常开型后栅极场致发射显示板工作特性的研究

常开型后栅极场致发射显示板是一种新型的场致发射器件。它直接利用阳极使阴极产生场致电子发射 ,而通过埋在阴极之下的栅极上施加负电压来阻止阴极产生场致电子发射来调制显示所需的图像。为了研究该场致发射显示板的阴极发射特性 ,本文采用有限元法对场致发射区域内的电场分布进行了模拟计算 ,用Fowler Nordheim(F N)公式计算了阴极表面的发射情况。并研究了阳极电压、阴极电压、阴调距、阴极宽度和阴极厚度等参数的改变对阴极发射特性和栅极调制能力的影响。计算结果显示阴极发射特性和栅极调制能力与上述电参数和结构参数关系密切 ,从而为优化设计这种显示器件提供了方向。

厚膜工艺制备后栅极场发射显示板的研究

讨论了包括丝网印刷、厚膜光刻、荧光粉沉积成膜、喷涂等厚膜工艺以及后栅极结构场致发射显示屏的制备工艺。研究了老炼工艺对阴极发射特性的改善。采用全厚膜工艺制备了2英寸后栅极场发射显示板样屏,在阳极距为1mm的后栅极结构中,阳极工作电压为2kV时,通过对样屏的测试分析,阴极开关范围差小于100V,达到了行列低压寻址驱动的要求,验证了全厚膜制备后栅极场发射显示板的可行性。

全丝印后栅CNT-FED仿真及器件研究

模拟并制作了一种基于丝网印刷技术的后栅结构碳纳米管场发射显示器。采用有限元分析软件ANSYS对器件进行了电场模拟,优化了阴极宽度、阴极厚度、阴极间隙、介质层厚度等结构参数。取最优参数制作了像素为30×30,发光面积为54mm×54mm的单色显示屏。在阳压为1500V、栅压为300V时,器件发射电流密度达到5μA/cm2。该器件制作成本低,稳定性和均匀性良好,可矩阵寻址实现字符显示。

后栅极场发射显示板结构参数在公差范围内变化对工作特性的影响

后栅极场发射显示板是一种常用的场致发射器件。该器件结构由阳极、阴极和栅极组成,并且栅极置于阴极背面。本文采用模拟计算的方法研究了标准结构场发射区域内的电场分布、阴极表面的发射情况、电子轨迹和着屏束斑。并研究了关键结构参数在公差范围内变化对阴极发射特性和阳极着屏束斑的影响。计算结果显示结构参数在公差范围内的变化对阴极发射状况,阳极束斑栅极调制特性的影响很小,进而证明了后栅极结构对工艺一致性要求较低。

一种基于纳米碳管的常开型后栅极场致发射显示板

提出了一种常开型后栅极场致发射显示板及其工作原理 .该显示板直接利用阳极使阴极产生场致电子发射 ,而通过埋在阴极之下的栅极上施加低于阴极电压的电压来阻止阴极产生场致电子发射 ,从而来调制显示所需图像 .文中采用有限元法对该场致发射器件的电场强度分布进行了模拟计算 ,并研究了该器件中阴极的发射特性 .计算结果表明在该场致发射显示板中 ,阴极发射均匀性好 ,发射面积大 。

不同驱动方式下后栅极场发射显示板的工作特性

针对后栅极FED提出一种新型驱动方式,场发射电子由阳极电压产生,而在栅极施加负电压抑制场发射电子的产生.采用模拟计算的方法比较了相同结构参数的后栅极FED在传统和新型驱动方式下的工作电压以及阴极场发射和阳极束斑情况.计算结果显示新型驱动方式提高了阳极工作电压,改善了阴极场发射电子分布和阳极束斑,有利于提高发光效率、增加器件寿命.并研究了在2种驱动方式下阴极宽度和介质厚度在公差范围内变化对阴极发射特性和阳极束斑的影响.结果显示在新型驱动方式下,器件的阴极宽度和介质厚度对阴极发射特性和阳极束斑的影响均较小,因此常开型后栅极结构FED对工艺制作的一致性要求较低,从而降低了成本.

深部矿井动压回采巷道围岩大变形破坏机理

针对深部动压回采巷道的大变形失稳破坏及其控制难题,建立了深部动压环境下圆形巷道力学模型,导出了塑性区边界隐性方程式。在此基础上,对深部动压巷道塑性区形态演化规律进行深入分析,阐明了第I类及第II类蝶形塑性区形成的力学条件,界定了塑性区恶性扩展及其临界的定义,揭示了深部动压回采巷道的变形破坏机理。结果表明,开采动压影响比常规条下围岩更易产生蝶形塑性区,且蝶叶发育尺寸、塑性破坏范围更大。随着动压影响的增强,巷道区域应力场成为超常规的超高应力场,巷道顶底、两帮的塑性破坏进一步向深部扩展,变形加剧,致使塑性区恶性扩展,最终造成围岩大变形破坏。对于深部动压回采巷道的设计、支护应充分考虑如何避免或降低动压的影响,改善围岩应力环境,减小蝶叶塑性破坏深度,以便更好地维护巷道。

后栅结构四针状纳米ZnO场致发射显示器的研制

为了解决二极结构FED驱动电压高的问题,设计制作了后栅式三极结构纳米ZnO场致发射显示器,进行了场致发射实验,验证这种结构的可行性。采用丝网印刷厚膜技术实现后栅极结构FED的制作,工艺简单,实现了较低电压的调制。对影响场致发射性能的栅极电压、阳极电压进行了分析讨论。将阴栅极板和荧光屏封装成5英寸三极结构的场致发射显示器,实现了稳定的场致电子发光显示。

SiO_2/聚酰亚胺/SiO_2复合薄膜绝缘性能及基于聚酰亚胺复合薄膜的后栅型场致发射性能的研究

使用射频磁控溅射和化学溶液法制备了SiO2/聚酰亚胺(PI)/SiO2绝缘膜。分别使用X射线衍射、扫描电镜对薄膜结构和薄膜表面形貌进行了表征;利用超高阻微电流测试仪测试了SiO2/PI/SiO2复合绝缘膜漏电流和电压击穿特性;采用SiO2/PI/SiO2作为绝缘膜,制作了后栅型场致发射器件,使用场发射测试系统测试了器件的开启电压、发射电流以及发光亮度。结果表明:SiO2/PI/SiO2复合绝缘膜具有高的击穿电压和低的漏电流密度,后栅器件中栅极对阴极表面的电场强度调控作用明显,阳极电压为750V时,栅极开启电压为91 V,阳极电流可达384μA,栅极漏电流仅为59μA,器件最高亮度可达600 cd/m2。

钱塘江强潮河口排涝闸现状、问题及应对措施

目前钱塘江河口沿线的挡潮排涝闸以内凹式布置为主,闸室宽度规模约为闸上河道宽度的0.60~0.85。由于钱塘江河口所具有的强涌潮和高含沙量特性,容易造成闸下淤积,局部淘刷严重;加上闸上河道配套规模偏小,从而影响了排涝闸排涝能力的充分发挥。针对上述问题,结合多年工作实践经验和前人的研究成果,提出了在闸前增设调蓄设施、闸轴线与堤线一字型布置等技术。上述措施可以在确保工程安全的前提下,有效地提高排涝闸的排涝能力,有利于提高区域的防灾减灾能力,为当地社会和经济发展提供防洪安全保障。研究成果可为感潮河口排涝闸等类似工程的设计提供参考。

后栅极场致发射显示板制作的研究

介绍了具有广阔应用前景的平板显示器件——场致发射显示板及其优良的显示性能。三极结构具有低压调制的优点，而后栅极场致发射显示板更具有结构简单、发射均匀性好的优势。采用丝网印刷工艺成功地制作了后栅极场致发射显示板，利用碳纳米管作为阴极材料，并对介质层厚度对器件的影响、老炼、发光均匀性等问题进行了探讨。

基于同步信号的多路延时IGBT驱动电路设计

基于同步信号设计了一种可实现相互之间高压隔离的IGBT多路延时驱动电路系统,并应用到Marx电路中,实现了可柔性调节的阶梯型脉冲高压输出。试验结果表明,延时驱动电路可实现最大30μs的延时,且具有IGBT驱动电压欠压保护、自给反向栅压等功能,同时场效应管的存在抑制了栅射极电压振荡。驱动信号高压隔离变压器为单原边多副边结构,简单紧凑,通过副边数目的增减,可驱动不同级数的Marx电路,具有扩展性好的优点。过流保护电路反应速度快,IGBT关断可靠,可在2μs之内抑制短路电流继续上升。该驱动电路应用于10级的Marx电路中,实现了峰值电压10 kV,脉冲宽度30μs,最大电压阶数10阶的脉冲高压输出。

一种新型下卧式闸门设计计算方法的研究

介绍了一种可以绕安装在闸室底板的转动轴转动,以适应不同水位和流量控制要求的新型闸门。下卧式闸门在挡水门顶溢流运行时,所形成的水流现象非常复杂,闸门受力也相对较复杂,目前没有相应规范来指导计算。采用平面简化结构计算和三维有限元计算相结合,然后通过两种计算结果分析后对闸门结构进行优化。

镁合金反重力消失模铸造临界阻流面积的研究

通过 4组试验研究了不同阻流面积情况下镁合金充型速度的变化规律 ,探讨可控气压下镁合金消失模铸造临界阻流面积大小及其与模样尺寸的关系。试验结果表明 ,可控气压下镁合金消失模铸造存在一个临界阻流面积 ,且液态镁合金在压缩气体和真空度的双重作用下 ,充型速度较快 ,临界阻流面积大于重力消失模铸造临界阻流面积 ,且随着铸件模数的增大而增大。

闸底井注浆封堵处理实践

闸基下安装监测设备时需施工设备井,在施工及使用过程中因井封堵不严出现喷水冒砂现象。结合宿鸭湖水库工程,介绍了闸底井注浆封堵的方案设计和施工工艺,对侧向挤压注浆的注浆压力、水灰比及注浆措施进行了阐述,并对注浆原理及注浆效果进行了分析。

汽车塑料电镀装饰条注塑模具设计

根据捷豹轿车的扭曲U形薄片状电镀装饰条的结构特点,设计了热流道转冷流道的浇注系统;针对传统的潜伏浇口在脱模时浇道凝料刮模具产生塑料粉的问题,设计了一种在斜顶下进胶的潜伏浇口;为解决塑件端部电镀时出现过度电镀的问题设计了圆弧形的分流道。此外,根据塑件结构设计了四面倾斜式斜导柱侧抽芯机构。经检验,所设计的模具结构合理,动作可靠,很好地满足了塑件成型和电镀要求。

船闸弧形门门下输水试验研究

本文提出弧形门门下输水不同边界的流量系数和输水水力计算的α值。可供船闸设计规范及输水水力计算参考应用。

带有复杂机电联系的电力拖动系统的研究

对带有复杂机电联系的电力拖动系统进行了分析和研究，并提出了采用基于状态观测器的状态反馈加负载加速度反馈的控制方法。结果表明，该方法对改善系统的性能，提高系统的鲁棒性有良好的作用。

刻蚀型介质后栅FED器件的研究

针对后栅型场致发射显示器(FED)器件介质层制作困难的问题,提出采用刻蚀型介质制作后栅型FED器件。该器件采用普通银浆制作栅极电极,以刻蚀型介质制作介质层,采用感光银浆制作阴极电极,并作为介质刻蚀的掩膜层,CNT为阴极发射材料。器件耐压测试结果表明该介质层耐压性能良好,场发射测试结果表明该器件场发射性能优良。

一种通道复用的高可靠性隔离IGBT栅极驱动器

采用SIMC 0.18 um BCD工艺,设计一种输出电流2 A,隔离电压5 kV,CMTI为100 kV/us的单通道隔离IGBT栅极驱动器,该IGBT栅极驱动器集成双侧欠压保护、退饱和保护,具有高可靠性.为节省芯片面积和成本,提出一种通道复用技术,将高压侧退饱和状态监测信号(FLTH)和欠压闭锁状态监测信号(RDH)编码后使用一个数字隔离通道同时传输至低压侧,简化电路结构,节省芯片面积约10%.当发生欠压闭锁时,隔离式IGBT栅极驱动器不工作;当未发生欠压闭锁时,可以通过编码信号的脉冲宽度来区分是否发生退饱和状态.仿真与测试结果表明:采用通道复用技术可以准确的将高压侧的退饱和状态监测信号和欠压闭锁状态监测信号传输至低压侧.