低体积分数瓦斯发动机混合器优化

针对某型号低体积分数瓦斯发动机启机成功率低的问题开展分析与研究。基于ANSYS Workbench的Fluent模块,建立从燃料阀前到增压器前的流道三维数模,并对模型进行标定。基于该模型开展仿真计算和优化设计,并在低体积分数瓦斯发动机上进行验证。试验结果表明:改进后的导向型混合器能够在瓦斯体积分数为11%~14%的工况下,在增压器入口前可获得0.7以上的过量空气系数,启机成功率大大提高。

基于65nm CMOS工艺的毫米波正交上变频混频器设计

针对射频发射机中镜像干扰信号难以滤除的问题,基于65 nm CMOS工艺设计了一款应用于5G毫米波通信的宽带正交上变频混频器.电路核心部分采用了改进的吉尔伯特混频器结构,通过电流复用跨导级和负阻技术来提高混频器的转换增益.在混频器射频输出端,基于变压器巴伦,设计了面积小、结构简单的信号合成电路,用于四路射频信号到单端信号的转换以及输出端阻抗匹配.同时,在本振输入端,设计了差分正交耦合器生成四路正交本振信号.仿真结果显示,正交上变频混频器电路在35~45 GHz频率范围内,实现了最大4.53 dB的转换增益.输出1 dB压缩点达到3.25 dBm,镜像抑制度在20 dB以上,本振到射频的端口隔离度在27 dB以上.无源电路的小型化设计使得芯片的总面积仅为0.327mm^(2).在1.2V的直流偏置电压下,芯片功耗仅为28.6 mW.

1.9GHz高线性度上混频器设计

介绍了采用0．35μmCMOS工艺实现的单边带上变频混频电路。该混频电路可用于低中频直接混频的PCS1900（1850～1910MHz）发射器系统中。电路采用了multi—tanh线性化技术．可以得到较高的线性度。在单电源＋3．3V下，上混频器电流约为6mA。从上混频电路输出级测得ⅡP3约8dBm，IP1dB压缩点约为0dBm。

相似放大理论在密炼机结构设计中的应用

首先建立一个基于几何相似、最大剪切应力恒定及胶料黏度相似准则的密炼机几何模拟放大模型.然后以胶料质量相似为设计目标,选择4个几何放大比例因子,以相似准数的形式写出模型与实物的相似条件,根据放大准则和流变理论建立了一个密炼机模拟放大模型.以此相似放大理论作为设计平台,设计一台370L密炼机模型,并与原型机(BB270)和实际机(BB370)进行比较.结果表明:单个参数误差小于10.70%,几何参数群A误差小于8.00%,其设计偏差满足工程设计需要;模型机的混炼质量与原型机相近,达到了密炼机模拟放大的设计目标.

放大准则对混合澄清槽混合室中混合时间和流动特性的影响

工业混合澄清槽混合室的放大设计多基于操作经验,缺乏理论基础。基于几何相似放大,采用计算流体力学(CFD)方法,针对间歇操作的单相体系,对4种不同放大准则下混合室内混合时间和流场特性的变化规律进行研究。结果显示,混合时间的计算值与测量位置有关,但随转速的增加受测量位置的影响减小;充分湍流条件下,本研究体系的功率准数趋于常数NP=1.3,且几何相似放大可以保证混合室中轴向流动的流型特征;等桨叶端面速度和等Reynolds数准则下,所需混合时间长,且抽吸压头小;等循环时间准则下,可以得到与基准混合室相同的混合时间和较高的抽吸压头,但单位体积功耗急剧增加到基准槽的24倍;等单位体积功耗准则下,在满足具有较低的混合时间和较高的抽吸压头的同时还保证了较低的单位体积功耗,优于其他3种放大准则。

基于能量等效的双转子连续混炼机混炼段相似放大研究探讨

根据双转子连续混炼机自身特性和等效平均停留时间、等价转子顶部剪切速率的原则,以能量等效为衡量混合效果的准则,提出双转子连续混炼机混炼段相似放大设计的流程及其理论模型。在该模型确定的转子转速和喂料速率下,利用Polyflow软件模拟了机筒内径分别为30 mm和100 mm的双转子连续混炼机混炼段和卸料段内的流场特征,以能量等效为指导准则,通过对流场特征和混合效果进行分析,对所提出的相似放大设计理论模型进行了验证。

4～8GHz雷达载波产生的硬件电路设计

本文主要讨论的是如何产生4～8GHz雷达载波信号。首先，给出了电路设计的整体方案，对其工作原理进行了详细的说明。其次，对方案的主要部分进行了硬件电路设计，给出了详细的设计原理图。该电路设计主要是基于AD9854和压控振荡器基础上，以DSP为控制核心来实现的。该方法对其他波段雷达载波或雷达信号的产生同样具有重要的参考价值。

L波段四通道发射电路芯片的设计与实现

基于有源相控阵雷达的应用,设计了一款四通道的发射芯片,适用于发射1.2-1.4 GHz的射频信号。电路设计采用直接上变频的结构,将低频的基带信号转换为射频信号。针对直接上变频输出谐波多和输出功率低的问题,采用高阶滤波器、窄带选频网络的双平衡混频器和多级可调电压增益放大器（VGA）并联形式的驱动放大器等技术,降低了输出谐波的幅度并提高输出功率。电路采用SMIC 0.13μm CMOS工艺进行了设计仿真和流片,芯片面积为3.6 mm×3.4 mm。测试结果表明,四通道直接上变频发射芯片的发射功率可达15.4 dBm,动态增益不小于36.3 dB,通道隔离度不小于43.3 dB。芯片的功耗为837.6 mW。

上变频混频器LT5519的原理与应用

LT5519是Linear公司推出的高线性度上变频RF混频器.该芯片由双平衡混频器、高性能本振缓冲器、偏置/使能电路组成.LT5519 的有源混频器结合了低失真、低LO(本地振荡器)驱动要求、端口至端口高度隔离、低转换损耗等性能.LT5519工作在 0.7～1.4 GHz频率范围,其RF输出端集成了RF变换器,并有匹配电阻,有效地减少了外围匹配元件.他可工作于一端接地的单端模式.LT5519可应用于高线性度的无线基础设施、有线下行链路基础设施、点对点和一点对多点的数据通信和高线性渡的频率转换器等器件中.本文介绍了LT5519的特性、原理及应用电路.

液—液重力澄清槽的设计放大 (Ⅰ)基本原则和途径

本文结合作者的研究实践评述了混台澄清槽内液—液重力澄清槽的设计放大方法和途径。Ryon 等人提出的"面积原则"首次使澄清槽的设计放大方法建立在科学的基础上,至今仍具有广泛的适用性。采用间歇澄清实验确定的参数予测连续澄清槽的澄清特性,进而进行连续澄清槽的设计放大可以大大减少进行中间工厂规模的连续澄清试验所需要的耗费。

混铁炉炉底渣铁的控制爆破

主要介绍混铁炉炉底渣铁控制爆破的方案选择，炮眼布置方式及装药量的计算。同时对其施工组织与安全措施作了简要叙述。可供有关单位参考。

上辅机的现状和发展方向

讨论了密炼机上辅机的发展现状和技术进展,指出智能化气力输送、智能密炼控制系统、智能配料称量系统是当前发展的方向。它可以弥补理论研究的不足,利用专家经验,自动控制、优化工艺过程。对于胶料称量与供给,指出各种提升机的优缺点,提出将胶块和胶片自动切胶、自动输送是今后的方向。

通信系统中数字上变频技术的研究与设计

为了将通信系统中数字基带信号调制到中频信号上,采用数字上变频技术,通过对数字I、Q两路基带信号进行FIR成形滤波、半带插值滤波、数字混频处理得到正交调制后的中频信号,最后经MATLAB仿真分析得到相应的时域和频域图,来验证电路设计的有效性。

双环戊二烯解聚过程预混合器应用研究

对双环戊二烯解聚反应中预混合器的应用进行了试验研究 ,考察了静态混合器的压降及混合作用效果 ,并就静态混合器的传热强化作用对解聚反应的影响进行了模拟计算 。

高线性度上变频混频器设计

首先介绍了二次变频接收机的架构及其优点 ,随后采用 Gilbert单元设计了适用于二次变频结构数字电视调谐器的上变频混频器。基于 Chartered 0 .2 5μm CMOS工艺的仿真结果显示该混频器达到了良好的性能 ;转换增益为 3 d B,在 5 0～ 860 MHz的频率范围内增益变化小于 0 .5 d B,IIP3为 1 0 d Bm,在 3 .3 V单电源下消耗 2 0 m A的电流。

用于WCDMA发射机系统的SiGe BiCMOS上变频混频器

设计了一种用于WCDMA发射机系统的1.95 GHz上变频混频器。电路采用传统的双平衡吉尔伯特结构,并引入电流注入和多双曲正切技术,实现了较高的转换增益和线性度。基于宏力0.18μm SiGe BiCMOS工艺,对电路进行仿真。结果显示,该双平衡有源混频器转换增益约为6 dB,1 dB输出线性度约为4 dBm,噪声在15 dB左右,表明该电路达到基本性能要求。

气体搅拌的萃取塔气-液-液系统流体力学性能和传质特性

１引言采用机械搅拌的萃取塔已广泛地应用在石油和化学工业生产中。近年来，一些研究学者又开发了用气体进行搅拌的萃取过程［１～３］，与机械搅拌相比，采用气体搅拌具有塔内无运动部件、操作稳定、结构简单、能耗低等特点，无疑给操作带来方便。如果在塔内装入静态混合...

一体化Ka波段上变频组件

设计了一款集本振倍频链(有源二倍频器、带通滤波器、增益放大器)、上变频器和射频增益放大器等功能部件的集成Ka波段上变频组件,在方案设计的基础上完成了分部件电路的仿真计算,实现了集成一体化设计,并给出了加工版图,计算结果较好地满足了设计要求:变频增益≥10dB,增益平坦度≤±1dB,P-1dB≥5dBm,三阶交调30dBc,两端口驻波比≤2。电路采用混合集成电路实现,制作在R/T5880基板上,整个电路尺寸为52mm×47mm。

便携式UHF RFID阅读器中发射前端电路设计

采用0.18μm CMOS工艺设计并制作了一款应用于便携式UHFRFID阅读器的射频发射前端电路。所设计的有源I/Q上混频器通过开关控制Q支路的信号输入,实现了EPC Global Class-1Gen-2协议中所要求3种调制方式;驱动放大器通过实现增益7级数字可调有效地预放大混频器的输出信号。在1.8V的电源电压下,测得阅读器前端电路的主要性能参数如下:上混频器的输入端P1dB,达到-14.9dBVrms,转换增益和噪声系数分别为3.18dB和13.20dB;驱动放大器的输出端P1dB在50Ω阻抗上达到3.5dBm,转换增益可调范围和噪声系数变化范围,分别为7.90～16.30dB和3.10～5.00dB。

一个应用于探测生理信号SoC中的CMOS全集成高线性度低噪声上变频器设计

本文设计一款用于探测生理信号SoC芯片中的5GHz双边带上变频器.该混频器基于传统的吉尔伯特单元,采用交流耦合curren-t bleeding结构以及三阶非线性失真抵消技术抑制非线性.通过将跨导级晶体管偏置在不同的工作区域(transconductance-boost结构),使得带内变频损失小于5dB而IIP3介于22.3dBm到39.8dBm,而且双边带噪声指数小于8.2dB.应用全差分结构和感性源极钝化,再次抑制了二阶以及三阶失真.全部上变频器在1.2V供电条件下总功耗为8.4mW.