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曲折形三层等宽FeCuNbSiB/Cu/FeCuNbSiB多层膜巨磁阻抗效应研究
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作者 余先育 曹莹 +4 位作者 周勇 丁文 商干兵 周志敏 高孝裕 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期23-26,共4页
采用磁控溅射方法,在玻璃基片上制备了曲折形三层等宽FeCuNbSiB/Cu/FeCuNbSiB多层膜。在1.40MHz下,研究了多层膜材料的巨磁阻抗(GMI)效应随外加磁场的变化关系。结果表明:在频率为5MHz、磁场强度为12kA/m下,横向和纵向GMI效... 采用磁控溅射方法,在玻璃基片上制备了曲折形三层等宽FeCuNbSiB/Cu/FeCuNbSiB多层膜。在1.40MHz下,研究了多层膜材料的巨磁阻抗(GMI)效应随外加磁场的变化关系。结果表明:在频率为5MHz、磁场强度为12kA/m下,横向和纵向GMI效应分别达-23.5%和-16.8%。薄膜材料的纵向、横向GMI效应随外加磁场变化呈现先增后降,而纵向表现尤为明显。 展开更多
关键词 电子技术 巨磁阻抗效应 三层等宽结构fecunbsib/cu/fecunbsib薄膜 微细加工技术
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