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非对称性隧穿电容单电子器件模型与模拟
1
作者
罗佳亮
李垚
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第8期843-847,共5页
在基于单电子晶体管的半经典理论和主方程模型的基础上,提出了一种采用非对称隧穿电容设计的单电子晶体管,并用计算机模拟了对称结构的单电子晶体管和非对称隧穿电容(电阻)结构单电子晶体管的特性.模拟结果表明,用主方程法模拟非对称隧...
在基于单电子晶体管的半经典理论和主方程模型的基础上,提出了一种采用非对称隧穿电容设计的单电子晶体管,并用计算机模拟了对称结构的单电子晶体管和非对称隧穿电容(电阻)结构单电子晶体管的特性.模拟结果表明,用主方程法模拟非对称隧穿电容(电阻)结构设计的晶体管,其伏安特性曲线除仍保留对称结构具有的周期性以外,还具有正弦态、电阻态、方波态、截止态四种形态.其性能也有差异.
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关键词
单电子
主方程
隧穿电容
非对称性
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职称材料
题名
非对称性隧穿电容单电子器件模型与模拟
1
作者
罗佳亮
李垚
机构
中国科学技术大学物理系
出处
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第8期843-847,共5页
文摘
在基于单电子晶体管的半经典理论和主方程模型的基础上,提出了一种采用非对称隧穿电容设计的单电子晶体管,并用计算机模拟了对称结构的单电子晶体管和非对称隧穿电容(电阻)结构单电子晶体管的特性.模拟结果表明,用主方程法模拟非对称隧穿电容(电阻)结构设计的晶体管,其伏安特性曲线除仍保留对称结构具有的周期性以外,还具有正弦态、电阻态、方波态、截止态四种形态.其性能也有差异.
关键词
单电子
主方程
隧穿电容
非对称性
Keywords
single-electron
master-equation
tunneling capacitance
unsvmmetrv
分类号
TN323.5 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
非对称性隧穿电容单电子器件模型与模拟
罗佳亮
李垚
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2009
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