV模型的热仿真分析和理论计算。最后介绍了TSV技术市场化动态和未来展望。 展开更多
关键词 3D-TSV 通孔 晶圆减薄 键合 热可靠性
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一种在片薄膜铂电阻温度传感器的校准方法 被引量:2
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作者 许晓青 李锁印 +3 位作者 刘晨 赵新宇 赵革艳 吴爱华 《计量学报》 CSCD 北大核心 2022年第12期1605-1609,共5页
在片薄膜铂电阻温度传感器以铂作为感温薄膜,采用半导体工艺制造,可以有效地监测晶圆片上的半导体器件温度。为了校准该类型温度传感器,根据其工作原理和结构特点,参考JJG 229-2010对校准装置的要求,提出了一种利用高低温探针台、八位... 在片薄膜铂电阻温度传感器以铂作为感温薄膜,采用半导体工艺制造,可以有效地监测晶圆片上的半导体器件温度。为了校准该类型温度传感器,根据其工作原理和结构特点,参考JJG 229-2010对校准装置的要求,提出了一种利用高低温探针台、八位半数字多用表以及直流探针组建校准装置的方法;通过组建校准装置,测量温度传感器在不同温度下的电阻值,得到电阻-温度特性的分度表;并对在片薄膜铂电阻温度传感器在25℃和125℃2个温度点进行校准。校准数据及校准结果验证表明,该方法切实可行,可有效解决无连接引线的在片铂薄膜电阻温度传感器的校准问题。该校准技术也可为其他类型感温元件的在片温度传感器校准提供参考依据。 展开更多
关键词 计量学 温度传感器 微传感器 在片薄膜 高低温探针台 校准方法
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8英寸薄层硅外延片的均匀性控制方法 被引量:9
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作者 张志勤 袁肇耿 薛宏伟 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第7期531-535,560,共6页
8英寸(1英寸=2.54 cm)薄层硅外延片的不均匀性是制约晶圆芯片良率水平的瓶颈之一。研究了硅外延工艺过程中影响薄外延层厚度和电阻率均匀性的关键因素,在保证不均匀性小于3%的前提下,外延层厚度和电阻率形成中间低、边缘略高的"碗... 8英寸(1英寸=2.54 cm)薄层硅外延片的不均匀性是制约晶圆芯片良率水平的瓶颈之一。研究了硅外延工艺过程中影响薄外延层厚度和电阻率均匀性的关键因素,在保证不均匀性小于3%的前提下,外延层厚度和电阻率形成中间低、边缘略高的"碗状"分布可有效提高晶圆的良率水平。通过调整生长温度和氢气体积流量可实现外延层厚度的"碗状"分布,但调整温区幅度不得超过滑移线的温度门槛值。通过提高边缘温度来提高边缘10 mm和6 mm的电阻率,同时提高生长速率以提高边缘3 mm的电阻率,获得外延层电阻率的"碗状"分布,8英寸薄层硅外延片的的边缘离散现象得到明显改善,产品良率也有由原来的94%提升至98.5%,进一步提升了8英寸薄层硅外延片产业化良率水平。 展开更多
关键词 8英寸硅外延片 薄层外延 外延层厚度 电阻率 不均匀性 “碗状”分布
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用激光干涉法分析薄膜应力 被引量:6
15
作者 胡一贯 乐德芬 陈宁伟 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1992年第2期204-208,共5页
本文叙述了激光干涉弯曲晶片薄膜应力测定法的原理。依据这一原理建立了薄膜应力分析系统,并实际分析了作为X射线掩模基膜的Si_3N_4膜中的应力。用Stoney公式计算出Si_3N_4膜的内应力为6.4×10~8dyn/cm^2。
关键词 薄膜 内应力 激光干涉 弯曲晶片法
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单晶铌酸锂薄膜的转移制备技术研究 被引量:1
16
作者 帅垚 李宏亮 +2 位作者 吴传贵 王韬 张万里 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2019年第7期7-12,共6页
以苯并环丁烯(Benzocyclobutene,BCB)作为键合层,采用离子注入剥离技术制备了Y36切型的单晶铌酸锂薄膜材料。经过对BCB键合层的前烘时间和退火曲线进行系统的研究,克服了由于铌酸锂和BCB之间热膨胀系数不匹配所导致的铌酸锂薄膜开裂问题... 以苯并环丁烯(Benzocyclobutene,BCB)作为键合层,采用离子注入剥离技术制备了Y36切型的单晶铌酸锂薄膜材料。经过对BCB键合层的前烘时间和退火曲线进行系统的研究,克服了由于铌酸锂和BCB之间热膨胀系数不匹配所导致的铌酸锂薄膜开裂问题,获得了高质量的Y36切型单晶铌酸锂薄膜材料。此外,通过在晶圆键合之前预先制备图形化的金属层,获得了带有下电极功能层的单晶铌酸锂薄膜,可应用于薄膜体声波谐振器等具有金属-绝缘层-金属结构的器件。 展开更多
关键词 铌酸锂薄膜 晶圆键合 离子注入剥离技术 BCB
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用于SAW器件制造的键合减薄技术 被引量:3
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作者 程进 刘卫国 +1 位作者 刘欢 郭伟进 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2013年第2期158-161,共4页
铌酸锂(LiNbO3)作为一种压电材料,常被用于声表面波(SAW)器件的压电层,通常LiNbO3晶片厚度为500μm,而实际上压电层的有效利用厚度为λ~2λ(λ为声表面波波长)。为能实现SAW器件的高度集成化,需用键合减薄及抛光技术对LiNbO3进行加工... 铌酸锂(LiNbO3)作为一种压电材料,常被用于声表面波(SAW)器件的压电层,通常LiNbO3晶片厚度为500μm,而实际上压电层的有效利用厚度为λ~2λ(λ为声表面波波长)。为能实现SAW器件的高度集成化,需用键合减薄及抛光技术对LiNbO3进行加工处理。用粒径100nm的SiO2抛光液对减薄后的铌酸锂晶体样品进行化学机械抛光,研究了抛光垫、抛光盘转速、压力及抛光时间对抛光过程的影响。抛光结果表明最佳抛光工艺参数是:采用阻尼布抛光盘,100nm的SiO2抛光液,转速为120r/min,压力为3.9N,抛光时间为40min。经测试样品厚度为80μm,样品的最小粗糙度Ra=0.468nm,Rq=0.593nm(Ra为算术平均粗糙度,Rq为均方根粗糙度)。 展开更多
关键词 铌酸锂(LiNbO3)晶片 键合减薄 声表面波(SAW)器件 抛光
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3D-TSV封装技术 被引量:9
18
作者 燕英强 吉勇 明雪飞 《电子与封装》 2014年第7期1-5,共5页
3D-TSV封装技术是实现多功能、高性能、高可靠且更轻、更薄、更小的系统级封装最有效的技术途径之一。3D-TSV封装关键技术包括:通孔制作、通孔薄膜淀积、磁控溅射、通孔填充、铜化学机械研磨、超薄晶圆减薄、芯片/晶圆叠层键合等。阐述... 3D-TSV封装技术是实现多功能、高性能、高可靠且更轻、更薄、更小的系统级封装最有效的技术途径之一。3D-TSV封装关键技术包括:通孔制作、通孔薄膜淀积、磁控溅射、通孔填充、铜化学机械研磨、超薄晶圆减薄、芯片/晶圆叠层键合等。阐述了每种关键技术的工艺原理、技术特点、应用范围及发展前景,关键设备、关键材料以及TSV在三维封装技术中的应用。 展开更多
关键词 3D-TSV封装 通孔 铜化学机械研磨 超薄晶圆减薄 芯片 晶圆叠层键合
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用于在片测试系统整体校准的电阻标准件 被引量:4
19
作者 丁晨 乔玉娥 +2 位作者 刘岩 翟玉卫 郑世棋 《中国测试》 CAS 北大核心 2019年第7期97-101,116,共6页
为解决在片测试系统中1~1000Ω电阻无法进行整体校准问题,通过采用GaAs材料作为衬底,利用半导体工艺中薄膜溅射法,使用轰击离子Ar+与靶材作用形成反应层,激发出的溅射原子NiCr打至GaAs表面,制作薄膜电阻.采用方块电阻为50Ω/块,通过调... 为解决在片测试系统中1~1000Ω电阻无法进行整体校准问题,通过采用GaAs材料作为衬底,利用半导体工艺中薄膜溅射法,使用轰击离子Ar+与靶材作用形成反应层,激发出的溅射原子NiCr打至GaAs表面,制作薄膜电阻.采用方块电阻为50Ω/块,通过调节长与宽的比值,研制出1~1000Ω电阻标准件.为消除电阻测量过程中芯片内部回路引线的影响,研制出相对应的短路器.通过组建具有温度控制系统的定标装置,在-40~100℃温度下对标准件进行定标,定标结果表明电阻标准件的阻值与温度具有良好的线性关系,短期重复性RSD优于0.05%,年稳定性RSD优于0.1%,可以有效解决现有在片测试系统低值电阻参数的整体校准问题. 展开更多
关键词 在片测试系统 校准 薄膜溅射法 电阻标准件 短路器
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基于多尺度估计理论的晶圆减薄工艺方差变化检测方法 被引量:1
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作者 刘飏 高文科 +1 位作者 张志胜 史金飞 《工业工程》 北大核心 2018年第3期75-81,共7页
晶圆减薄工艺是伴随芯片堆叠技术的发展而出现的新制造过程,其制造质量直接关系最终产品成品率。文章以堆叠芯片晶圆减薄工艺质量参数为研究对象,拟建立监控晶圆减薄工艺质量的完整方法。首先,以该道生产工序质量参数序列建立自回归滑... 晶圆减薄工艺是伴随芯片堆叠技术的发展而出现的新制造过程,其制造质量直接关系最终产品成品率。文章以堆叠芯片晶圆减薄工艺质量参数为研究对象,拟建立监控晶圆减薄工艺质量的完整方法。首先,以该道生产工序质量参数序列建立自回归滑动平均模型,用于表达该道生产工序的质量特征变化。然后,在此模型的基础上,使用多尺度估计理论对该模型进行滤波分解处理,获得质量参数时间序列的高频信号,提取该道质量变异的方差变化。最终,使用统计学上的累积和控制图对质量变异信号进行诊断分析,根据工序方差变化的起始位置,提前发现系统可能存在的质量变坏趋势。经试验数据验证,相比传统的检验方法,该方法有95%的概率可以提前预测产品质量发生变化。 展开更多
关键词 晶圆减薄工艺 自回归滑动平均模型 多尺度估计理论 累积和控制图 方差变点
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