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Interfacial photoconductivity effect of type-Ⅰ and type-Ⅱ Sb2Se3/Si heterojunctions for THz wave modulation
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作者 曹雪芹 黄媛媛 +7 位作者 席亚妍 雷珍 王静 刘昊楠 史明坚 韩涛涛 张蒙恩 徐新龙 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第11期82-86,共5页
An in-depth understanding of the photoconductivity and photocarrier density at the interface is of great significance for improving the performance of optoelectronic devices. However, extraction of the photoconductivi... An in-depth understanding of the photoconductivity and photocarrier density at the interface is of great significance for improving the performance of optoelectronic devices. However, extraction of the photoconductivity and photocarrier density at the heterojunction interface remains elusive. Herein, we have obtained the photoconductivity and photocarrier density of 173 nm Sb2Se3/Si(type-Ⅰ heterojunction) and 90 nm Sb2Se3/Si(type-Ⅱ heterojunction) utilizing terahertz(THz) time-domain spectroscopy(THz-TDS) and a theoretical Drude model. Since type-Ⅰ heterojunctions accelerate carrier recombination and type-Ⅱ heterojunctions accelerate carrier separation, the photoconductivity and photocarrier density of the type-Ⅱ heterojunction(21.8×10^(4)S·m^(-1),1.5 × 10^(15)cm^(-3)) are higher than those of the type-Ⅰ heterojunction(11.8×10^(4)S·m^(-1),0.8×10^(15)cm^(-3)). These results demonstrate that a type-Ⅱ heterojunction is superior to a type-Ⅰ heterojunction for THz wave modulation. This work highlights THz-TDS as an effective tool for studying photoconductivity and photocarrier density at the heterojunction interface. In turn, the intriguing interfacial photoconductivity effect provides a way to improve the THz wave modulation performance. 展开更多
关键词 PHOTOCONDUCTIVITY sb2 se3/Si heterojunctions THZ-TDS Drude model
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XPS Study of Electroless Deposited Sb2Se3 Thin Films for Solar Cell Absorber Material
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作者 Towhid Adnan Chowdhury 《Energy and Power Engineering》 2023年第11期363-371,共9页
As a thin film solar cell absorber material, antimony selenide (Sb<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>) has become a potential candidate recently because of its unique optical and electrical properties a... As a thin film solar cell absorber material, antimony selenide (Sb<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>) has become a potential candidate recently because of its unique optical and electrical properties and easy fabrication method. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) was used to determine the stoichiometry and composition of electroless Sb<sub>2</sub>Se<sub>3</sub> thin films using depth profile studies. The surface layers were analyzed nearly stoichiometric. But the abundant amount of antimony makes the inner layer electrically more conductive. 展开更多
关键词 sb2se3 ELECTROLESS Depth Profiling Thin Film X-Ray Photoelectron Spectroscopy
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真空熔炼及热压烧结Sb_2Se_3热电材料的微结构研究 被引量:3
3
作者 胡孔刚 段兴凯 +2 位作者 满达虎 丁时锋 金海霞 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2012年第14期60-62,共3页
采用石英管真空封装高纯度的Sb粉和Se粉,在800℃下熔炼8h,冷却后制成Sb2Se3粉末,在真空下进行热压烧结(470℃,60 MPa)并保温0.5 h,制备出Sb2Se3块体材料。运用XRD、SEM和EDS法对材料物相、形貌和成分进行了表征。结果表明,真空熔炼合成... 采用石英管真空封装高纯度的Sb粉和Se粉,在800℃下熔炼8h,冷却后制成Sb2Se3粉末,在真空下进行热压烧结(470℃,60 MPa)并保温0.5 h,制备出Sb2Se3块体材料。运用XRD、SEM和EDS法对材料物相、形貌和成分进行了表征。结果表明,真空熔炼合成粉末和热压烧结块体材料的XRD图谱与Sb2Se3的标准衍射图谱(01-072-1184)相对应;Sb2Se3热压块体材料在平行和垂直于热压方向的断面上都分布着大量的层片状结构,平行于热压方向的断面上层片状结构沿某一方向择优生长,而在垂直于热压方向的断面上层片状结构分布更均匀,结晶更充分;材料中Sb和Se的原子百分比分别为40.68%、59.32%,接近于2∶3。 展开更多
关键词 vacuum MELTING HOT-PRESSING sb 2 se 3 microstructure
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多元醇法制备和表征Sb_2Se_3纳米线 被引量:10
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作者 陈名海 高濂 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1343-1348,共6页
以自制的NaHSe乙醇溶液为硒源,在PEG-400无水体系中采用多元醇法,在180℃生长10h制备了直径100-200nm,长度可达十几微米的纳米线.产物通过XRD、TEM、HRTEM、FESEM、EDS和UV-Vis等手段进行了表征,并研究了不同多元醇对产物形貌的影响.研... 以自制的NaHSe乙醇溶液为硒源,在PEG-400无水体系中采用多元醇法,在180℃生长10h制备了直径100-200nm,长度可达十几微米的纳米线.产物通过XRD、TEM、HRTEM、FESEM、EDS和UV-Vis等手段进行了表征,并研究了不同多元醇对产物形貌的影响.研究表明,PEG-400作为结构导向剂在制备一维Sb2Se3纳米线中发挥着至关重要的作用,并且无水环境为纳米晶的生长提供了更加纯净的条件,有利于制备高质量的纳米晶. 展开更多
关键词 纳米线 sb2se3 多元醇法
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水热合成Sb2Se3纳米线及其对Bi2Te3纳米粉末热电性能的影响 被引量:2
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作者 张艳华 徐桂英 +3 位作者 郭志敏 韩菲 王泽 葛昌纯 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期615-620,共6页
以SbCl3和Se粉为原料,水合肼(N2H4·H2O)为还原剂,采用水热法在150℃下,分别保温不同的时间合成Sb2Se3纳米粉末.通过X射线衍射(XRD)、场发射电子扫描电镜(FESEM)、透射电镜(TEM)以及高分辨透射电镜(HRTEM)等分析方法对产物的物相成... 以SbCl3和Se粉为原料,水合肼(N2H4·H2O)为还原剂,采用水热法在150℃下,分别保温不同的时间合成Sb2Se3纳米粉末.通过X射线衍射(XRD)、场发射电子扫描电镜(FESEM)、透射电镜(TEM)以及高分辨透射电镜(HRTEM)等分析方法对产物的物相成分和微观形貌等进行了表征,实验结果表明保温时间达到24h时,获得产物为单相Sb2Se3纳米线晶体.根据实验结果还研究了水热合成Sb2Se3纳米线晶体可能的反应及生长机理,结果表明一维纳米线沿[001]方向生长,纳米线的形成与其独特的层状晶体结构有关.最后采用放电等离子体快速热压烧结法将水热合成的Bi2Te3纳米粉末与不同含量Sb2Se3纳米线进行复合,分析了Sb2Se3纳米线对Bi2Te3纳米材料热电性能的影响,发现复合约1at%Sb2Se3纳米线可以使Bi2Te3纳米材料热电性能有一定提高. 展开更多
关键词 水热合成 sb2se3 纳米线 热电性能
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Sb_2Se_3热电材料的真空熔炼合成及微结构研究 被引量:3
6
作者 胡孔刚 段兴凯 +1 位作者 满达虎 金海霞 《铸造技术》 CAS 北大核心 2012年第11期1251-1253,共3页
采用石英管真空封装高纯度的Sb、Se粉末,在800℃下熔炼12 h,冷却后制成Sb2Se3粉末,在真空下进行热压烧结(470℃,60 MPa)并保温0.5 h,成功制备出Sb2Se3块体材料。运用XRD,SEM和EDS方法对材料的物相、成分和形貌进行了表征。结果表明,真... 采用石英管真空封装高纯度的Sb、Se粉末,在800℃下熔炼12 h,冷却后制成Sb2Se3粉末,在真空下进行热压烧结(470℃,60 MPa)并保温0.5 h,成功制备出Sb2Se3块体材料。运用XRD,SEM和EDS方法对材料的物相、成分和形貌进行了表征。结果表明,真空熔炼合成粉末和热压烧结块体材料的XRD图谱峰与Sb2Se3的标准衍射图谱(01-072-1184)相对应。Sb2Se3热压块体材料在平行于热压方向的断面上分布着大量的层片状结构,但少量片状结构变得粗大,层片状结构厚度约在1μm以下,并沿某一方向择优生长;垂直于热压方向的断面上微观形貌主要是层片状结构,并出现少量近似球形的结构,层片状结构短而薄,部分变得粗大,晶粒结构不均匀。热压烧结块体材料中Sb和Se的原子分数分别为40.68%,59.32%,接近2∶3。 展开更多
关键词 真空熔炼 热压烧结 sb2se3 热电材料
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水热共还原法合成一维Sb_2Se_3纳米单晶带和单晶棒 被引量:2
7
作者 崔洪梅 刘宏 +3 位作者 王继扬 李霞 韩峰 林延霆 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第7期61-64,共4页
采用水热共还原法在105-180℃合成了宽度为40-100nm的Sb2Se3纳米单晶带和直径为100-250nm的纳米单晶棒。用X射线衍射、透射电镜和高分辨电镜对所得的产物进行了表征。结果表明:Sb2Se3单晶带和单晶棒是结晶程度良好的纳米晶,单晶带和单... 采用水热共还原法在105-180℃合成了宽度为40-100nm的Sb2Se3纳米单晶带和直径为100-250nm的纳米单晶棒。用X射线衍射、透射电镜和高分辨电镜对所得的产物进行了表征。结果表明:Sb2Se3单晶带和单晶棒是结晶程度良好的纳米晶,单晶带和单晶棒的生长方向为[001];纳米结构形貌和尺寸随合成温度的改变而变化;并提出了Sb2Se3单晶带和单晶棒的生长模型。 展开更多
关键词 sb2se3 纳米结构 热电材料
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新型Sb_2S_3-Sb_2Se_3与单晶二氧化钛纳米阵列复合结构在太阳能电池领域的应用(英文) 被引量:1
8
作者 陈延学 李逸坦 +1 位作者 张瑞梓 隋行 《纳米技术与精密工程》 CAS CSCD 2013年第5期379-383,共5页
近年来,半导体量子点敏化太阳能电池作为新一代的太阳能电池,引起了广泛的关注.Sb2S3和Sb2Se3量子点由于具有出色的光吸收特性与带隙的可调控性,已成为敏化太阳能电池领域的重要组成部分.通过水热法,二氧化钛(TiO2)单晶纳米阵列被成功... 近年来,半导体量子点敏化太阳能电池作为新一代的太阳能电池,引起了广泛的关注.Sb2S3和Sb2Se3量子点由于具有出色的光吸收特性与带隙的可调控性,已成为敏化太阳能电池领域的重要组成部分.通过水热法,二氧化钛(TiO2)单晶纳米阵列被成功生长在FTO导电玻璃上.通过连续离子层吸附法(SILAR),Sb2S3-Sb2Se3复合纳米结构被生长在二氧化钛单晶纳米阵列的表面.利用X射线衍射(XRD)表征Sb2S3和Sb2Se3纳米晶体的晶相,利用扫描电子显微镜(SEM)表征其形貌,发现在这一复合结构中,二氧化钛单晶纳米阵列与Sb2S3结合之后所留下的空隙被Sb2Se3量子点填充,从而提高了结构表面积的利用率.随着连续离子层吸附法反应周期的增加,Sb2S3-Sb2Se3与二氧化钛单晶纳米阵列共同形成复合结构的带隙发生了明显的红移,吸收边在可调控的情况下由1.7 eV向红外波段发生了移动.这种纳米结构的比表面积大、工艺简单、结构致密、沉积速率快、可调控性强,对于今后敏化太阳能电池领域的应用有很大的启发作用. 展开更多
关键词 太阳能电池 TIO2 sb2S3 sb2se3 单晶纳米阵列
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水热法制备Sb_2Se_3纳米线及其光响应性能研究 被引量:2
9
作者 陈哲 陈峰 谭乃迪 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期238-242,共5页
采用简单的水热方法成功合成出分散性良好、尺寸均一的Sb2Se3纳米线。研究表明,所合成出的Sb2Se3纳米线直径约20-30 nm,长度达30μm。与此同时,讨论了如乙二胺的浓度、反应时间和形成机制等很多反应参数。还详细研究了Sb2Se3的光响应性能。
关键词 水热合成法 sb2se3纳米线 光响应性能
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(Bi_2Te_3)_(0.90)(Sb_2Te_3)_(0.05)(Sb_2Se_3)_(0.05)熔炼冷压烧结材料的制备及其热电性能的研究 被引量:1
10
作者 王月媛 胡建民 +2 位作者 信江波 吕强 荣剑英 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期655-659,共5页
本文采用熔炼冷压烧结法制备了n型赝三元(B i2Te3)0.90(Sb2Te3)0.05(Sb2Se3)0.05熔炼冷压烧结热电材料,分析了材料的微观结构并测试了材料的热电性能。研究表明:烧结有利于提高材料的热电性能;n型赝三元熔炼冷压烧结热电材料的热电性能... 本文采用熔炼冷压烧结法制备了n型赝三元(B i2Te3)0.90(Sb2Te3)0.05(Sb2Se3)0.05熔炼冷压烧结热电材料,分析了材料的微观结构并测试了材料的热电性能。研究表明:烧结有利于提高材料的热电性能;n型赝三元熔炼冷压烧结热电材料的热电性能沿垂直于冷压压力方向存在优化取向。 展开更多
关键词 (Bi2Te3)0.90(sb2Te3)0.05(sb2se3)0.05 热电材料 冷压烧结
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水热法制备Sb_2Se_3纳米晶 被引量:1
11
作者 周晓东 石华强 +2 位作者 翟自芹 胡正水 傅洵 《青岛科技大学学报(自然科学版)》 CAS 2007年第2期99-102,共4页
以酒石酸锑钾(K(SbO)C4H4O6.1/2H2O)和硒粉作为锑源和硒源,自制的2-十一烷基-1-二硫脲乙基咪唑啉季铵盐(SUDEI)为表面活性剂,150℃水热反应24 h,得到不同形貌的Sb2Se3纳米晶。通过透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS... 以酒石酸锑钾(K(SbO)C4H4O6.1/2H2O)和硒粉作为锑源和硒源,自制的2-十一烷基-1-二硫脲乙基咪唑啉季铵盐(SUDEI)为表面活性剂,150℃水热反应24 h,得到不同形貌的Sb2Se3纳米晶。通过透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)对Sb2Se3纳米晶进行了表征。讨论了反应条件对Sb2Se3纳米晶形貌的影响。 展开更多
关键词 sb2se3纳米晶 咪唑啉表面活性剂 水热法
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Sb2Se3管状化合物的制备和表征
12
作者 姜文娟 凌云 +1 位作者 李志华 程晓农 《纳米科技》 2008年第6期53-57,共5页
用固相烧结法合成了管状Sb2Se3相变材料,并通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)、拉曼光谱仪(Raman)、热重分析(DSC)进行表征测试,结果表明成功制备出了正交晶系的Sb2Se3,计算所得晶格常数为a:11.... 用固相烧结法合成了管状Sb2Se3相变材料,并通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)、拉曼光谱仪(Raman)、热重分析(DSC)进行表征测试,结果表明成功制备出了正交晶系的Sb2Se3,计算所得晶格常数为a:11.6445A,b=11.792A,c=3.981A,;透射电镜结果说明Sb2Se3微米管晶体结构沿[001]方向择优生长;DSC测试Sb2Se3的熔点为624.5℃。同时本试验用固相烧结法制备了不同配比的Sb—Se材料,并用XRD和Raman表征测试了晶体结构. 展开更多
关键词 固相法 管状sb2se3 硫系化合物
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A2Se3(A=Bi,Sb)纳米结构及其热电性质研究
13
作者 宋春燕 张建军 +2 位作者 周龙 杨宁选 王雪燕 《纳米科技》 2014年第4期74-77,共4页
在固态制冷和发电机设备应用领域中,A2Se3(A=Bi,Sb)基化合物是非常有前景的热电材料。文章在回顾近年在温和环境下合成A2Se3(A=Bi,Sb)基低维纳米晶的基础上,简要阐述了热电材料国内外研究现状,指出获得Bi2Se/Sb2Se。复合纳米... 在固态制冷和发电机设备应用领域中,A2Se3(A=Bi,Sb)基化合物是非常有前景的热电材料。文章在回顾近年在温和环境下合成A2Se3(A=Bi,Sb)基低维纳米晶的基础上,简要阐述了热电材料国内外研究现状,指出获得Bi2Se/Sb2Se。复合纳米材料和稀土元素及三价离子掺杂A2Se3(A=Bi,Sb)纳米晶体是未来热电材料发展的主要方向。 展开更多
关键词 A2se3(A=Bi sb) 纳米结构 热电性质 复合和掺杂
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Fast, green microwave-assisted synthesis of single crystalline Sb_2Se_3 nanowires towards promising lithium storage 被引量:3
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作者 Wen Luo Jean-Jacques Gaumet +5 位作者 Pierre Magri Sébastien Diliberto Feng Li Pascal Franchetti Jaafar Ghanbaja Liqiang Mai 《Journal of Energy Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第3期27-33,共7页
In this work, a fast(0.5 h), green microwave-assisted synthesis of single crystalline Sb_2Se_3 nanowires was developed. For the first time we demonstrated a facile solvent-mediated process, whereby intriguing nanostru... In this work, a fast(0.5 h), green microwave-assisted synthesis of single crystalline Sb_2Se_3 nanowires was developed. For the first time we demonstrated a facile solvent-mediated process, whereby intriguing nanostructures including antimony selenide(Sb_2Se_3) nanowires and selenium(Se) microrods can be achieved by merely varying the volume ratio of ethylene glycol(EG) and H_2O free from expensive chemical and additional surfactant. The achieved uniform Sb_2Se_3 nanowire is single crystalline along [001]growth direction with a diameter of 100 nm and a length up to tens of micrometers. When evaluated as an anode of lithium-ion battery, Sb_2Se_3 nanowire can deliver a high reversible capacity of 650.2 m Ah g^(-1) at 100 mA g^(-1) and a capacity retention of 63.8% after long-term 1000 cycles at 1000 mA g^(-1), as well as superior rate capability(389.5 m Ah g^(-1) at 2000 mA g^(-1)). This easy solvent-mediated microwave synthesis approach exhibits its great universe and importance towards the fabrication of high-performance metal chalcogenide electrode materials for future low-cost, large-scale energy storage systems. 展开更多
关键词 Microwave synthesis sb2se3 NANOWIRES Solvent-mediated process LITHIUM-ION battery High-performance ANODE
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Development of antimony sulfide–selenide Sb2(S,Se)3-based solar cells 被引量:11
15
作者 Xiaomin Wang Rongfeng Tang +2 位作者 Chunyan Wu Changfei Zhu Tao Chen 《Journal of Energy Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第3期713-721,共9页
Antimony sulfide–selenide Sb2(S,Se)3,including Sb2S3and Sb2Se3,can be regarded as binary metal chalcogenides semiconductors since Sb2S3and Sb2Se3are isomorphous.They possess abundant elemental storage,nontoxicity,g... Antimony sulfide–selenide Sb2(S,Se)3,including Sb2S3and Sb2Se3,can be regarded as binary metal chalcogenides semiconductors since Sb2S3and Sb2Se3are isomorphous.They possess abundant elemental storage,nontoxicity,good stability with regard to moisture at elevated temperatures and suitable physical parameters for light absorption materials in solar cells.To date,quite a few attempts have been conducted in the materials synthesis,photovoltaic property investigation and device fabrication.Benefiting from previous investigation in thin film solar cells and new generation nanostructured solar cells,this class of materials has been applied in either sensitized-architecture or planar heterojunction solar cells.Decent power conversion efficiencies from 5%to 7.5%have been achieved.Apparently,further improvement on the efficiency is required for future practical applications.To give an overview of this research field,this paper displays some typical researches regarding the methodologies toward the antimony sulfide–selenide synthesis,development of interfacial materials and device fabrications,during which we highlight some critical findings that promote the efficiency enhancement.Finally,this paper proposes some outstanding issue regarding fundamental understanding of the materials,some viewpoints for the efficiency improvement and their future challenges in solar cell applications. 展开更多
关键词 Antimony sulfide–selenide sb2S3 sb2se3 Solar cell Energy conversion
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Sb_2(SSe)_3薄膜的两步法制备及其在太阳电池中的应用
16
作者 刘志远 薛仕虎 +9 位作者 袁敏 王瑞 张磊 吴大军 高小蕊 陶石 房勇 韩志达 钱斌 江学范 《常熟理工学院学报》 2019年第2期11-15,共5页
本文首先采用磁控溅射工艺在FTO衬底上沉积Sb_2S_3薄膜,然后通过Se化处理工艺制备Sb_2(SSe)_3薄膜.利用X射线衍射、扫描电子显微镜及紫外-可见分光光度计对薄膜的结构及光学性能进行了分析.在此基础上,初步制备了上衬底结构的太阳电池... 本文首先采用磁控溅射工艺在FTO衬底上沉积Sb_2S_3薄膜,然后通过Se化处理工艺制备Sb_2(SSe)_3薄膜.利用X射线衍射、扫描电子显微镜及紫外-可见分光光度计对薄膜的结构及光学性能进行了分析.在此基础上,初步制备了上衬底结构的太阳电池器件并对其性能进行了测试.结果表明,随着Se化温度的提高,所制备的Sb_2(SSe)_3薄膜晶粒逐渐变大,同时光学带隙逐渐降低.这主要是由于在Se化过程中,Se原子替代Sb_2S_3中S原子的位置所造成的.所制备的太阳电池器件开路电压达到了469.3mV,二极管理想因子为2.6,反向饱和电流为3.389×10^(-8)A. 展开更多
关键词 sb2(Sse)3薄膜 太阳电池 se化处理 光学带隙
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含Se空位Sb2Se3的第一性原理研究
17
作者 邰湾湾 靳彬彬 +3 位作者 李祺 周雨迪 陈寒光 马蕾 《科教导刊(电子版)》 2020年第14期284-284,共1页
本文基于密度泛函理论的第一性原理超软赝势方法,对Sb2Se3材料的光电特性进行理论分析.计算结果表明,Se空位的存在使得材料的禁带宽度变窄,并在禁带中引入新的能级.随着Se空位数量的增加,禁带宽度不断减小,材料禁带中的新能及数目逐渐变... 本文基于密度泛函理论的第一性原理超软赝势方法,对Sb2Se3材料的光电特性进行理论分析.计算结果表明,Se空位的存在使得材料的禁带宽度变窄,并在禁带中引入新的能级.随着Se空位数量的增加,禁带宽度不断减小,材料禁带中的新能及数目逐渐变多,总态密度曲线整体有向低能端移动的趋势,最终导致含Se空位的Sb2Se3材料吸收光谱红移,透射率呈下降趋势. 展开更多
关键词 第一性原理 sb2se3材料 光电性能
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热蒸发法制备Sb_2Se_3薄膜及后退火温度对其性能的影响
18
作者 姚文健 《科技与创新》 2018年第5期72-73,共2页
采用真空热蒸发法结合退火工艺制备得到质量较好的多晶Sb_2Se_3薄膜,薄膜致密、结晶性良好,且表现出一定的择优生长现象,其禁带宽度大致在1.4 eV左右。探索了不同退火温度对Sb_2Se_3薄膜物相结构、形貌与光电性能的影响,在此基础上制备... 采用真空热蒸发法结合退火工艺制备得到质量较好的多晶Sb_2Se_3薄膜,薄膜致密、结晶性良好,且表现出一定的择优生长现象,其禁带宽度大致在1.4 eV左右。探索了不同退火温度对Sb_2Se_3薄膜物相结构、形貌与光电性能的影响,在此基础上制备了FTO/CdS/Sb_2Se_3/AL结构的电池,效率为0.047%. 展开更多
关键词 电阻热蒸发法 sb2se3 薄膜太阳能电池 半导体
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Polymeric viologen-based electron transfer mediator for improving the photoelectrochemical water splitting on Sb_(2)Se_(3) photocathode
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作者 Chang Liu Fusheng Li +8 位作者 Linqin Wang Zeju Li Yilong Zhao Yingzheng Li Wenlong Li Ziqi Zhao Ke Fan Fei Li Licheng Sun 《Fundamental Research》 CAS CSCD 2024年第2期291-299,共9页
The photogenerated charge carrier separation and transportation of inside photocathodes can greatly influence the performance of photoelectrochemical(PEC)H2 production devices.Coupling TiO_(2) with p-type semiconducto... The photogenerated charge carrier separation and transportation of inside photocathodes can greatly influence the performance of photoelectrochemical(PEC)H2 production devices.Coupling TiO_(2) with p-type semiconductors to construct heterojunction structures is one of the most widely used strategies to facilitate charge separation and transportation.However,the band position of TiO_(2) could not perfectly match with all p-type semiconductors.Here,taking antimony selenide(Sb_(2)Se_(3))as an example,a rational strategy was developed by introducing a viologen electron transfer mediator(ETM)containing polymeric film(poly-1,1′-dially-[4,4′-bipyridine]-1,1′-diium,denoted as PV^(2+))at the interface between Sb_(2)Se_(3) and TiO_(2) to regulate the energy band alignment,which could inhibit the recombination of photogenerated charge carriers of interfaces.With Pt as a catalyst,the constructed Sb_(2)Se_(3)/PV^(2+)/TiO_(2)/Pt photocathode showed a superior PEC hydrogen generation activity with a photocurrent density of−18.6 mA cm^(-2) vs.a reversible hydrogen electrode(RHE)and a half-cell solar-to-hydrogen efficiency(HC-STH)of 1.54%at 0.17 V vs.RHE,which was much better than that of the related Sb_(2)Se_(3)/TiO_(2)/Pt photocathode without PV^(2+)(−9.8 mA cm^(-2),0.51%at 0.10 V vs.RHE). 展开更多
关键词 VIOLOGEN Electron transfer mediator sb2se3 photocathode Solar water splitting Hydrogen evolution reaction
原文传递
SPS法制备Bi2Te3基热电合金的热电性能 被引量:5
20
作者 王晓琳 姜洪义 任卫 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期40-42,共3页
用粉末冶金工艺结合SPS烧结制备了p型(Bi0.2Sb0.8)2Te3和n型Bi2(Te0.975Se0.025)3多晶半导体合金,研究烧结工艺对其热电性能的影响。结果表明,室温下,p型(Bi0.2Sb0.8)2Te3材料的热电优值Z为3.25×10-3K-1,n型Bi2(Te0.975Se0.025)3... 用粉末冶金工艺结合SPS烧结制备了p型(Bi0.2Sb0.8)2Te3和n型Bi2(Te0.975Se0.025)3多晶半导体合金,研究烧结工艺对其热电性能的影响。结果表明,室温下,p型(Bi0.2Sb0.8)2Te3材料的热电优值Z为3.25×10-3K-1,n型Bi2(Te0.975Se0.025)3材料的热电优值Z为2.21×10-3K-1。 展开更多
关键词 Bi2(Te0.975 se0.025)3 (Bi0.2 sb0.8)2Te3 SPS烧结 热电性能
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