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Unveiling the pressure-driven metal–semiconductor–metal transition in the doped TiS_(2)
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作者 陈佳骏 吕心邓 +3 位作者 李思敏 但雅倩 黄艳萍 崔田 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第6期63-67,共5页
Conventional theories expect that materials under pressure exhibit expanded valence and conduction bands,leading to increased electrical conductivity.Here,we report the electrical properties of the doped 1T-TiS_(2) un... Conventional theories expect that materials under pressure exhibit expanded valence and conduction bands,leading to increased electrical conductivity.Here,we report the electrical properties of the doped 1T-TiS_(2) under high pressure by electrical resistance investigations,synchrotron x-ray diffraction,Raman scattering and theoretical calculations.Up to 70 GPa,an unusual metal-semiconductor-metal transition occurs.Our first-principles calculations suggest that the observed anti-Wilson transition from metal to semiconductor at 17 GPa is due to the electron localization induced by the intercalated Ti atoms.This electron localization is attributed to the strengthened coupling between the doped Ti atoms and S atoms,and the Anderson localization arising from the disordered intercalation.At pressures exceeding 30.5 GPa,the doped TiS_(2) undergoes a re-metallization transition initiated by a crystal structure phase transition.We assign the most probable space group as P2_(1)2_(1)2_(1).Our findings suggest that materials probably will eventually undergo the Wilson transition when subjected to sufficient pressure. 展开更多
关键词 high pressure transition metal dichalcogenides doped TiS_(2) electronic phase transition
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Lewis acid-doped transition metal dichalcogenides for ultraviolet–visible photodetectors
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作者 Heng Yang Mingjun Ma +6 位作者 Yongfeng Pei Yufan Kang Jialu Yan Dong He Changzhong Jiang Wenqing Li Xiangheng Xiao 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第9期628-635,共8页
Ultraviolet photodetectors(UV PDs)are widely used in civilian,scientific,and military fields due to their high sensitivity and low false alarm rates.We present a temperature-dependent Lewis acid p-type doping method f... Ultraviolet photodetectors(UV PDs)are widely used in civilian,scientific,and military fields due to their high sensitivity and low false alarm rates.We present a temperature-dependent Lewis acid p-type doping method for transition metal dichalcogenides(TMDs),which can effectively be used to extend the optical response range.The p-type doping based on surface charge transfer involves the chemical adsorption of the Lewis acid SnCl_(4)as a light absorption layer on the surface of WS_(2),significantly enhancing its UV photodetection performance.Under 365 nm laser irradiation,WS_(2)PDs exhibit response speed of 24 ms/20 ms,responsivity of 660 mA/W,detectivity of 3.3×10^(11)Jones,and external quantum efficiency of 226%.Moreover,we successfully apply this doping method to other TMDs materials(such as MoS_(2),MoSe_(2),and WSe_(2))and fabricate WS_(2) lateral p–n heterojunction PDs. 展开更多
关键词 two-dimensional(2D)materials p-type doping transition metal dichalcogenides PHOTODETECTORS
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Building surface defects by doping with transition metal on ultrafine TiO_2 to enhance the photocatalytic H_2 production activity 被引量:6
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作者 Qi‐Feng Liu Qian Zhang +2 位作者 Bing‐Rui Liu Shiyou Li Jing‐Jun Ma 《Chinese Journal of Catalysis》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期542-548,共7页
Inefficient charge separation and limited light absorption are two critical issues associated with high‐efficiency photocatalytic H2production using TiO2.Surface defects within a certain concentration range in photoc... Inefficient charge separation and limited light absorption are two critical issues associated with high‐efficiency photocatalytic H2production using TiO2.Surface defects within a certain concentration range in photocatalyst materials are beneficial for photocatalytic activity.In this study,surface defects(oxygen vacancies and metal cation replacement defects)were induced with a facile and effective approach by surface doping with low‐cost transition metals(Co,Ni,Cu,and Mn)on ultrafine TiO2.The obtained surface‐defective TiO2exhibited a3–4‐fold improved activity compared to that of the original ultrafine TiO2.In addition,a H2production rate of3.4μmol/h was obtained using visible light(λ>420nm)irradiation.The apparent quantum yield(AQY)at365nm reached36.9%over TiO2‐Cu,significantly more than the commercial P25TiO2.The enhancement of photocatalytic H2production activity can be attributed to improved rapid charge separation efficiency andexpanded light absorption window.This hydrothermal treatment with transition metal was proven to be a very facile and effective method for obtaining surface defects. 展开更多
关键词 Construction of surface defects Ultrafine TiO2 Low‐cost transition metal Surface doping Photocatalytic H2 production
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Doping-induced metal–N active sites and bandgap engineering in graphitic carbon nitride for enhancing photocatalytic H_(2 )evolution performance 被引量:6
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作者 Xiaohui Yu Haiwei Su +3 位作者 Jianping Zou Qinqin Liu Lele Wang Hua Tang 《Chinese Journal of Catalysis》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第2期421-432,共12页
Durable and inexpensive graphitic carbon nitride(g-C_(3)N_(4))demonstrates great potential for achieving efficient photocatalytic hydrogen evolution reduction(HER).To further improve its activity,g-C_(3)N_(4)was subje... Durable and inexpensive graphitic carbon nitride(g-C_(3)N_(4))demonstrates great potential for achieving efficient photocatalytic hydrogen evolution reduction(HER).To further improve its activity,g-C_(3)N_(4)was subjected to atomic-level structural engineering by doping with transition metals(M=Fe,Co,or Ni),which simultaneously induced the formation of metal-N active sites in the g-C_(3)N_(4)framework and modulated the bandgap of g-C_(3)N_(4).Experiments and density functional theory calculations further verified that the as-formed metal-N bonds in M-doped g-C_(3)N_(4)acted as an"electron transfer bridge",where the migration of photo-generated electrons along the bridge enhanced the efficiency of separation of the photogenerated charges,and the optimized bandgap of g-C_(3)N_(4)afforded stronger reduction ability and wider light absorption.As a result,doping with either Fe,Co,or Ni had a positive effect on the HER activity,where Co-doped g-C_(3)N_(4)exhibited the highest performance.The findings illustrate that this atomic-level structural engineering could efficiently improve the HER activity and inspire the design of powerful photocatalysts. 展开更多
关键词 g-C_(3)N_(4) Photocatalytic H_(2)generation metal-N active sites transition metal doping Band gap engineering
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Enhancing hydrogen evolution reaction performance of transition metal doped two-dimensional electride Ca_(2)N
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作者 Baoyu Liu Ziqiang Chen +5 位作者 Rui Xiong Xuhui Yang Yinggan Zhang Teng Xie Cuilian Wen Baisheng Sa 《Chinese Chemical Letters》 SCIE CAS CSCD 2023年第6期487-491,共5页
Two-dimensional electride Ca_(2)N has strong electron transfer ability and low work function,which is a potential candidate for hydrogen evolution reaction(HER)catalyst.In this work,based on density functional theory ... Two-dimensional electride Ca_(2)N has strong electron transfer ability and low work function,which is a potential candidate for hydrogen evolution reaction(HER)catalyst.In this work,based on density functional theory calculations,we adopt two strategies to improve the HER catalytic activity of Ca_(2)N monolayer:introducing Ca or N vacancy and doping transition metal atoms(TM,refers to Ti,V,Cr,Mn,Fe,Zr,Nb,Mo,Ru,Hf,Ta and W).Interestingly,the Gibbs free energyΔG_(H*)of Ca_(2)N monolayer after introducing N vacancy is reduced to-0.146 e V,showing good HER catalytic activity.It is highlighted that,the HER catalytic activity of Ca_(2)N monolayer can be further enhanced with TM doping,the Gibbs free energyΔG_(H*)of single Mo and double Mn doped Ca_(2)N are predicted to be 0.119 and 0.139 e V,respectively.The present results will provide good theoretical guidance for the HER catalysis applications of two-dimensional electride Ca_(2)N monolayer. 展开更多
关键词 Two-dimensional electride Ca_(2)N Density functional theory calculations Hydrogen evolution reaction transition metal doping
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钼表面Cu掺杂MoS_(2)催化层的制备及其电催化性能研究
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作者 张铭洋 赵一帆 +2 位作者 杨泰 夏超群 李强 《河北工业大学学报》 CAS 2024年第2期76-84,共9页
采用一步水热法在钼片表面原位合成过渡金属Cu掺杂的MoS_(2)催化层,比较不同比例Cu掺杂对催化层结构及电催化析氢性能的影响,讨论Cu掺杂用于提升电催化性能的作用机理。结果显示,过渡金属Cu掺杂对材料微观形貌有一定的影响,并且随着Cu... 采用一步水热法在钼片表面原位合成过渡金属Cu掺杂的MoS_(2)催化层,比较不同比例Cu掺杂对催化层结构及电催化析氢性能的影响,讨论Cu掺杂用于提升电催化性能的作用机理。结果显示,过渡金属Cu掺杂对材料微观形貌有一定的影响,并且随着Cu掺杂比例的提高,表面形貌逐渐细化均匀,形成纳米结构。Cu的引入对材料在0.5 mol/L H_(2)SO_(4)溶液中电催化性能有着较大的提升,仅需要183 mV的过电位即可达到10 mA∙cm^(-2)的电流密度。这种良好的电催化性能归因于以下3点:1)CuO/MoS_(2)异质结构改变了MoS_(2)电子结构,加速电子传递;2)导电基底及原位硫化工艺的使用有效减小了电荷转移电阻;3)纳米尺寸的片状结构对电化学活性面积的提高起到显著作用。综上所述,钼片表面原位合成Cu掺杂的MoS_(2)催化层制备方法简单,能够有效提高材料的电催化性能。 展开更多
关键词 MoS_(2) 原位硫化 电催化析氢 过渡金属掺杂 异质结构
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(Y_(2-x)Pb_(x))Ru_(2)O_(7)中金属-绝缘体转变调控研究
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作者 焦媛媛 《武汉科技大学学报》 CAS 北大核心 2024年第3期161-165,共5页
烧绿石结构的Y 2 Ru_(2)O_(7)表现为反铁磁Mott绝缘体基态,而具有相同结构的Pb_(2)Ru_(2)O_(6.5)则呈现顺磁金属基态。为深入理解此差异,本研究采用固相反应法合成(Y_(2-x)Pb_(x))Ru_(2)O_(7)系列多晶材料,并系统研究了Pb^(2+)掺杂浓度... 烧绿石结构的Y 2 Ru_(2)O_(7)表现为反铁磁Mott绝缘体基态,而具有相同结构的Pb_(2)Ru_(2)O_(6.5)则呈现顺磁金属基态。为深入理解此差异,本研究采用固相反应法合成(Y_(2-x)Pb_(x))Ru_(2)O_(7)系列多晶材料,并系统研究了Pb^(2+)掺杂浓度x对其晶体结构和电阻率、磁化率等物理性质的影响。结果表明,(Y_(2-x)Pb_(x))Ru_(2)O_(7)(0≤x≤2.0)材料在x=0.5时经历了金属-绝缘体转变。通过与类似结构的烧绿石氧化物对比后发现,Pb^(2+)替代Y^(3+)不仅引入了额外的载流子,其6s^(2)存在的孤对电子还可能增强费米面附近的态密度,这两个因素的综合作用可能是其出现金属-绝缘体转变的原因。该类4d/5d烧绿石氧化物为研究受到强烈几何挫折的关联电子奇异物性提供了关键的材料平台。 展开更多
关键词 烧绿石 金属-绝缘体转变 Pb^(2+)掺杂 Y_(2)Ru_(2)O_(7)
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过渡金属X(X=Cr、Mn、Fe、Tc、Re)掺杂Janus Ga_(2)SSe的第一性原理研究
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作者 张基麟 梁前 +1 位作者 钱国林 谢泉 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2024年第2期166-174,共9页
利用密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,研究过渡金属X(X=Cr、Mn、Fe、Tc、Re)原子掺杂Janus Ga_(2)SSe的磁性、电子性质及光学性质.研究表明:过渡金属掺杂Janus Ga_(2)SSe体系在Chalcogen-rich条件下有着比Ga-rich条件下更好的... 利用密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,研究过渡金属X(X=Cr、Mn、Fe、Tc、Re)原子掺杂Janus Ga_(2)SSe的磁性、电子性质及光学性质.研究表明:过渡金属掺杂Janus Ga_(2)SSe体系在Chalcogen-rich条件下有着比Ga-rich条件下更好的稳定性.其中Mn掺杂体系形成能在两种条件下皆为最低.本征Ga_(2)SSe是具有2.02 eV带隙的间接带隙半导体,在紫外区域有着很好的光伏吸收能力.与本征Ga_(2)SSe相比,Cr掺杂体系自旋向上通道出现杂质能级,自旋向上与向下通道不对称,呈磁矩为2.797μB铁磁性半金属.Mn掺杂体系在其自旋向上通道产生的杂质能级,呈磁矩为3.645μB的磁性P型半导体.Fe掺杂体系自旋向下通道产生的杂质能级,呈磁矩为3.748μB磁性P型半导体.在Tc与Re掺杂后,带隙皆由间接变直接带隙,呈无磁性的P型半导体.从光学性质来看,各掺杂体系与未掺杂Ga_(2)SSe在介电常数和折射系数上相比有着明显的增强,吸收系数在高能量区(3~10 eV)出现蓝移现象.有着在紫外探测器和光伏吸收领域潜在的应用前景. 展开更多
关键词 二维Janus Ga_(2)SSe 过渡金属掺杂 磁学性质 电子结构 光学性质
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3d过渡金属掺杂TiO_2纳米晶膜电极的光电化学研究 被引量:28
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作者 李卫华 乔学斌 +3 位作者 高恩勤 杨迈之 郝彦忠 蔡生民 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第10期1534-1538,共5页
应用原子力显微镜和X射线粉末法对 3d过渡金属离子Cr(Ⅲ ) ,Fe(Ⅲ ) ,Mn(Ⅱ ) ,Co(Ⅱ ) ,Ni(Ⅱ ) ,Cu(Ⅱ )和Zn(Ⅱ )掺杂TiO2 纳米晶粒 (简写为M3d TiO2 )作了表征 ,并用光电化学方法研究了M3d TiO2 纳米结构多孔膜电极 .实验结果表明 ,... 应用原子力显微镜和X射线粉末法对 3d过渡金属离子Cr(Ⅲ ) ,Fe(Ⅲ ) ,Mn(Ⅱ ) ,Co(Ⅱ ) ,Ni(Ⅱ ) ,Cu(Ⅱ )和Zn(Ⅱ )掺杂TiO2 纳米晶粒 (简写为M3d TiO2 )作了表征 ,并用光电化学方法研究了M3d TiO2 纳米结构多孔膜电极 .实验结果表明 ,M3d TiO2 纳米粒子的颗粒较均匀 ,粒径约为 1 5nm ,其晶型为锐钛矿和板钛矿的混晶 .在所研究的M3d TiO2 中 ,只有Zn2 + TiO2 电极的光电流大于未掺杂的TiO2 纳米结构多孔膜电极 .3d金属离子的掺杂引起各电极的光电流信号在一定波长范围内出现 p 展开更多
关键词 光电化学 TiO2纳米晶膜电极 太阳能电池
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P掺杂Co_(9)S_(8)@VS_(2)纳米管阵列的制备及其水性锌离子混合超级电容器性能研究 被引量:2
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作者 张浩 刘梦洁 +1 位作者 钱惠 张惠 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2022年第3期3136-3145,共10页
近年来,二硫化钒(VS_(2))作为一种具有二维层状结构的高表面活性的过渡金属硫化物而广泛地应用在锌离子电池(ZIBs)正极材料中。然而,VS_(2)的生长堆叠问题和低能量密度严重阻碍了其在储能设备中的应用。通过在Co_(9)S_(8)纳米管阵列(NT... 近年来,二硫化钒(VS_(2))作为一种具有二维层状结构的高表面活性的过渡金属硫化物而广泛地应用在锌离子电池(ZIBs)正极材料中。然而,VS_(2)的生长堆叠问题和低能量密度严重阻碍了其在储能设备中的应用。通过在Co_(9)S_(8)纳米管阵列(NTAs)表面包覆生长P掺杂VS_(2)纳米片的方式构建一种具有核壳异质结构的Co_(9)S_(8)@P-VS_(2) NTAs,从而有效地避免了大块VS_(2)纳米片的堆积生长,使得层状VS_(2)被分散包覆在纳米管的表面;而且P掺杂增强了Co_(9)S_(8)纳米管与VS_(2)纳米之间异质结的导电性,提升了其比容量,进而提高了能量密度。因此,得益于纳米核壳结构与P掺杂改性的协同作用,制备的Co_(9)S_(8)@P-VS_(2) NTAs在作为电容型正极与电池型锌负极组装成新型的锌离子混合超级电容器(ZHSCs)后获得了优异的电化学储能性能。前驱液中的磷源加入量为30μL/35 mL,2 mol/L ZnSO_(4)水系电解质中,Co_(9)S_(8)@P-VS_(2) NTAs(Co_(9)S_(8)@P-VS_(2)-30 NTAs)获得了一个高达6.72 F/cm^(2)的超高面积比电容(电流密度:2 mA/cm^(2)),远高于Co_(9)S_(8)@VS_(2) NTAs(2.98 F/cm^(2));在1.6 W/cm^(2)的功率密度下,其能量密度可以达到2.39 mWh/cm^(2);并且在1000个循环充放电后,其面积比容量仍能保持为初始比电容的74.26%,具有良好的循环稳定性。 展开更多
关键词 VS_(2) Co_(9)S_(8) P掺杂 过渡金属硫化物 核壳异质结构 锌离子混合超级电容器
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Ti,Nb和Zr掺杂对Ca(BH_4)_2·2NH_3储氢性能的影响
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作者 王娜 许保恩 +1 位作者 李晓艳 孟令鹏 《河北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2015年第1期46-52,共7页
基于密度泛函理论的第一性原理,研究了掺杂元素Ti,Nb和Zr取代Ca原子后对Ca(BH4)2·2NH3储氢性能的影响.通过计算体系的晶体结构、占位能、态密度及电子密度拓扑性质,分析了原子间的成键情况和结构稳定性.结果表明:Ti,Nb,Zr分别取代C... 基于密度泛函理论的第一性原理,研究了掺杂元素Ti,Nb和Zr取代Ca原子后对Ca(BH4)2·2NH3储氢性能的影响.通过计算体系的晶体结构、占位能、态密度及电子密度拓扑性质,分析了原子间的成键情况和结构稳定性.结果表明:Ti,Nb,Zr分别取代Ca(BH4)2·2NH3中的Ca原子,Ti取代最容易形成稳定结构,Zr次之,Nb最难形成.Ca(BH4)2·2NH3结构中,B—H,N—H键都以共价作用为主,且N—H键比B—H键作用强.掺杂原子取代后改变BH4基团的稳定性,同时掺杂原子对N作用增强,减弱NH3分子释放对脱氢的影响.Nb原子取代对B—H影响最大,最能改善Ca(BH4)2·2NH3体系的脱氢性能,使H更易脱去. 展开更多
关键词 储氢材料 Ca(BH4)2·2NH3 掺杂 脱氢性能 密度泛函理论
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氮掺杂石墨烯负载过渡金属催化CO_(2)RR的DFT研究
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作者 刘海龙 周震 程平 《广州化学》 CAS 2023年第5期62-66,I0004,共6页
设计了氮掺杂石墨烯负载四种过渡金属单原子催化剂用于CO_(2)RR(金属为Cu、Rh、Ir、Mn),考虑了5种氮配位(N_(1)、N_(2-1)、N_(2-2)、N_(3)和N_(4)),并通过第一性原理研究反应机理。自由能曲线显示Ir-N_(4)具有-0.323e V的低极限电位,通... 设计了氮掺杂石墨烯负载四种过渡金属单原子催化剂用于CO_(2)RR(金属为Cu、Rh、Ir、Mn),考虑了5种氮配位(N_(1)、N_(2-1)、N_(2-2)、N_(3)和N_(4)),并通过第一性原理研究反应机理。自由能曲线显示Ir-N_(4)具有-0.323e V的低极限电位,通过增加缺陷改性的Rh-N_(4)的CO_(2)RR性能也得到了改善。进一步通过Ir-N_(4)和Rh-N_(4)的差分电荷和态密度曲线分析吸附中间体COOH和金属原子之间的电荷转移和键合状态,发现金属原子和COOH之间的强烈相互作用形成了共价键,从而降低反应的总能量。本研究为设计高效的单原子CO_(2)RR催化剂提供了理论参考。 展开更多
关键词 氮掺杂石墨烯 CO_(2)RR 过渡金属 DFT 单原子催化剂
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过渡金属掺杂TiO_(2)纳米片的制备及其增强光催化性能研究 被引量:2
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作者 张丽娟 徐来 +2 位作者 毕佳敏 孙惠钰 乔儒 《浙江师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2023年第1期30-38,共9页
以钛酸四丁酯(TBOT)为反应物前驱体,采用溶剂热法制备了一系列过渡金属(TM=Mn,Co,Ni,Cu,Zn)掺杂TiO_(2)(TM-TiO_(2))纳米片状结构光催化材料.利用XRD,TEM,UV-Vis DRS,XPS等手段表征了材料的结构、形貌及光学特性.通过罗丹明B(RhB)降解... 以钛酸四丁酯(TBOT)为反应物前驱体,采用溶剂热法制备了一系列过渡金属(TM=Mn,Co,Ni,Cu,Zn)掺杂TiO_(2)(TM-TiO_(2))纳米片状结构光催化材料.利用XRD,TEM,UV-Vis DRS,XPS等手段表征了材料的结构、形貌及光学特性.通过罗丹明B(RhB)降解实验测试了上述材料的光催化活性并讨论了光催化作用机理.实验结果表明:与纯TiO_(2)相比,TM-TiO_(2)的光催化活性明显增强,不同的TM掺杂浓度对TM-TiO_(2)光催化性能的影响存在一定的差异,其中Cu-TiO_(2)表现出相较于其他4种过渡金属离子掺杂TiO_(2)更优的光催化性能.TM-TiO_(2)光催化性能的提高得益于离子掺杂在TiO_(2)晶格中引起的局部晶格畸变增强了TiO_(2)的光吸收能力,同时有效促进了光生电子与空穴的分离. 展开更多
关键词 TiO_(2) 纳米片 过渡金属掺杂 光催化性能 机理
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电化学氧还原反应合成H_(2)O_(2)碳基催化剂研究进展 被引量:3
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作者 何峰 张静静 +2 位作者 陈奕君 张建 王得丽 《储能科学与技术》 CAS CSCD 北大核心 2021年第6期1963-1976,共14页
电化学氧还原反应(ORR)合成H_(2)O_(2)是一种低成本、无污染的绿色合成方法。但是,ORR动力学缓慢,存在四电子ORR生成H2O的竞争反应,因此需要使用催化剂提升ORR的反应活性以及二电子ORR的选择性。近年来,碳基材料因价格便宜、来源广泛、... 电化学氧还原反应(ORR)合成H_(2)O_(2)是一种低成本、无污染的绿色合成方法。但是,ORR动力学缓慢,存在四电子ORR生成H2O的竞争反应,因此需要使用催化剂提升ORR的反应活性以及二电子ORR的选择性。近年来,碳基材料因价格便宜、来源广泛、调控方法多样,被广泛应用于该领域。本文首先简要介绍了电催化ORR合成H_(2)O_(2)的机理,并根据机理分析了影响电化学合成H_(2)O_(2)催化性能的关键因素。接着阐述了提升碳基ORR催化剂活性与二电子选择性的策略,并着重介绍了非金属原子掺杂碳材料和过渡金属氮碳材料。最后,总结了碳基催化剂在电化学合成H_(2)O_(2)中存在的问题和面临的挑战,对碳基催化剂在电合成H_(2)O_(2)中应用的发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 电化学合成 2电子氧还原反应 过氧化氢 掺杂碳材料 过渡金属氮碳催化剂
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掺Cr^(3+)和掺Co^(2+)氧化钇稳定立方氧化锆晶体的电子结构
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作者 张波 邱元武 +3 位作者 沈国土 何文键 杨宝成 刘建成 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1993年第1期12-14,共3页
用自旋极化的电荷密度自洽离散变分 X_α(SCC-DV-X_α)方法计算了掺 Cr^(3+)和掺 Co^(2+)氧化钇稳定立方氧化锆晶体的电子结构,计算值与实验值一致.
关键词 氧化锆 晶体 YSZ 电子结构
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Transition metaldoping effect and high catalytic activity of CeO_(2)-TiO_(2) for chlorinated VOCs degradation 被引量:3
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作者 Yijun Shi Xiaolin Guo +1 位作者 Zhinan Shi Renxian Zhou 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第5期745-752,I0003,共9页
A series of transition metals(Fe,Co,Ni,Cu,Cr and Mn)-doped CeO_(2)-TiO_(2) catalysts were prepared by the sol-gel method and applied for the catalytic removal of 1,2-dichloroethane(DCE) as a model for chlorinated VOCs... A series of transition metals(Fe,Co,Ni,Cu,Cr and Mn)-doped CeO_(2)-TiO_(2) catalysts were prepared by the sol-gel method and applied for the catalytic removal of 1,2-dichloroethane(DCE) as a model for chlorinated VOCs(CVOCs).The various characterization methods including X-ray diffraction(XRD),N_(2) adsorption-desorption,UV-Raman,NH_(3) temperature-programmed desorption(NH_(3)-TPD) and H_(2) temperature-programmed reduction(H_(2)-TPR) were utilized to investigate the physicochemical properties of the catalysts.The results show that doping Fe,Co,Ni or Mn can obviously promote the activity of CeO_(2)-TiO_(2) mixed oxides for DCE degradation,which is related to their improved texture properties,acid sites(especially for strong acidity) and low-temperature reducibility.Particularly,CeTi-Fe doped with moderate Fe exhibits excellent activity for 1,2-dichloroethane(DCE) degradation,giving a T_(90%) value as low as 250℃.More importantly,only trace chlorinated byproducts were produced during the low-temperature degradation of various CVOCs(dichloromethane(DCM),trichloroethylene(TCE) and chlorobenzene(CB)) over CeTi-Fe1/9 catalyst with high durability. 展开更多
关键词 transition metals doping CeO_(2)-TiO_(2)mixed oxides CVOCs degradation High activity Excellent durability Rare earths
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过渡金属掺杂MoS_(2)析氢性能研究 被引量:1
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作者 黄洛 张楠 江瑞斌 《陕西师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2023年第4期55-62,共8页
采用密度泛函理论研究了不同过渡金属掺杂对MoS_(2)析氢性能的影响。分析了掺杂元素为第4周期过渡金属时,掺杂对MoS_(2)的平面、Mo边缘及S边缘析氢性能的影响。结果表明:本征MoS_(2)的边缘析氢性能远优于平面析氢性能,而S边缘的析氢性... 采用密度泛函理论研究了不同过渡金属掺杂对MoS_(2)析氢性能的影响。分析了掺杂元素为第4周期过渡金属时,掺杂对MoS_(2)的平面、Mo边缘及S边缘析氢性能的影响。结果表明:本征MoS_(2)的边缘析氢性能远优于平面析氢性能,而S边缘的析氢性能高于Mo边缘。无论掺杂还是表面吸附过渡金属原子均提高了MoS_(2)平面的析氢性能,但是不同元素掺杂对S边缘和Mo边缘析氢性能的影响不同,计算结果表明Co掺杂MoS_(2)的平面、S边缘、Mo边缘具有最优的析氢性能,氢吸附的自由能变化分别为0.01 eV、-0.03 eV和0.07 eV。 展开更多
关键词 过渡金属掺杂 MoS_(2) 析氢反应 自由能 第一性原理计算
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Sn掺杂NaNi_(1/3)Fe_(1/3)Mn_(1/3-x)Sn_(x)O_(2)正极材料制备及其电化学性能
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作者 张浩然 车海英 +7 位作者 郭凯强 申展 张云龙 陈航达 周煌 廖建平 刘海梅 马紫峰 《储能科学与技术》 CAS CSCD 北大核心 2022年第6期1874-1882,共9页
O_(3)型NaNi_(1/3)Fe_(1/3)Mn_(1/3)O_(2)材料因兼具高容量特性和稳定的结构,已被认为是率先进入产业化的层状结构过渡金属氧化物正极材料之一。然而,该过渡金属氧化物正极材料的循环稳定性及倍率性能有待进一步提高。本工作制备一种Sn... O_(3)型NaNi_(1/3)Fe_(1/3)Mn_(1/3)O_(2)材料因兼具高容量特性和稳定的结构,已被认为是率先进入产业化的层状结构过渡金属氧化物正极材料之一。然而,该过渡金属氧化物正极材料的循环稳定性及倍率性能有待进一步提高。本工作制备一种Sn掺杂NaNi_(1/3)Fe_(1/3)Mn_(1/3-x)Sn_(x)O_(2)正极材料。结构表征发现,适量的Sn掺杂不改变NaNi_(1/3)Fe_(1/3)Mn_(1/3)O_(2)材料的R3m空间群O_(3)型层状结构,同时Sn取代部分Mn可使层间距增大,增强Na^(+)扩散能力,减少嵌/脱钠过程对结构的破坏,但会使TM—O键长收缩,从而增强过渡金属层的结构稳定性。TEM测试表明,Sn掺杂的NaNi_(1/3)Fe_(1/3)Mn_(1/3)O_(2)材料呈现出更完善的层状晶格结构,这在一定程度上抑制了晶格畸变。同时,Sn掺杂可提高正极材料的氧化还原反应可逆性,并可能减少有利相变P相的损失。电化学性能测试表明,当Sn掺杂计量比为0.02时的NaNi_(1/3)Fe_(1/3)Mn_(1/3-0.02)Sn_(0.02)O_(2)材料电化学性能最佳。在2~4 V充放电区间下,0.2 C倍率电流首次放电比容量为139.1 mAh/g。在8 C倍率下放电比容量达110.5 mAh/g、200圈循环后的容量保持率为80.1%。本研究揭示了Sn的作用机理,对设计高倍率性能和高循环稳定性的正极材料具有一定普遍意义。 展开更多
关键词 钠离子电池 NaNi_(1/3)Fe_(1/3)Mn_(1/3)O_(2)正极材料 Sn掺杂 层状结构过渡金属氧化物
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过渡金属(Ni)掺杂ZnV_(2)O_(4)的第一性原理计算
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作者 刘兴旺 罗姣莲 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2023年第1期164-170,共7页
采用基于密度泛函理论下的MS软件模拟了过渡金属Ni掺杂ZnV_(2)O_(4)前后的能带结构、态密度以及光学性质.结果表明:ZnV_(2)O_(4)具有间接的光学跃迁且能带间隙为0.355 eV,Ni掺杂后能带间隙增加为0.785 eV,且带隙类型不变,引入的Ni-3d轨... 采用基于密度泛函理论下的MS软件模拟了过渡金属Ni掺杂ZnV_(2)O_(4)前后的能带结构、态密度以及光学性质.结果表明:ZnV_(2)O_(4)具有间接的光学跃迁且能带间隙为0.355 eV,Ni掺杂后能带间隙增加为0.785 eV,且带隙类型不变,引入的Ni-3d轨道电子对ZnV_(2)O_(4)的价带和导带组成提供了较大贡献.光学性质结果表明ZnV_(2)O_(4)为一种低介电材料,在可见光区的吸收系数和折射率较低,主要表现为紫外吸收.掺杂Ni后,在可见光区的吸收特性和光电导率均增大,有效改善了ZnV_(2)O_(4)在可见光区的光电性能. 展开更多
关键词 ZnV_(2)O_(4) 掺杂 第一性原理 过渡金属 电子结构 光学性质
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单层MXene纳米片Ti_(2)N电磁特性的过渡金属(Sc、V、Zr)掺杂效应
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作者 周庭艳 赵敏 +3 位作者 杨昆 贾维海 黄海深 吴波 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第1期92-97,共6页
二维材料MXene纳米片由于具有较大的比表面积和较高的电子迁移率而受到广泛的关注。本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,对单层MXene纳米片Ti_(2)N电磁特性的过渡金属(Sc、V、Zr)掺杂效应进行了系统研究。结果表明,所有过渡金属... 二维材料MXene纳米片由于具有较大的比表面积和较高的电子迁移率而受到广泛的关注。本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,对单层MXene纳米片Ti_(2)N电磁特性的过渡金属(Sc、V、Zr)掺杂效应进行了系统研究。结果表明,所有过渡金属掺杂体系结合能均为负值,结构均稳定;其中Ti_(2)N-Sc体系的形成能为-2.242 eV,结构更易形成,且保持稳定;掺杂后Ti_(2)N-Sc、Ti_(2)N-Zr体系磁矩增大;此外,Ti_(2)N-Sc体系中保留了较高的自旋极化率,达到84.9%,可预测该体系在自旋电子学中具有潜在的应用价值。 展开更多
关键词 MXene纳米片 第一性原理 Ti_(2)N 电磁特性 过渡金属 掺杂 自旋极化率 Ti_(2)N-Sc
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