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SiO_2-Al_2O_3-SiO_2光子晶体缺陷腔的折射率传感特性 被引量:8
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作者 陈颖 卢波 范卉青 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期115-121,共7页
为了提高光子晶体折射率传感器的灵敏度和品质因数,提出了一种基于表面波谐振原理的缺陷态光子晶体-棱镜耦合传感结构。通过分层传输矩阵法对该结构建立传感理论模型,得出古斯汉欣位移与谐振波长的变化关系,从而建立谐振波长与待测样本... 为了提高光子晶体折射率传感器的灵敏度和品质因数,提出了一种基于表面波谐振原理的缺陷态光子晶体-棱镜耦合传感结构。通过分层传输矩阵法对该结构建立传感理论模型,得出古斯汉欣位移与谐振波长的变化关系,从而建立谐振波长与待测样本折射率的关系模型。以SiO2-Al2O3-SiO2作为缺陷腔来代替传统表面等离子体共振(SPR)传感器中的金膜,构成折射率敏感层;采用Al2O3作为吸收层,从而在反射光谱中得到谐振缺陷峰,通过缺陷峰值的漂移实现待测样本折射率的动态监测;以乙二醇溶液为待测样本,对该折射率传感结构的Q值及灵敏度进行了分析。结果表明,其灵敏度约为3596nm·RIU-1(RIU为相对折射率单位),Q值约为1087.7,证明了结构设计的有效性,并可为高灵敏度和高Q值折射率传感器的设计提供一定的理论指导。 展开更多
关键词 传感器 缺陷态光子晶体 表面波谐振 折射率传感 分层传输矩阵法
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New de-embedding structures for extracting the electrical parameters of a through-silicon-via pair
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作者 周静 万里兮 +5 位作者 李君 王惠娟 戴风伟 Daniel Guidotti 曹立强 于大全 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2013年第4期80-86,共7页
Two innovative de-embedding methods are proposed for extracting an electrical model for a through- silicon-via (TSV) pair consisting of a ground-signal (GS) structure. In addition, based on microwave network theor... Two innovative de-embedding methods are proposed for extracting an electrical model for a through- silicon-via (TSV) pair consisting of a ground-signal (GS) structure. In addition, based on microwave network theory, a new solution scheme is developed for dealing with multiple solutions of the transfer matrix during the process of de-embedding. A unique solution is determined based on the amplitude and the phase characteristic of S parameters. In the first de-embedding method, a typical "π" type model of the TSV pair is developed, which illustrates the need to allow for frequency dependence in the equivalent TSV pair Spice model. This de-embedding method is shown to be effective for extracting the electrical properties of the TSVs. The feasibility of a second de-embedding method is also investigated. 展开更多
关键词 through-silicon vias de-embedding structure microwave network multiple solutions transmissionmatrix equivalent circuit
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