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Design and Analysing the Various Parameters of CMOS Circuit’s under Bi-Triggering Method Using Cadence Tools
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作者 A. Sridevi V. Lakshmiprabha N. Prabhu 《Circuits and Systems》 2016年第9期2622-2632,共12页
Reducing the power and energy required by the device/circuit to operate is the main aim of this paper. Here the new design is implemented to reduce the power consumption of the device using the triggering pulses. The ... Reducing the power and energy required by the device/circuit to operate is the main aim of this paper. Here the new design is implemented to reduce the power consumption of the device using the triggering pulses. The proposed triggering method uses a complementary MOS transistor (pMOS and nMOS) as a voltage divider and ground leakage suppressor (i.e.);these designs are named as Trig01 and Trig10 designs. In Trig01 design the pair of CMOS is placed in the voltage divider part;similarly in Trig10 design the pair of CMOS is placed at the ground leakage suppressor part. Standard CMOS gates like NOT, NAND, NOR, EX-OR etc. are designed with these technologies and these gates are designed with 180 nm technology file in the cadence tool suite;compared to the normal CMOS gates, the Bi-Trig gate contains 4 inputs and 2 outputs. The two extra inputs are used as Bi-Trig control signaling inputs. There are 2 control inputs and thus 2<sup>2</sup> = 4 combination of controlling is done (i.e.);both pMOS and nMOS are ON, both pMOS and nMOS are OFF, pMOS ON and nMOS OFF and pMOS ON and nMOS ON. Depending on the usage of the circuit, the mode of operation is switched to any one of the combination. If the output of the circuit is not used anywhere in the total block, that specified circuit can be switched into idle mode by means of switched OFF both the pMOS and nMOS transistor in the control unit. This reduces the leakage current and also the power wastage of the circuits in the total block. Bi-Trig controlled circuit reduces the power consumption and leakage power of the circuit without affecting a performance of the circuits. 展开更多
关键词 Bi-triggering Power Analysis Energy Analysis circuit Simulation Delay Analysis Sub Clock Method
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按键式密码电子锁电路的设计
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作者 王彦勇 刘艳萍 《山西电子技术》 2024年第4期4-7,共4页
数字电路的设计在计算机、电子和自动化等专业中占据着非常重要的地位,另一方面,现代的教育理念要求加强对学生分析能力、实践动手能力和创新应用能力的培养。为了更好地将理论知识与实践结合起来,详细地阐述了利用集成芯片和门电路设... 数字电路的设计在计算机、电子和自动化等专业中占据着非常重要的地位,另一方面,现代的教育理念要求加强对学生分析能力、实践动手能力和创新应用能力的培养。为了更好地将理论知识与实践结合起来,详细地阐述了利用集成芯片和门电路设计生活中常见的电子密码锁设计过程,包括核心器件触发器的选择、通过几种方案的比较确定最优设计方案、密码锁的工作过程及相关电路的设计。通过实验室实验验证,增强了学生对电路的感性认识,提高了学生的学习兴趣与效率。 展开更多
关键词 数字电路 密码锁 D触发器
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基于级间自触发Marx电路的高压阻尼振荡发生器
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作者 陈玉峰 王庆峰 +1 位作者 李相强 张健穹 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期15-23,共9页
为了增大输出电压的同时减小高压阻尼振荡发生器的体积和降低其成本,建立了一种4×4级间自触发Marx结构的阻尼振荡发生器模型。该模型每级的主开关采用基于电容触发方式的串联IGBT模块,只需提供一路隔离信号控制一级放电开关管的导... 为了增大输出电压的同时减小高压阻尼振荡发生器的体积和降低其成本,建立了一种4×4级间自触发Marx结构的阻尼振荡发生器模型。该模型每级的主开关采用基于电容触发方式的串联IGBT模块,只需提供一路隔离信号控制一级放电开关管的导通和关断,通过级间电容实现对相邻级放电管的栅极自动充电和放电,使其导通和关断。该模型提高了Marx单级的工作电压和简化了每级的驱动电路,并且通过加入缓冲电路,解决开关管动态、静态均压问题。基于这种拓扑结构搭建了一台高压阻尼振荡发生器样机,在电感负载上输出16 kV、振荡频率1 MHz的阻尼振荡波形,波形上升时间约为75 ns,重复频率500 Hz。样机体积小巧、工作稳定,验证了该方案的可行性。 展开更多
关键词 自触发 串联IGBT MARX电路 阻尼振荡发生器 高压
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基于SCR的ESD器件低触发电压设计 被引量:8
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作者 李冰 杨袁渊 董乾 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期561-565,共5页
设计和验证了三种低电压触发的SCR结构ESD保护电路,采用上华0.5μmCMOS工艺流片,测试表明,所有的器件都具有低电压触发特性,在器件宽度只有50μm的条件下,能达到400V正向机器模式的ESD性能。实验中发现了意外失效情况,文章给出了分析。
关键词 静电释放 可控硅 低触发电压
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基于SCR的ESD保护电路防闩锁设计 被引量:3
5
作者 李冰 王刚 杨袁渊 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期786-789,共4页
SCR器件作为目前单位面积效率最高的ESD保护器件,被广泛研究并应用到实际电路中。SCR所具有的低保持电压特性可以带来很高的ESD性能,但同时也会导致闩锁。文章从提高保持电压和触发电流这两方面入手,研究在实际电路应用中如何防止ESD保... SCR器件作为目前单位面积效率最高的ESD保护器件,被广泛研究并应用到实际电路中。SCR所具有的低保持电压特性可以带来很高的ESD性能,但同时也会导致闩锁。文章从提高保持电压和触发电流这两方面入手,研究在实际电路应用中如何防止ESD保护电路发生闩锁。 展开更多
关键词 ESD scr 闩锁 保持电压 触发电流
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新型电磁感应式无源触发器分析与设计
6
作者 吕智勇 岳海波 +6 位作者 王向军 庄劲武 李思光 薛婕 袁志方 武瑾 马丽莉 《工业仪表与自动化装置》 2024年第3期3-8,共6页
针对混合型限流熔断器中电子触发器存在的有源触发和不能全范围分断问题,该文提出了一种能够实现无源供电且具备全范围分断能力的新型电磁感应式无源触发器方案。首先介绍了新型触发器的工作原理,开展了自感应供电、幅值整定两个内容的... 针对混合型限流熔断器中电子触发器存在的有源触发和不能全范围分断问题,该文提出了一种能够实现无源供电且具备全范围分断能力的新型电磁感应式无源触发器方案。首先介绍了新型触发器的工作原理,开展了自感应供电、幅值整定两个内容的分析设计;然后利用有限元仿真软件将电磁场和电路进行耦合建模,基于该模型分析了铁芯线圈磁感应强度随位置的变化特性;提出了采用单霍尔芯片进行短路电流幅值判断的方法,减小了芯片的功耗,从而解决了新型触发器在低上升率工况下感应供电不足的问题;同时为了提高触发器的可靠性,设计了延时控制电路;最后根据设计参数制造样机,在短路判断幅值10 kA的限流条件下分别对混合型限流熔断器进行了8 A/μs最小短路电流上升率和33 A/μs最大短路电流上升率的检测试验,试验结果验证了分析设计方法的可行性和有效性。 展开更多
关键词 短路 电磁感应 触发器 霍尔芯片 故障检测
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基于改进事件触发与1-D CNN的MMC冗余子模块开路故障实时诊断策略
7
作者 庄凯 谢建峰 +2 位作者 罗辞勇 刘承鑫 顾亦超 《电工电能新技术》 CSCD 北大核心 2024年第11期55-67,共13页
在模块化多电平换流器(MMC)中存在大量的子模块(SM),其可靠性直接影响整个系统的安全稳定运行。本文引入了具有容错能力的新型冗余SM,并在此基础上提出了一种基于改进事件触发与一维卷积神经网络(1-D CNN)的MMC冗余SM开路故障实时诊断... 在模块化多电平换流器(MMC)中存在大量的子模块(SM),其可靠性直接影响整个系统的安全稳定运行。本文引入了具有容错能力的新型冗余SM,并在此基础上提出了一种基于改进事件触发与一维卷积神经网络(1-D CNN)的MMC冗余SM开路故障实时诊断策略。首先,选定MMC中特定SM构成的集成单元的电容电压作为事件触发对象,大大减少了传统诊断策略中需要观测的电容数量;其次,从有效地减少计算负担角度出发,改进事件触发流程,并结合1-D CNN算法有条件地对集成单元电容电压和桥臂电流波动情况分别进行检测,构建出MMC故障实时诊断系统;最后,综合考虑故障集成单元与故障桥臂位置定位出开路SM,进而完成新型冗余SM条件下MMC的容错运行。利用Matlab/Simulink搭建的19电平MMC模型,验证了所提实时诊断策略的有效性。 展开更多
关键词 1-D CNN 新型冗余SM 开路故障 事件触发 故障实时诊断
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同步触发和级联滤波的分幅相机皮秒高压脉冲研究
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作者 帅浩明 白雁力 +1 位作者 姚荣彬 谢军 《深圳大学学报(理工版)》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期556-562,共7页
脉冲展宽分幅相机是脉冲展宽技术与微通道板(microchannel plate,MCP)分幅相机的结合体,其时间分辨率与皮秒高压脉冲呈非线性波动关系.采用同步触发模式和级联结构LC高通滤波器产生皮秒高压脉冲,将其与影响时间分辨率的阴极电压和漂移... 脉冲展宽分幅相机是脉冲展宽技术与微通道板(microchannel plate,MCP)分幅相机的结合体,其时间分辨率与皮秒高压脉冲呈非线性波动关系.采用同步触发模式和级联结构LC高通滤波器产生皮秒高压脉冲,将其与影响时间分辨率的阴极电压和漂移距离结合,应用于脉冲展宽分幅相机的时间分辨率研究中.结果表明,同步触发式多级Marx电路能产生半高宽优于1 ns的高压脉冲,随着级联LC高通滤波器从1阶增至7阶,产生皮秒高压脉冲的半高宽从558 ps降至409 ps,幅值从-3.6 kV降至-1.4 kV,上升沿斜率的非线性波动为5.03~10.25 V/ps;将其加载于MCP通道内的光电子倍增模型,获得的MCP分幅相机时间分辨率由206 ps提高至149 ps;而将其应用于脉冲展宽分幅相机,随着阴极电压和漂移距离增加,时间分辨率的非线性波动为3.8~39.4 ps.通过数据统计和对比发现,当同步触发Marx电路与3阶LC高通滤波电路相结合时,脉冲展宽分幅相机的时间分辨率能达到最优. 展开更多
关键词 超快诊断技术 脉冲展宽分幅相机 皮秒高压脉冲 同步触发Marx电路 LC高通滤波技术 时间分辨率
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几种基于忆阻器的触发器电路设计
9
作者 吴建新 江玮 +1 位作者 钟祎 刁宇欣 《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2024年第7期15-21,共7页
在晶体管逐渐接近理论性能极限的情况下,为了进一步提高集成电路的集成度,减小电路面积,降低功耗,除进一步压缩晶体管特征尺寸的思路外,可以采用另一种提高集成度的思路,即尝试使用电路面积极小的新型元件忆阻器替代晶体管。文章提出基... 在晶体管逐渐接近理论性能极限的情况下,为了进一步提高集成电路的集成度,减小电路面积,降低功耗,除进一步压缩晶体管特征尺寸的思路外,可以采用另一种提高集成度的思路,即尝试使用电路面积极小的新型元件忆阻器替代晶体管。文章提出基于忆阻器的触发器电路设计方法:根据传统的电路理论、数电、模电以及忆阻器的原理与特性,结合CMOS(互补金属氧化物半导体)与忆阻器的优势,对于传统的SR触发器、D触发器、JK触发器以及T触发器电路进行重新设计,并且运用LTSPICE软件对设计的电路进行仿真和验证电路结构的正确性。与传统的触发器电路对比,基于忆阻器的触发器使用的电路元件数量更少,电路的复杂度大大降低,因而能够在一定程度上减小触发器的电路面积。 展开更多
关键词 忆阻器 触发器电路 仿真 LTSPICE
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用Protel设计SCR整流触发控制电路的体验
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作者 戚玉强 《岳阳职业技术学院学报》 2007年第4期74-76,共3页
采用Protel 99 SE对大功率SCR三相半控全整流触发电路,进行原理图、印制电路板设计,并对电路进行仿真实验。
关键词 scr触发电路 原理图 印制电路板 设计 仿真
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锂离子电池单层电芯内短路建模与热失控触发特性
11
作者 乔亚军 任怡茂 +2 位作者 谭子健 张袆柔 吴伟雄 《储能科学与技术》 CAS CSCD 北大核心 2024年第10期3491-3503,共13页
锂离子电池内短路诱因复杂,为深入研究内短路引起的电池失效问题须构建合适的精细化仿真模型。本工作以NCM/石墨电池为研究对象,围绕电池内短路失效机理,基于电化学-热耦合物理场,建立了考虑热失控放热副反应的三维单层电芯内短路模型,... 锂离子电池内短路诱因复杂,为深入研究内短路引起的电池失效问题须构建合适的精细化仿真模型。本工作以NCM/石墨电池为研究对象,围绕电池内短路失效机理,基于电化学-热耦合物理场,建立了考虑热失控放热副反应的三维单层电芯内短路模型,探究了热失控触发边界,并从内外部特征讨论了单层电芯内短路-热失控的演变过程。首先利用Arrhenius公式得到内短路触发的四种放热副反应产热量与反应速率,探究对电池温升影响最大的副反应类别,结果表明内短路过程放热副反应中负极与电解液反应总热量最大。进一步分析单层电芯内四种典型内短路形式的热失控触发特性,综合考虑组分材料导电性和导热性,得到铝-阳极内短路危险程度最高,其短路电阻值与热失控触发时间呈现正相关趋势,且临界短路电阻的高温热点区域面积值约为30 mm^(2)。模拟结果获得了四种形式内短路临界短路电阻值,并揭示了单层电芯内短路-热失控触发时内部锂离子浓度和温度分布的空间演变规律,相关结果可为研究内短路失效机制和设计安全锂离子电池提供理论指导。 展开更多
关键词 锂离子电池 单层电芯 内短路模型 热失控触发
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SCR器件在CMOS静电保护电路中的应用 被引量:3
12
作者 金鹏 张生才 +2 位作者 李树荣 赵毅强 姚素英 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期67-70,共4页
 静电放电(ESD)对CMOS电路的可靠性构成了很大威胁。随着CMOS电路集成度的不断提高,其对ESD保护的要求也更加严格。针对近年来SCR器件更加广泛地被采用到CMOS静电保护电路中的情况,文章总结了SCR保护电路发展过程中各种电路的工作机理...  静电放电(ESD)对CMOS电路的可靠性构成了很大威胁。随着CMOS电路集成度的不断提高,其对ESD保护的要求也更加严格。针对近年来SCR器件更加广泛地被采用到CMOS静电保护电路中的情况,文章总结了SCR保护电路发展过程中各种电路的工作机理。旨在为集成电路设计人员提供ESD保护方面的设计思路以及努力方向。 展开更多
关键词 scr器件 CMOS静电保护电路 集成电路 可靠性 可控硅 CMOS电路
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浅析剩余电流动作断路器试验回路设计
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作者 朱俊 刘淼 司莺歌 《现代建筑电气》 2024年第3期4-8,共5页
围绕GB/T 16917.1标准试验装置条款,探讨剩余电流动作断路器在应用端使用过程中测试按钮操作潜在的安全风险。分析了常规试验回路的安匝数设计及电阻选型,提出了试验回路双断点结构、触发式试验回路及自检式试验回路的设计方案,从而提... 围绕GB/T 16917.1标准试验装置条款,探讨剩余电流动作断路器在应用端使用过程中测试按钮操作潜在的安全风险。分析了常规试验回路的安匝数设计及电阻选型,提出了试验回路双断点结构、触发式试验回路及自检式试验回路的设计方案,从而提高用电安全性。 展开更多
关键词 RCD 试验回路 双断点结构 触发式电路 自检式电路
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用单片机MCS-48实现SCR-D可逆调速系统的数字触发
14
作者 孟庆春 陈政石 《阜新矿业学院学报》 1989年第2期26-33,共8页
本文重点分析如何以单片机MCS—48为核心,配置尽量少的硬件实现触发器的同步、移相、脉冲分配和正、反组切换等问题.在进行理论分析,给出原理电路的同时也给出了实现各主要功能的程序流程图.
关键词 单片机 数字触发器 可逆调速系统
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一种静电保护用低触发电压PMTSCR器件 被引量:1
15
作者 廖昌俊 黄秋培 +3 位作者 何明昊 王鑫 郑童文 刘继芝 《微电子学》 CAS 北大核心 2021年第4期587-591,共5页
提出了一种用于静电放电(ESD)保护的PMOS器件触发SCR器件(PMTSCR)。PMTSCR器件的开启由寄生PMOS的沟道长度、SCR器件寄生阱电阻RPW和RNW决定。器件具有触发电压低的优点。实验结果表明,通过调整PMTSCR器件的结构参数,相比于传统低电压触... 提出了一种用于静电放电(ESD)保护的PMOS器件触发SCR器件(PMTSCR)。PMTSCR器件的开启由寄生PMOS的沟道长度、SCR器件寄生阱电阻RPW和RNW决定。器件具有触发电压低的优点。实验结果表明,通过调整PMTSCR器件的结构参数,相比于传统低电压触发SCR器件(LVTSCR),PMTSCR器件的触发电压由6.3 V下降到4.4 V,触发电压减少30%,同时器件的ESD漏电流保持不变。 展开更多
关键词 静电放点 可控硅整流器 触发电压
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高压SOI工艺SCR ESD保护器件研究 被引量:1
16
作者 陈富涛 陶绪友 季惠才 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2017年第5期355-360,共6页
针对ESD保护器件SCR的维持电压和触发电压难以调整的问题,设计了一种SCR版图形式,这种新型的SCR版图形式可以将维持电压和触发电压进行最优化的调整,同时不改变原有的高压工艺的特点。从而解决了在高压ESD保护领域,使用SCR做ESD保护器... 针对ESD保护器件SCR的维持电压和触发电压难以调整的问题,设计了一种SCR版图形式,这种新型的SCR版图形式可以将维持电压和触发电压进行最优化的调整,同时不改变原有的高压工艺的特点。从而解决了在高压ESD保护领域,使用SCR做ESD保护器件容易引入闩锁效应的问题,是目前高压ESD保护领域较好的解决方案。 展开更多
关键词 静电放电 可控硅整流元件 维持电压 触发电压
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一个LVTSCR并联PMOS的高维持电压ESD防护器件(英文)
17
作者 蒋同全 汪洋 +2 位作者 黄薇 罗启元 金湘亮 《太赫兹科学与电子信息学报》 2014年第2期315-320,共6页
为了在5 V片上输入输出端进行静电放电(ESD)防护,提出了一种新型的LVTSCR结构。使用Silvaco 2D TCAD软件对此器件进行包含电学及热学特性的仿真。此新型器件交换了LVTSCR中N-Well的N+、P+掺杂区并引入了一个类PMOS结构用来在LVTSCR工作... 为了在5 V片上输入输出端进行静电放电(ESD)防护,提出了一种新型的LVTSCR结构。使用Silvaco 2D TCAD软件对此器件进行包含电学及热学特性的仿真。此新型器件交换了LVTSCR中N-Well的N+、P+掺杂区并引入了一个类PMOS结构用来在LVTSCR工作前释放ESD电流。器件仿真结果显示,与LVTSCR相比,该器件获得了更高的维持电压(10.51 V),以及更高的开启速度(1.05×10-10 s),同时触发电压仅仅从12.45 V增加到15.35 V。并且,如果加入的PMOS结构选择与NMOS相同的沟道长度,器件不会引起热失效问题。 展开更多
关键词 静电放电 低压触发可控硅器件 PMOS触发 Silvaco软件
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基于大功率可控硅芯片SCR的失效分析研究 被引量:2
18
作者 王敦 张凯虹 万永康 《舰船电子工程》 2021年第12期214-217,共4页
随着芯片设计进入纳米技术领域,芯片的集成度越来越大,智能产品趋向浓缩化,产品的结构越来越紧凑,PC⁃BA板上元器件布局越来越密集,这就对电子元器件的可靠性要求越来越高,失效分析定位技术可以很好地找到器件失效的薄弱点,从而更好地提... 随着芯片设计进入纳米技术领域,芯片的集成度越来越大,智能产品趋向浓缩化,产品的结构越来越紧凑,PC⁃BA板上元器件布局越来越密集,这就对电子元器件的可靠性要求越来越高,失效分析定位技术可以很好地找到器件失效的薄弱点,从而更好地提高预防设计的能力。论文基于PCBA主控板上可控硅芯片SCR进行失效分析,通过I-V电学复测、X-Ray射线、C-SAM超声以及SEM等失效分析测试设备,对失效器件进行电学、物理和化学测试分析,确定器件失效的模式,分析造成器件失效的机理,定位失效点并查找失效原因,并提出了设计优化建议。为PCBA电控板可靠性设计与失效分析提供了一定的参考依据。 展开更多
关键词 PCBA设计 可控硅芯片 失效分析技术 电路设计
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A reusable planar triggered spark-gap switch batched-fabricated with PCB technology for medium- and low-voltage pulse power systems 被引量:3
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作者 Zhi Yang Ke Wang +5 位作者 Peng Zhu Peng Liu Qiu Zhang Cong Xu Hao-tian Jian Rui-qi Shen 《Defence Technology(防务技术)》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第4期1572-1578,共7页
Triggered spark-gap switch is a popular discharge switch for pulse power systems.Previous studies have focused on planarizing this switch using thin film techniques in order to meet the requirements of compact size in... Triggered spark-gap switch is a popular discharge switch for pulse power systems.Previous studies have focused on planarizing this switch using thin film techniques in order to meet the requirements of compact size in the systems.Such switches are one-shot due to electrodes being too thin to sufficiently resist spark-erosion.Additionally,these switches did not employ any structures in securing internal gas composition,resulting in inconsistent performance under harsh atmospheres.In this work,a novel planar triggered spark-gap switch(PTS)with a hermetically sealed cavity was batched-prepared with printed circuit board(PCB)technology,to achieve reusability with low cost.The proposed PTS was inspected by micro-computed tomography to ensure PCB techniques meet the requirements of machining precision.The results from electrical experiments demonstrated that PCB PTS were consistent and reusable with lifespan over 20 times.The calculated switch voltage and circuit current were consistent with those derived from real-world measurements.Finally,PCB PTS was used to introduce hexanitrostilbene(HNS)pellets in a pulse power system to verify its performance. 展开更多
关键词 Pulse power systems Printed circuit board technology triggered spark-gap switch Planar discharge switch Electrical performance
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应用于片上ESD防护中新式直通型MOS触发SCR器件的研究
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作者 郑剑锋 马飞 +3 位作者 韩雁 梁海莲 董树荣 吴健 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期294-299,共6页
在基于0.13μm CMOS工艺制程下,为研究片上集成电路ESD保护,对新式直通型MOS触发SCR器件和传统非直通型MOS触发SCR进行了流片验证,并对该结构各类特性进行了具体研究分析。实验采用TLP(传输线脉冲)对两类器件进行测试验证,发现新式直通... 在基于0.13μm CMOS工艺制程下,为研究片上集成电路ESD保护,对新式直通型MOS触发SCR器件和传统非直通型MOS触发SCR进行了流片验证,并对该结构各类特性进行了具体研究分析。实验采用TLP(传输线脉冲)对两类器件进行测试验证,发现新式直通型MOS触发SCR结构要比传统非直通型MOS触发SCR具有更低的触发电压、更小的导通电阻、更好的开启效率以及更高的失效电流。 展开更多
关键词 静电防护 可控硅整流器 嵌入金属氧化物半导体场效应晶体管触发
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