单芯片大功率RFLDMOS晶体管设计与实验

传统射频LDMOS晶体管的源区采用重掺杂p+sinker结构,该结构会占据较大的芯片面积。文中采用槽型sinker结构,可将源区sinker面积减少1/3以上。通过流片实验,得到饱和电流为170 mA/mm、击穿电压120 V、截止频率和最大振荡频率分别为5.5 GHz和10 GHz的RF LDMOS器件。在50 V工作电压、1 090 MHz频点下栅宽345 mm单芯片器件的最大输出功率362 W,功率增益15.6 dB,漏极效率38.1%。