局部凸起在V形钝前缘模型中的降热特性研究

三维内转式进气道的唇口结构通常存在复杂的激波干扰及严酷的气动热载荷,严重威胁高超声速飞行器的性能与安全.在6.0马赫的高超声速流动中,以V形钝前缘模型为研究对象,设计了局部凸起的被动流动控制降热方案.采用数值模拟手段,首先研究了局部凸起方案的降热能力以及降热原理,然后初步优化了局部凸起的位置、高度以及宽度等关键设计参数,最后分析了优化后的局部凸起方案的攻角、侧滑角及马赫数的适用性.研究结果表明:上游凸起边缘形成的斜激波与主马赫反射结构形成的透射激波发生干扰,能够减弱其冲击壁面的强度,实现降热的目的;驻点凸起通过改变超声速射流的对撞角度,能够降低其对撞的强度,实现降热的目的.原始方案的降热能力约为37.75%,在对局部凸起的关键设计参数进行初步优化后,优化方案的降热能力将提升至44.60%.设计工况下的优化方案具有良好的攻角适用性,而高度可变的优化方案可以较好地适用于有侧滑角及高马赫数的流动.在研究范围内,高度可变的优化局部凸起方案的降热能力均高于20%.

（Sr，Pb）TiO_3系V型PTC材料研究

本文研究了（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ＿３系Ｖ型ＰＴＣ材料的制备及导电机理。指出该材料的ＰＴＣ效应仍起源于受主态在晶界形成的势垒，其强烈的ＮＴＣ效应则是由于载流子的生成能和迁移激活能较大所引起。

V形前缘对激波入射边界层流动影响的数值模拟与分析

为指导V形溢流唇口下游的进气道内部流动分析,采用数值模拟开展V形尖前缘对二维斜激波入射平板边界层流动的影响研究。以气流偏转角6°的二元楔面为基准激波发生器,设计了展向气流收缩角α(0°~60°,0°对应二元构型)的V形前缘构型,开展对比研究。结果表明,V形前缘构型使得激波入射位置沿展向不均匀、流动具有明显三维特征,并且干扰区壁面压强上升、分离区尺度明显增大。在α=0°~60°范围内,干扰区流动的不均匀程度、分离区尺度随α增大单调增加。进一步分析表明,V形前缘构型干扰具有中间平直、侧边斜掠的耦合入射特性,体现为对称面壁面压强符合自由干扰理论,侧边斜掠入射区参数符合斜掠干扰的锥形流特征。对比二元与α=45°构型的无粘模拟结果,V形前缘会诱导展向两侧对称的斜掠激波、并在对称面相互干扰产生平直的"桥"激波,这使得激波入射位置沿展向不均匀并偏向下游。其中对称面处平直入射激波压升比(2.49)高于二元构型结果(2.24),侧边斜掠激波强度与二元构型基本一致。这些因素综合导致V形前缘构型的分离尺度增大。

110kA无隔板镁电解槽电解质成分的选择及其实践

国内某厂 1 1 0kA无隔板镁电解槽自 2 0 0 1年 2月启动至今 3年多的时间 ,电解质成分历经了由高钙、低钾含量至低钙、高钾含量的巨大变化。其间 ,通过对电解质不同组分性质的研究 ,逐步调整了电解质成分并在生产中加以运用。生产实践表明 ,选择采用高钠 (NaCl40 %～ 48% )、高钾 (KCl 30 %左右 )、低钙 (CaCl 2 5 %～ 1 0 % )及适当氯化镁浓度 (MgCl2 1 0 %～ 1 8% )的电解质成分能够明显提高电解槽的电流效率、降低粗镁的直流电耗。同时 ,在一定程度上也改善了生产过程中频繁出现的镁汇聚不好。

(Sr,Pb)TiO_3系V形PTCR陶瓷材料的研制

研究了原材料、液相添加剂ＢＮ对Ｙ３＋掺杂的（Ｓｒ０．４Ｐｂ０．６）ＴｉＯ３Ｖ形ＰＴＣＲ陶瓷半导化和显微结构的影响。结果表明，添加剂ＢＮ能促进晶粒生长、改善显微结构、显著降低室温电阻率ρ２５和烧结温度。用常规的制备方法制得居里温度ＴＣ≈２１０℃、ρ２５≤５．０×１０３Ω·ｃｍ、电阻温度系数α４０≈１３％℃－１、电阻率ρ突变比ρｍａｘ／ρｍｉｎ＞５．０×１０３的Ｖ形ＰＴＣＲ陶瓷材料。

A位施主掺杂对液相合成(SrPb)TiO_3基陶瓷热敏特性的影响

以液相合成的（ＳｒＰｂ）ＴｉＯ３为主要原料，分别以Ｙ２Ｏ３，Ｌａ２Ｏ３和Ｂｉ２Ｏ３为掺杂剂制备样品，讨论了每种掺杂对材料的Ｖ型ＰＴＣ热敏特性及微观形貌的影响，确定了每种掺杂剂的最佳掺量，并对其半导机理进行了分析．

前壁急性心肌梗死V_1和V_(3R)导联ST段变化与冠状动脉分布的关系

目的：探讨前壁急性心肌梗死病人Ｖ１和Ｖ３Ｒ导联ＳＴ段变化与冠状动脉分布的关系。方法：前壁急性心肌梗死病人３４例，入院时均采集标准１２导联及Ｖ３Ｒ导联心电图，入院１０天内进行冠状动脉造影，评价心电图变化与冠状动脉分布的关系。根据Ｖ１导联ＳＴ段抬高幅度将病人分为两组：Ａ组（ＳＴ段抬高≥１．５ｍｍ，１５例）和Ｂ组（ＳＴ段抬高＜１．５ｍｍ，１９例）。将起源于右冠状动脉的圆锥动脉分为两种类型：小圆锥支型和大圆锥支型。结果：Ｖ３Ｒ导联ＳＴ段抬高在Ａ组和Ｂ组分别为１４例（９３％）和６例（３２％，Ｐ＜０．００１），小圆锥支型者在Ａ组和Ｂ组分别为１２例（８０％）和３例（１５％，Ｐ＜０．００１），大圆锥支型者１３例，均来自Ｂ组。结论：前壁急性心肌梗死病人入院时Ｖ１导联ＳＴ段抬高与Ｖ３Ｒ导联ＳＴ段抬高密切相关，均为小圆锥支型者。前壁急性心肌梗死Ｖ１导联无ＳＴ段抬高，表明除左前降支的间隔支供血外，心室间隔还得到大圆锥支型的血液供应而受到保护。

铅硫同位素在地球化学勘查中的应用

铅硫同位素用于地球化学勘查是一项探索性的工作。为进一步证实其在多金属矿床勘查中的作用,选择热液铅锌矿床开展铅同位素追踪深部矿体试验,选择斑岩型铜矿床开展硫同位素识别矿化蚀变分带试验及δ34S垂向变化规律探讨。试验结果表明,铅同位素组成和三维拓扑V值可预测深部矿体,由上而下,数值增高预示着深部还有矿体;水平方向上,δ34S均值由高温蚀变区到低温蚀变区呈现出增高的趋势,此特点可用于鉴别矿化蚀变分带;垂直方向上,矿体δ34S均值总体随深度增加逐渐增大,若不同层位(标高)的岩石性质及其硫同位素背景存在差异,当其与成矿溶液叠加后,可导致δ34S均值呈跳跃式变化。

溶胶半导化工艺制备(Sr,Pb)TiO_3系热敏电阻材料

用溶胶－凝胶法制取了钇（Ｙ）掺杂剂溶胶。利用Ｙ溶胶添加剂对钛酸锶铅Ｖ型正温度系数材料进行了半导化。为便于比较，制备了具有不同含量Ｙ溶胶添加剂及Ｙ２Ｏ３固相氧化物的（Ｓｒ０．５，Ｐｂ０．５）ＴｉＯ３样品。实验结果表明，Ｙ溶胶作为半导化添加剂优于Ｙ２Ｏ３固相氧化物，它能改善（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３系陶瓷的各项性能。通过Ｙ溶胶添加剂所制备的（Ｓｒ０．５，Ｐｂ０．５）ＴｉＯ３样品的最小电阻率为２．９０×１０２Ω·ｃｍ，其Ｙ溶胶引入量ｒ（Ｙ）为０．４５％。

自燃烧合成(Sr,Pb)TiO_3及其阻-温特性

用自燃烧法低温合成了单相 (Sr,Pb) Ti O3陶瓷粉末 ,研究和确定了自燃烧反应的 p H值条件 ,分析了自燃烧反应历程。测量了 (Sr,Pb) Ti O3的居里温度及 Y掺杂陶瓷阻 -温特性。结果表明 ,(Sr,Pb) Ti O3的居里温度较理论计算值稍有偏移。典型陶瓷样品的电阻升阻比为 4.2 ,V型特性明显。Y掺杂陶瓷样品的电阻率与 Y掺杂量之间关系符合一般稀土掺杂规律。

PbWO_4晶体中铅空位周围晶格弛豫的研究

使用相对论性密度泛函计算程序,按照能量最低原理采用共轭梯度方法,对缺铅的钨酸铅晶体进行结构优化处理.计算了铅空位周围晶格的弛豫,得到铅空位周围的晶格结构.结果表明,铅空位周围次近邻的正离子(Pb2+和W6+)向铅空位迁移,而铅空位周围最近邻的负离子(O2-)向远离铅空位的方向迁移.晶格的驰豫结果使铅空位处的电负性降低.

免维护铅酸蓄电池IU特性(DIN41773)充电机

基于开关电源及单片机技术,文章研究了一种符合德国D IN41773免维护铅酸蓄电池IU特性充电标准的带温度补偿充电机。使用表明,该充电机对免维护蓄电池具有良好的充电效果及保护作用。

用靠模法加工圆球面

球形零件可采用数控机床加工,但加工成本较高。介绍一种利用靠模加工球面零件的方法,只需将普通车床简单改装即可。具有效率高、成本低的优点。

掺Y^(3+)的TiO_3系V型PTC材料制备工艺研究

以（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３为主要原料，以Ｙ２Ｏ３为掺杂剂制备样品，论述了（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３系Ｖ型ＰＴＣ材料的制备工艺要点，确定了掺杂剂的最佳掺量，并对其半导机理进行了分析。

三维内收缩式进气道V形溢流口热流计算与分析

为了获得流场特性和热流影响规律,将高超声速进气道中带有V形的溢流口进行简化,采用数值计算和实验相结合的方法研究了简化后V形溢流口的前缘热流,对比分析了不同前缘钝化构型、不同前缘角θ以及不同倒圆半径比R/r下V形溢流口的热流分布。结果表明,和钝头体以及旋成体相比,钝化的V形溢流口受到更加严重的热载荷,流场结构也更加复杂;改变前缘角θ并不能显著降低热流,可见通过改变前缘角θ对溢流口前缘热流改善能力有限;倒圆半径比R/r对V形溢流口热流影响明显,倒圆半径比R/r<6时,溢流口前缘气动受热剧烈,倒圆半径比R/r>6时,热流峰值降低且随倒圆半径比R/r变化不明显。在进气道设计中应综合考虑气动性能和热防护等因素进行合理取舍。

斜激波入射V形钝前缘溢流口激波干扰研究

针对内转式进气道溢流口这一关键部位所面临的三维复杂激波干扰问题,将溢流口提炼简化为V形钝前缘平板,采用激波风洞实验观测结合数值模拟的方法,研究了前体斜激波与V形钝前缘溢流口相对位置变化引起的激波干扰的演化规律。结果表明:由于V形钝前缘自身的激波干扰,其驻点前弓形激波的脱体距离较大,波后存在大范围的亚声速区。当斜激波入射在该弓形激波接近正激波的部分时,发生Edney第Ⅳa类激波干扰,该流动结构与V形钝前缘自身带来的三维激波干扰相互耦合,形成多处超声速射流区域;当斜激波入射在该弓形激波亚声速区的声速点附近时,呈现出不同于Edney第Ⅲ类激波干扰的波系结构;当斜激波入射在该弓形激波的超声速部分时,形成的波系结构与Edney第Ⅱ、Ⅵ类激波干扰类似。

几何参数对V字形钝前缘气动热特性影响

针对三维内转式进气道V字形唇口部位气动热载荷严酷的问题,将唇口简化为V字形钝前缘,在来流马赫数6条件下,采用数值模拟并辅以激波风洞实验,研究了气动热随前缘几何参数的变化规律.结果表明,在半径比R/r(根部倒圆半径R和前缘钝化半径r之比)和半扩张角β的联合作用下,V字形根部主要出现三种激波反射类型,其壁面热流峰值的位置和大小均差异明显.在(R/r,β)几何参数空间中,当R/r和β都相对较小时,V字形根部发生异侧激波规则反射,超声速气流冲击驻点附近壁面,并产生极其严酷的第一类中心热流峰值,最高可达相同钝化半径圆柱驻点热流的12倍.当R/r或β较大,V字形根部发生马赫反射时,异侧超声速射流对撞以及激波/边界层干扰分别导致了第二类中心热流峰值和外侧热流峰值,其严酷程度仅次于第一类中心热流峰值,采用R/r和β建立了第二类中心热流峰值和外侧热流峰值强弱转变的边界.当R/r充分大,V字形根部发生同侧激波规则反射时,第二类中心热流峰值和外侧热流峰值都减小至相同钝化半径圆柱驻点热流的水平.

V字形钝前缘激波反射迟滞现象

针对内转式进气道唇口在宽速域条件下面临的复杂激波干扰问题,将唇口模化为V字形钝前缘,采用数值模拟并辅以风洞实验,研究了典型V字形构型(根部倒圆半径R与前缘钝化半径r之比R/r=1,半扩张角β=18°)激波反射结构随来流马赫数Ma_(∞)的演变过程。结果表明,随着Ma_(∞)的增大或减小,V字形后掠前缘的脱体激波产生规则反射(Regular reflection,RR)和马赫反射(Mach reflection,MR),并且两者的相互转变过程出现迟滞。初场为RR时,V字形根部产生大范围的流动分离和分离激波;随着Ma_(∞)由5.7逐渐增大至6.5,脱体激波的交点向下游移动并与分离激波的交点重合,使RR转变为MR。初场为MR时,马赫杆下游存在大尺度的反转涡对;随着Ma_(∞)由6.7逐渐减小至5.9,反转涡对不再影响脱体激波,使MR转变为RR。通过Ma_(∞)=6的风洞实验证实,在相同来流条件下存在RR和MR双解。基于对脱体激波交点、分离激波交点和反转涡对尺度随Ma_(∞)变化规律的认识,建立了RR↔MR的转变边界。在双解区中,RR工况的壁面压力最大值约为MR工况的2~3倍,表明迟滞现象将导致唇口气动载荷突变。

国外体育特色小镇研究热点与前沿探讨——基于Citespace V的计量分析

以SCIE、SSCI和A&HCI所收录的国外体育特色小镇相关文献为研究对象,运用Citespace V信息可视化分析软件以及传统的文献计量方法对2000年至2018年的171篇国外体育特色小镇研究论文及其相关参考文献进行研究。研究表明,国外体育特色小镇的研究作者、研究机构与发文期刊相对分散,未能形成一定的核心机构和核心期刊群;欧美地区的研究处于相对领先地位;体育特色小镇的主要研究热点主要集中在“体力活动”“健康”“青少年”“旅游”等方面;体育特色小镇的研究前沿随着时间的发展不断地演化,呈现出“体育+”多元化的演进趋势。

高马赫数V字形钝化前缘平板表面压力特性

针对三维内转式进气道V字形唇口下游面临的严酷压力载荷问题,将唇口简化为V字形钝化前缘平板,在来流马赫数为6的条件下,采用数值模拟结合激波风洞压敏涂料测量方法,研究了V字形根部倒圆半径R与前缘钝化半径r之比(R/r=0~20)的平板表面压力演化特性。结果表明,随着R/r增大,V字形钝化前缘产生的三维波系结构发生变化,引起下游平板表面压力演变出4种类型。R/r较小时,V字形钝化前缘激波干扰产生的大范围流动分离,诱导形成了偏离中心线较远的分叉状高压区(TypeⅠ,分叉型);随着R/r增大,流动分离减弱,分叉状高压区逐渐消失,由透射激波扫掠壁面所形成的条带状高压和超声速射流对撞所形成的中心线高压区逐渐显露,依次出现过渡型(TypeⅡ)、严酷型(TypeⅢ)和渐匀型(TypeⅣ)压力分布。平板上分叉型和过渡型的压力最大值仅为4.3~7.2p∞(p∞为来流静压),但V字形钝化前缘处的流场品质恶劣;严酷型的压力最大值随着射流对撞强度的增强而增大,最高可达19p∞;渐匀型的压力最大值随着射流对撞强度的减弱,逐渐趋近于二维钝前缘平板产生的压力最大值4p∞。