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TiN薄膜常压化学气相沉积及动力学研究
1
作者 杨小毛 《韩山师范学院学报》 2000年第2期57-62,共6页
在玻璃基片温度400℃和650℃之间,讨论TiCl_4—NH_3;—N_2体系TiN常压化学气相沉积(APCVD)及动力学。在500—650℃温度范围内,TiN在高温玻璃表面沉积为反应物扩散控制,低于400℃为表面反应控制,其沉积速度明显受玻璃温度.反应物浓度和... 在玻璃基片温度400℃和650℃之间,讨论TiCl_4—NH_3;—N_2体系TiN常压化学气相沉积(APCVD)及动力学。在500—650℃温度范围内,TiN在高温玻璃表面沉积为反应物扩散控制,低于400℃为表面反应控制,其沉积速度明显受玻璃温度.反应物浓度和气体流速影响。 展开更多
关键词 TIN薄膜 氮化钛 化学气相沉积 氨 四氯化钛 动力学 镀膜玻璃
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