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ZnO晶体的极性生长习性与双晶的形成机理 被引量:32
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作者 王步国 仲维卓 +4 位作者 施尔畏 夏长泰 李文军 华素坤 殷之文 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期102-107,共6页
本文根据晶体的负离子配位多面体的生长基元的观点,结合氧化锌晶体生长基元稳定能的计算,研究和分析了水热条件下氧化锌晶体的极性生长习性和双晶的形成机理。氧化锌晶体的生长习性明显地受生长时的物理化学条件(溶液的碱度,反应温... 本文根据晶体的负离子配位多面体的生长基元的观点,结合氧化锌晶体生长基元稳定能的计算,研究和分析了水热条件下氧化锌晶体的极性生长习性和双晶的形成机理。氧化锌晶体的生长习性明显地受生长时的物理化学条件(溶液的碱度,反应温度和矿化剂)的影响,晶粒形态表现为长柱状、单锥状和颗粒状;而且在不同的生长条件下可以形成不同的双晶晶粒,在以KBr为矿化剂的溶液中形成哑铃形双晶,双晶面为(0001);在中性或弱碱性溶液中易形成长柱状双锥双晶,双晶面为(0001-)。本文从晶体生长时的溶液结构和晶体生长基元叠合模型出发,分析了生长基元的结构形式及其稳定性以及在晶体界面上的叠合,解释了晶体正、负极面生长速率差异悬殊的原因;提出了不同条件下的双晶机制; 展开更多
关键词 极性生长 氧化锌晶体 晶体生长
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定向凝固纯铜组织性能研究 被引量:4
2
作者 王鑫 李炳 +1 位作者 范新会 严文 《西安工业大学学报》 CAS 2008年第5期441-444,共4页
采用高真空多功能定向凝固及悬浮熔炼设备,以不同凝固速度制备纯铜试样,并对定向凝固纯铜试样的显微组织和机械性能进行了分析研究.通过实验获得了定向凝固纯铜的组织性能.当凝固速度小于500μm/min时,定向凝固的纯铜试样横、纵截面的... 采用高真空多功能定向凝固及悬浮熔炼设备,以不同凝固速度制备纯铜试样,并对定向凝固纯铜试样的显微组织和机械性能进行了分析研究.通过实验获得了定向凝固纯铜的组织性能.当凝固速度小于500μm/min时,定向凝固的纯铜试样横、纵截面的晶粒形貌都是等轴晶,晶粒内存在孪晶,凝固速度较小时,其孪晶组织数量较多.当凝固速度大于500μm/min时,定向凝固的纯铜试样横截面的晶粒形貌是等轴晶,而纵截面的晶粒形貌是柱状晶,晶粒内基本不存在孪晶组织.定向凝固纯铜的室温机械性能是:当凝固速度在50μm/min的条件下,试样的抗拉强度约153 MPa,较普通铸造纯铜试样的低,而屈服强度约91.8 MPa,延伸率约80.12%,都优于普通铸造纯铜试样.透射电镜分析表明,纯铜定向凝固过程中形成的孪晶B=[110]. 展开更多
关键词 定向凝固 孪晶 孪晶生长 等轴晶 柱状晶
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热液条件下ZnO晶体的形成机理 被引量:46
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作者 华素坤 仲维卓 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1994年第3期177-180,共4页
本文研究了ZnO晶体中Zn-O ̄6-_4配位四面体的结晶方位和在晶体各个面族上的显露关系,提出了ZnO晶体的生长基元为〔Zn-OH ̄2-_4〕_n,解释了m{1010}、p{1011}和-c(000-1)生长率差异的... 本文研究了ZnO晶体中Zn-O ̄6-_4配位四面体的结晶方位和在晶体各个面族上的显露关系,提出了ZnO晶体的生长基元为〔Zn-OH ̄2-_4〕_n,解释了m{1010}、p{1011}和-c(000-1)生长率差异的原因。 展开更多
关键词 氧化锌 晶体结构 晶体生长
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聚乙烯吡咯烷酮辅助的水热法合成形貌可控的银纳米结构(英文) 被引量:4
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作者 徐丽红 阚彩侠 +3 位作者 王长顺 从博 倪媛 施大宁 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2014年第3期569-575,共7页
以不同平均分子质量的聚乙烯吡咯烷酮(PVP,通常用K值来表示PVP溶液相对粘度的特征值,粘度越大,PVP平均分子质量越大,平均分子质量为8000、40000、160000、360000的PVP分别标记为K17、K30、K60、K90)为表面活性剂,通过水热法合成了形貌... 以不同平均分子质量的聚乙烯吡咯烷酮(PVP,通常用K值来表示PVP溶液相对粘度的特征值,粘度越大,PVP平均分子质量越大,平均分子质量为8000、40000、160000、360000的PVP分别标记为K17、K30、K60、K90)为表面活性剂,通过水热法合成了形貌和光学共振峰可控的银纳米结构.将反应体系加入到60 mL的不锈钢高压反应釜中,在一定的温度下加热数小时.我们在K17的水溶液中合成了尺寸均一的五重孪晶银纳米十面体.而在K30、K60和K90的乙二醇(EG)溶液中得到了纵横比随着PVP分子质量增大而增大的银纳米线.产物的形貌和微结构通过透射电镜(TEM)和场发射扫描电镜(FE-SEM)进行表征,表面等离子共振(SPR)吸收峰通过紫外-可见分光光度计进行测试,结果显示银纳米结构的表面等离子共振随着其形貌和尺寸的改变而发生变化. 展开更多
关键词 银纳米线 五重孪晶 十面体 聚乙烯吡咯烷酮 生长机制
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水热条件下ZnS晶体的极性生长机制与双晶的形成 被引量:7
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作者 仲维卓 王步国 +2 位作者 施尔畏 李文军 华素坤 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期1-7,共7页
本文从结晶化学角度出发,研究了ZnS晶体的极性生长的习性机理和双晶的形成,认为闪锌矿硫化锌晶体的结晶形貌主要是由正极面{111}和负极面{111}的显露程度不同所决定的,而正、负极面的显露与否与溶液的碱度密切相关。溶... 本文从结晶化学角度出发,研究了ZnS晶体的极性生长的习性机理和双晶的形成,认为闪锌矿硫化锌晶体的结晶形貌主要是由正极面{111}和负极面{111}的显露程度不同所决定的,而正、负极面的显露与否与溶液的碱度密切相关。溶液碱度增加,正极面生长速率逐渐减慢,与负极面生长速率差异减小,晶粒形貌由四面体形变为以正、负极面同时显露的六四面体形和四角锥体,这主要是由于溶液中OH-在正极面上的吸附并影响了正极面生长的缘故;ZnS双晶的形成是由于溶液中存在正离子配位多面体[S-Zn4]6+和负离子配位多面体[Zn-S4]6-两种生长基元并相互结合构成双晶核所致,溶液中正、负配位四面体生长基元的多少与Zn2+、S2-的含量有关。由此合理地解释了晶体的极性生长和双晶的形成机制。 展开更多
关键词 极性生长 水热条件 双晶形成 硫化锌 晶体生长
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Ce:YAP晶体中的孪晶缺陷 被引量:2
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作者 李红军 苏良碧 +2 位作者 徐军 袁清习 朱佩平 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期663-666,共4页
采用同步幅射白光形貌及光学显微形貌等手段研究了Ce:YAP晶体中存在的孪晶缺陷.对孪晶的性质进行了表征,结果表明,它们为{101}和{121}孪晶.经分析,我们认为相邻且相近的晶格参数互换是孪晶形成的内在因素,并据此建立了孪晶结构模型;另外... 采用同步幅射白光形貌及光学显微形貌等手段研究了Ce:YAP晶体中存在的孪晶缺陷.对孪晶的性质进行了表征,结果表明,它们为{101}和{121}孪晶.经分析,我们认为相邻且相近的晶格参数互换是孪晶形成的内在因素,并据此建立了孪晶结构模型;另外,晶体生长过程中放肩阶段生长速率的突变则是导致孪晶形成的主要的外部因素. 展开更多
关键词 Ce:YAP晶体 孪晶缺陷 同步辐射白光形貌 晶体生长
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LED用硅掺杂GaAs晶体的生长与表征(英文) 被引量:4
7
作者 金敏 徐家跃 +3 位作者 房永征 何庆波 周鼎 申慧 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期594-598,共5页
采用坩埚下降法生长了LED用硅掺杂<511>取向的GaAs晶体。选用带籽晶槽的PBN坩埚作为生长容器,密封在石英安瓶中以防止生长过程中As蒸汽挥发。研究了掺杂工艺、固液界面形貌和生长缺陷。结果表明:孪晶化是硅掺杂GaAs晶体生长的主... 采用坩埚下降法生长了LED用硅掺杂<511>取向的GaAs晶体。选用带籽晶槽的PBN坩埚作为生长容器,密封在石英安瓶中以防止生长过程中As蒸汽挥发。研究了掺杂工艺、固液界面形貌和生长缺陷。结果表明:孪晶化是硅掺杂GaAs晶体生长的主要问题。探讨了孪晶形成机理,优化了生长工艺,成功获得了直径2英寸高质量的硅掺杂GaAs晶体,双摇摆曲线显示所得晶体的FWHM为40 arcsec。 展开更多
关键词 GAAS 晶体生长 坩埚下降法 硅掺杂 孪晶
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立方氮化硼晶体生长形态的研究
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作者 郑汉书 李达明 +1 位作者 刘光照 薛志麟 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1992年第4期379-382,共4页
本文研究了超高压高温条件下生长的立方氮化硼(cBN)晶体的结晶形态。实验发现在我们的条件下生长的规则形状的 cBN 单晶多为正四面体和负四面体组成的聚形,该晶体一般具有两组大小不同的{111}晶面。本文将晶体的极性生长效应应用到具有... 本文研究了超高压高温条件下生长的立方氮化硼(cBN)晶体的结晶形态。实验发现在我们的条件下生长的规则形状的 cBN 单晶多为正四面体和负四面体组成的聚形,该晶体一般具有两组大小不同的{111}晶面。本文将晶体的极性生长效应应用到具有部分离子性的 cBN 晶体上,解释了“N”表面和“B”表面具有不同生长速度的现象。同时,根据二维成核生长理论和凹入角生长机制初步解释了低温生长时 cBN 晶体常出现的厚板状“尖晶石律”双晶。 展开更多
关键词 氮化硼 高压 晶体
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KTiOPO_4的双晶结构及其对晶体生长的影响 被引量:3
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作者 施路平 王继扬 +2 位作者 刘耀岗 魏景谦 蒋民华 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第6期564-567,共4页
报道了KTiOPO_4 (KTP)晶体的双晶结构及其自然形态,讨论了双晶结构对晶体生长的影响。
关键词 磷酸钛氧钾 晶体 双晶结构
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近化学计量比铌酸锂晶体中机械孪晶的消除 被引量:1
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作者 宣晓峰 赵均 +1 位作者 张学进 朱永元 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期43-47,共5页
在用掺钾的助熔剂提拉法生长近化学计量比LiNbO3 晶体时,长出的晶体尾部很容易出现孪晶裂纹现象,这种孪晶被认为是机械孪晶。这种孪晶的起因是由于晶体生长的收尾和从熔体中提起晶体阶段,在晶体底部产生直径的缩进,在缩进产生的台阶处... 在用掺钾的助熔剂提拉法生长近化学计量比LiNbO3 晶体时,长出的晶体尾部很容易出现孪晶裂纹现象,这种孪晶被认为是机械孪晶。这种孪晶的起因是由于晶体生长的收尾和从熔体中提起晶体阶段,在晶体底部产生直径的缩进,在缩进产生的台阶处出现应力集中,从而造成孪晶的成核。通过采用适当的收尾过程,以避免直径台阶的出现,可以很好地消除这种孪晶及其引起的裂纹。 展开更多
关键词 近化学计量比铌酸锂晶体 近化学计量比 提拉法 晶体生长 孪晶 成核 直径 裂纹现象 应力集中 熔体
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磷化铟晶体中孪晶形成机理的研究进展 被引量:1
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作者 王书杰 孙聂枫 +4 位作者 徐森锋 史艳磊 邵会民 姜剑 张晓丹 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第8期593-601,669,共10页
孪晶可以降低化合物半导体单晶的成品率,是目前半导体材料领域研究的热点之一。针对InP及相关极易产生孪晶的半导体材料,系统介绍了孪晶形核的各类物理模型,归纳了材料属性、晶体生长放肩角度、温度梯度、生长速率、小平面、半导体极性... 孪晶可以降低化合物半导体单晶的成品率,是目前半导体材料领域研究的热点之一。针对InP及相关极易产生孪晶的半导体材料,系统介绍了孪晶形核的各类物理模型,归纳了材料属性、晶体生长放肩角度、温度梯度、生长速率、小平面、半导体极性及生长系统稳定性等因素对孪晶形成的影响。借助多晶硅中孪晶现象和形核机理解释了InP多晶中孪晶形核现象。同时,总结了掺杂剂及杂质元素对孪晶形成的影响。最后,对InP生长过程中孪晶形成及抑制方法进行了展望。InP单晶中孪晶的抑制将会大幅降低InP单晶衬底的成本,推动InP微电子及光电子领域的发展。 展开更多
关键词 孪晶 半导体材料 磷化铟(InP) 多晶硅 晶体生长
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天然金刚石孪晶的X射线衍射与形貌研究 被引量:2
12
作者 郭起志 于万里 《矿物学报》 CAS CSCD 北大核心 1992年第2期127-130,T002,共5页
本文利用X射线衍射和形貌术方法研究了辽南天然金刚石孪晶体。发现晶体中存在有孪晶界、位错、生长带和亚结构等多种缺陷。文中对部分位错进行了详细讨论,并确定其特征量;同时还分析各种缺陷的空间分布特点及其与孪晶界面的关系。
关键词 金刚石 孪晶 X射线衍射 形貌
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BPO_4晶体的生长及孪晶缺陷分析
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作者 沈卫军 胡小波 +5 位作者 傅佩珍 姚吉勇 曾文荣 陈创天 田玉莲 蒋建华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期140-143,共4页
利用助熔剂法 ,采用顶部籽晶技术生长出新型非线光学晶体材料BPO4 (简称BPO)晶体 ,用同步辐射白光X射线形貌术拍摄了 (0 0 1) ,(10 1)切片的形貌像 ,观察到了生长孪晶结构。从形貌像中可明显地观察到游离于主晶形貌像之外的孪晶形貌像 ... 利用助熔剂法 ,采用顶部籽晶技术生长出新型非线光学晶体材料BPO4 (简称BPO)晶体 ,用同步辐射白光X射线形貌术拍摄了 (0 0 1) ,(10 1)切片的形貌像 ,观察到了生长孪晶结构。从形貌像中可明显地观察到游离于主晶形貌像之外的孪晶形貌像 ,并从结构上解释了孪晶的形成原因。 展开更多
关键词 BPO4晶体 非线性光学晶体 晶体生长 缺陷 孪晶 同步辐射
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影响VGF法GaAs-Si单晶成品率的因素
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作者 王金灵 罗小龙 《广东化工》 CAS 2022年第23期21-23,共3页
阐述了现有VGF法GaAs-Si单晶生长过程中影响晶体成品率的各种因素。实验过程利用单晶生长炉进行生产出4英寸GaAs-Si单晶,使用磨床除去晶棒表面氧化层,再用氢氧化铵、过氧化氢和纯水按2∶1∶1浸泡,纯水冲洗干净,用纸巾擦干晶棒表面。通... 阐述了现有VGF法GaAs-Si单晶生长过程中影响晶体成品率的各种因素。实验过程利用单晶生长炉进行生产出4英寸GaAs-Si单晶,使用磨床除去晶棒表面氧化层,再用氢氧化铵、过氧化氢和纯水按2∶1∶1浸泡,纯水冲洗干净,用纸巾擦干晶棒表面。通过对晶体外观检测颜色差异性,用Hall测试仪检测晶体电性能、电子显微镜查看EPD等,判断砷化镓单晶的成品率及存在的缺陷问题。通过讨论了坩埚形状,坩埚质量,坩埚烘烤,GaAa原料清洗效果、石英管质量、晶体生长速度、生长温度、环境湿度和环境杂质9种因素对单晶生长的影响,基本解决了VGF砷化镓单晶生长成品率中的关键问题。 展开更多
关键词 成品率 砷化镓 单晶生长 VGF生长法 孪晶
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Pyroelectric Bi<sub>5-x</sub>(Bi<sub>2</sub>S<sub>3</sub>)<sub>39</sub>I<sub>12</sub>S: Fibonacci Superstructure, Synthesis Options and Solar Cell Potential 被引量:2
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作者 Hans Hermann Otto 《World Journal of Condensed Matter Physics》 2015年第2期66-77,共12页
Previously, synthetic hexagonal bismuth sulfide iodide (polar space group P63, a = 15.629(3) ?, c = 4.018(1) ?, Z = 2) has been described by the rather unsatisfactory fractional formula Bi19/3IS9 [1] 08D0C9EA79F9BACE1... Previously, synthetic hexagonal bismuth sulfide iodide (polar space group P63, a = 15.629(3) ?, c = 4.018(1) ?, Z = 2) has been described by the rather unsatisfactory fractional formula Bi19/3IS9 [1] 08D0C9EA79F9BACE118C8200AA004BA90B02000000080000000E0000005F005200650066003400310037003600350038003400370039000000 -[3] 08D0C9EA79F9BACE118C8200AA004BA90B02000000080000000E0000005F005200650066003400310037003600350038003400370036000000 . A redetermination of the structure using old but reliable photographic intensity data indicated the presence of additional split positions and reduced atomic occupancies. From the observed pattern of this “averaged” structure a consistent model of a superstructure with lattice parameters of a' = √13·a = 56.35(1) ?, c' = c, and a formula Bi5-x(Bi2S3)39I12S emerged, with 2 formula units in a cell of likewise P63 space group. Structural modulation may be provoked by the space the lone electron pair of Bi requires. When Bi on the 0, 0, z position of the “averaged” cell is transferred to two general six-fold sites and one unoccupied twofold one of the super-cell, more structural stability is guaranteed due to compensation of its basal plane dipole momentum. Owing to the limited intensity data available, more details of the superstructure are not accessible yet. Some physical properties and solar cell application are discussed together with suggestions of ambient temperature synthesis routes of c-axis oriented nano-rod sheets. 展开更多
关键词 Hexagonal Bismuth Sulfide Iodide SUPERSTRUCTURE Sub-Cell FIBONACCI Numbers Sequence Pyroelectricity crystal growth Nano-Rods Completely Inorganic Solar Cell twin-Cell Photocatalyst
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不同长度容器内MgSiO_3钙钛矿单晶的合成 被引量:1
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作者 许俊闪 吴小平 《高压物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期908-914,共7页
MgSiO3钙钛矿是地球下地幔中含量最丰富的物质,通常仅在高于22GPa的压力下才能稳定存在,研究其单晶性质非常困难。实验合成MgSiO3钙钛矿,尤其是大颗粒单晶,对于研究下地幔的性质极其重要。利用川井型多砧实验装置,在25GPa和1 500℃的条... MgSiO3钙钛矿是地球下地幔中含量最丰富的物质,通常仅在高于22GPa的压力下才能稳定存在,研究其单晶性质非常困难。实验合成MgSiO3钙钛矿,尤其是大颗粒单晶,对于研究下地幔的性质极其重要。利用川井型多砧实验装置,在25GPa和1 500℃的条件下合成了大颗粒MgSiO3钙钛矿单晶。通过对比不同长度样品容器的实验结果发现,即使在较长容器底端的大温度梯度区也可长出大颗粒的晶体,这与前人的实验结果不同。认为大温度梯度虽然可造成高结晶核密度,但也可以提高晶体生长的驱动力,使晶体更快生长,而且较长的容器可以增加晶体的产量。另外,还从孪晶的角度分析了MgSiO3钙钛矿的生长机制,对进一步认识和理解高压下MgSiO3钙钛矿晶体的生长特性有重要意义。 展开更多
关键词 MgSiO3钙钛矿 单晶 晶体生长 下地幔 高温高压 孪晶
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