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Comparison and Analysis of Two Microwave Equivalent-Circuit Models for Resonant Tunneling Diode
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作者 钟鸣 张世林 +2 位作者 郭维廉 梁惠来 毛陆虹 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第11期1370-1375,共6页
The distinction between two microwave equivalent-circuit models,quasi Esaki tunneling model (QETM) and quantum well injection transit model (QWITM),for the resonant tunneling diode (RTD) is discussed in details,and tw... The distinction between two microwave equivalent-circuit models,quasi Esaki tunneling model (QETM) and quantum well injection transit model (QWITM),for the resonant tunneling diode (RTD) is discussed in details,and two groups of circuit parameters are extracted from experiment data by the least square fit method.Both theory analysis and the comparison of fit results demonstrate that QWITM is much more precise than QETM.In addition,the rationality of QWITM circuit's parameters confirms it too.On this basis,the resistive frequency is calculated,whose influence factors and improvement method are simply discussed as well. 展开更多
关键词 resonant tunneling diode microwave equivalent-circuit quantum well injection transit resistive frequency
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太赫兹二极管的研究进展及应用 被引量:1
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作者 刘子奕 杨建红 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2014年第8期489-497,共9页
太赫兹器件是太赫兹技术的核心。介绍了肖特基势垒二极管、耿氏二极管、碰撞雪崩渡越时间(IMPATT)二极管以及隧道渡越时间(TUNNETT)二极管四种典型太赫兹二极管的基本理论、器件结构和关键技术,分析了影响器件性能的主要因素,给出了优... 太赫兹器件是太赫兹技术的核心。介绍了肖特基势垒二极管、耿氏二极管、碰撞雪崩渡越时间(IMPATT)二极管以及隧道渡越时间(TUNNETT)二极管四种典型太赫兹二极管的基本理论、器件结构和关键技术,分析了影响器件性能的主要因素,给出了优化改进器件性能的措施。阐述并比较了各种太赫兹二极管的特点以及同一种结构不同材料的太赫兹二极管特性,通过对比得出各自的优缺点及适用范围。分类总结了四种不同类型太赫兹二极管的研究进展和它们相应的应用。基于器件结构和先进的半导体材料特性,指出了不同类型太赫兹二极管的未来发展方向,描述了不同类型太赫兹二极管的应用和前景。 展开更多
关键词 太赫兹(THz) 肖特基势垒二极管 耿氏二极管 碰撞雪崩渡越时间(IMPATT)二极管 隧道渡越时间(tunnett)二极管 混频器 倍频器 太赫兹源
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碳化硅IMPATT和MITATT太赫兹二极管的小信号模拟
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作者 郑君鼎 韦文生 +3 位作者 何明昌 肖海林 李理敏 李昌 《温州大学学报(自然科学版)》 2018年第1期40-48,共9页
碳化硅(SiC)具有带隙宽、载流子饱和漂移速度快、临界击穿场强高、热导率高等优良性能,适用于太赫兹渡越时间功率器件.采用数值模拟方法,计算了不同碳化硅(4H-SiC、6H-SiC、3C-SiC)N+NPP+型碰撞雪崩渡越时间(IMPATT)和混合隧穿雪崩渡越... 碳化硅(SiC)具有带隙宽、载流子饱和漂移速度快、临界击穿场强高、热导率高等优良性能,适用于太赫兹渡越时间功率器件.采用数值模拟方法,计算了不同碳化硅(4H-SiC、6H-SiC、3C-SiC)N+NPP+型碰撞雪崩渡越时间(IMPATT)和混合隧穿雪崩渡越时间(MITATT)二极管的小信号性能参数.对比了不同器件内部的电场分布、归一化电流分布、电阻分布、导纳-频率关系、单位带宽均方噪声电压和噪声测度的差异.所得结果可为相关器件制造提供指导. 展开更多
关键词 SiC 碰撞雪崩渡越时间二极管 混合隧穿雪崩渡越时间二极管 小信号模拟
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