低粒子高真空插板阀的检测方法研究

低粒子高真空插板阀因选用材料的特殊性和密封技术的先进性,在运行过程中产生的机械冲击力就会较小,从而大大地减少了颗粒污染。它是常用于集成电路的晶圆生产行业的一类真空阀门,而目前国内厂家还无法生产这类阀门,也没有进行相关的设计研发。为此研究了基于光散射法的低粒子高真空插板阀的粒度检测方法及相应的检测指标,搭建了相关的粒度检测平台,并进行了模拟测试。

超大型真空容器大门设计及优化研究

本文以直径10m的超大型真空容器大门为研究对象,介绍了超大型立式容器大门的设计分析情况,采用可靠性设计与仿真优化相结合的方法,对大门在外压和起吊时的强度和变形分布进行了模拟分析,并根据分析结果对大门加强筋布置进行了优化设计。研究表明:在封头曲率变化较大处与加强筋之间设置补强板,可以有效减少大门局部应力超限的问题;封头加强筋减少至6根可以降低材料用量,此时最大应力为97.37MPa,最大变形为4.1mm,仍然可以满足材料使用要求;大门起吊时整体承受重力载荷,最大变形量为0.13mm,最大应力为18.6MPa,满足材料使用要求。

定量可调式吸尘斗&同步错开式双弧形闸门设计探讨

本文针对现有机械化筒、方仓装车楼卸料伸缩管装置和闸门装置存在的问题,对其结构进行新的设计。新设计的定量可调式吸尘斗和同步错开式双弧形闸门具有操作简便、降尘、节能降耗的优点,促成了新的机械化筒、方仓装车漏斗及移动式漏斗的降尘卸料工艺。

高真空插板阀工作状态诊断与监测方法研究

高真空插板阀广泛应用于空间环境模拟器真空分系统,如低温泵、分子泵泵口阀,粗抽机组总阀等。这些阀门均属于单点失效或一旦失效对试验系统运行产生较大影响的关键设备。以KM6空间环境模拟器试验系统的单点失效设备粗抽总阀为研究对象,开展工作状态监测方法研究,通过位移传感器、特定条件下阀门的开启与关闭时间、开关到位指示器、声音传感器从多角度对阀门的状态进行监测与判断,能够在其出现故障前,给出相关数据,对其状态进行预示,效果良好。

大口径真空插板阀优化设计

伴随我国航天及国防事业的巨大进步,更多关键和特殊的装备需要在真空环境下生产或试验,大型和特大型地面模拟设备开始研制和投入使用,对关键部件真空插板阀的要求也越来越高。由于真空插板阀的口径不断增大,传统结构的真空插板阀无法满足要求,为此针对大口径真空插板阀在使用过程中发现的问题,对大口径真空插板阀采取了阀体分体结构设计、独立运行轨道设计、自动超压保护装置设置、传动系统增设离合器、密封结构形式改进等优化设计,有效地解决了传统真空插板阀结构、控制等方面存在的弊端。通过优化设计制造的大口径真空插板阀已投入运行,阀门运行稳定可靠。该设计方法可以有效解决未来更大口径真空插板阀的设计难题。

真空过渡仓闸门结构设计及其锁紧密封性能分析

以动力锂电池生产工艺的真空连续生产线为背景,介绍了真空过渡仓闸门的基本结构,主要包括门体、启闭机构、锁紧机构。闸门的密封由密封结构、锁紧机构共同实现,因此有必要对二者进行关联分析,使得仿真边界条件趋近实际工况。由锁紧机构ADAMS运动仿真得到密封条最大压缩形变;应用ANSYS接触分析,模拟密封过程中密封条截面形变;再次应用ANSYS接触分析,改善锁紧点数量和加强筋设置数量改善密封板和密封条的形变,对4种不同工况下的形变进行模拟,最终得到优化的密封结构,从而保证动力电池在该真空连续线的生产质量。

双栅极场发射阵列的特性模拟与设计

具有聚焦能力的双栅极场发射阵列(DGFEA)是两类最有发展前途的真空微电子器件(高分辨率场发射显示器和真空微电子微波、毫米波器件)的关键技术。本文简要比较了两种结构的DGFEA的主要性能和优缺点,叙述了双层栅极结构DGFEA的设计与模拟方法.从模拟计算获得的发射特性和聚焦性能可以看到:这种结构的DGFEA能获得几乎平行的场发射电子束,其最大发射电流密度可达到约500A/cm^2以上,是发展真空微电子微波、毫米波器件和其它强流电子注器件等较理想的电子源。

基于数值模拟的圆筒形底座模具设计与分析

针对铝合金圆筒形底座,结合企业的实际生产情况,采用数值模拟软件Flow-3D对铸件3种不同浇注方案的充型过程进行模拟分析,以确定最佳的进浇系统.对比3种不同方案充填过程料流和卷气分布的模拟结果,确定了带分流区的搭接扇形浇注系统方案.据此方案的金属液流向和卷气位置,设置了真空排溢系统,通过模拟分析了设计方案的合理性.

铸造铝合金真空密封造型的浇注系统研究

根据铸造铝合金及真空密封造型特点,分析了铸造铝合金真空密封造型铸造浇注系统设计要求及浇注系统类型。其适宜的浇注系统形式有:底注式、阶梯式、倾转式等。该研究结果在ZL101高压开关壳体的真空密封造型铸造中得到了生产验证。

大型泵站常用断流方式分析

大型泵站通常采用卷扬式快速门、液压快速门和真空破坏阀来实现断流。通过详细论述卷扬式快速门、液压快速门和真空破坏阀断流方式的工作原理,分析比较各种断流方式的利弊和应用范围,提出在泵站实际情况允许条件下,优先选用真空破坏阀断流方式。

一种新型真空型紫外成像探测器

针对紫外告警的关键元器件——紫外探测器,简述了紫外告警的特点及发展,紫外辐射的大气传输特性和紫外探测器的发展。详细介绍了一种新型响应波段为105 nm-300 nm的真空型紫外成像探测器,其光电阴极具有“日盲性”,管型采用近贴聚焦结构,从而使得弥散和像差得以减小。探测器读出系统有光耦合读出和电耦合读出2种读出方法:光耦合读出系统能实时响应;电耦合读出灵敏度高,分辨力强,探测距离远。采用自动门控BSP电源,可实现大动态范围探测,并对光电阴极和微通道板起到保护作用。

多断口光控真空断路器的同步控制系统的设计与实现

设计与实现了一种多断口光控真空断路器的同步控制系统。该系统的硬件以数字信号处理器(DSP)与现场可编程门阵列(FPGA)为核心,采用母线背板与功能插板结合的硬件架构;软件实现了电压/电流零点检测算法,设计了控制系统与光控真空断路器的光纤通信协议,完善了同步控制算法。电磁兼容实验结果和同步开断实验结果表明,所设计的系统具有良好的电磁兼容性,很好地满足了多断口光控真空断路器对信号处理的实时性要求,能较好地完成多端口断路器的同步操作。

场发射显示技术

场发射显示器件（ＦＥＤ）正在成为新一代平板显示器件。本文简要介绍ＦＥＤ的发展历史，列举出ＦＥＤ与ＣＲＴ及ＬＣＤ相比的优点。介绍ＦＥＤ的工作原理、制作技术及其发展动态。还讨论了ＦＥＤ制作中的一些重要问题。

熔模精铸薄壁铸件真空吸铸工艺研究

对所研究的熔模型薄壁特征件真空吸铸工艺过程中的浇注系统及排气系统进行了设计,并利用数值模拟软件对薄壁件的充型过程和可能产生的铸造缺陷进行了仿真模拟。结果表明:真空吸铸成形方法能够较好地解决浇注该铸件时易遇到的充型困难、喷溅及憋气等技术难题,可获得轮廓完整、内外品质优良的合格精铸件;立式单通道浇注方案优于卧式双通道浇注方案,使合金液流充型过程平缓顺畅,能够避免金属液出现汇流和冲击现象,减少铸造缺陷的产生。

浅谈泵站自动化技术改造

结合已建成和改造完成的无人值班泵站经验,以无锡某泵站为例,针对原自动化系统出现的种种问题,提出系统拓扑结构改造,机组LCU和闸门LCU软硬件功能整合。实现触摸屏软件、PLC软件以及站控级软件的升级优化。结合机组开停机时闸门联动的触发条件,详细讲解软件滤波去除真空断路器抖动的方法。在PLC和上位机流程中实现双向X型流道机组的双向引排功能。改造后的自动化系统最终实现泵站主机组、公用及辅助设备、变配电设备、节制闸设备的运行监视、事件报警、数据统计和记录、控制调节功能。

基于Abaqus的吸盘式柔性工装吸附力优化研究

为了解决飞机登机门在柔性工装装配过程中吸盘的真空压力造成装配误差的问题,运用Abaqus软件分析了登机门仅在自身重力和不同吸盘吸附力下的变形情况,在满足飞机装配误差的要求下,使登机门在装配过程中变形量更小,减少了钻孔和铆接对飞机装配产生的误差,降低了飞机装配的累计误差,并指出登机门在柔性工装装配时,真空压力为432k Pa时能保证飞机装配时的定位、夹紧精度。

吸尘器外壳注射模设计

根据塑件结构特点和技术要求,设计了1副1模1腔三板注射模,使用点浇口进料,通过T形块、斜导柱+滑块、滑块内置斜推块等复合抽芯机构,解决了多个方向的倒扣脱模问题。经生产实践表明,模具结构设计合理、抽芯机构稳定、工作可靠、安装方便、占用空间少、模具零件易更换,生产的塑件成型质量好,取得了良好的经济效益。

真空对触变压铸铸件力学性能的影响

讨论真空辅助工艺对两种浇道系统(扇形单浇道和分支浇道)铸件的力学性能和微观结构的影响;经比较真空和无真空条件的区别,得到结果是真空对扇形单浇道系统铸件的气孔影响大,而对分支浇道系统铸件的气孔影响小。

真空对触变压铸铸件力学性能的影响

讨论真空辅助工艺对两种浇道系统 (扇形单浇道和分支浇道 )铸件的力学性能和微观结构的影响 ;经比较真空和无真空条件的区别 ,得到结果是真空对扇形单浇道系统铸件的气孔影响大 ,而对分支浇道系统铸件的气孔影响小。

真空干燥参数对TFT栅极光刻性能的影响

液晶显示器薄膜晶体管(TFT)的栅极需经光刻工艺制得。在光刻工艺中,除曝光与显影环节外,光刻胶显影后的关键尺寸(DICD)和锥角(Taper)还受到真空干燥参数的影响。为此,文章以干燥制程的慢抽时间、保压时间和底压为自变量,DICD和Taper为因变量,采用全因子实验,研究了真空干燥制程对光刻胶DICD和Taper的影响。结果表明:慢抽时间和底压产生的影响较小,保压时间则是关键参数:随着保压时间增加,DICD增加、Taper降低。这是因为随着保压时间增加,光刻胶中的溶剂挥发总量增加,光刻胶更致密,显影速度下降,导致DICD增加;同时,光刻胶顶部溶剂挥发量增加,顶部感光剂浓度增加,导致顶部侧向显影程度增加,最终造成光刻胶Taper下降。此外,建立了DICD和Taper与保压时间的回归方程,可以预测光刻效果,或者由预期的光刻效果反推出所需的保压时间。此工作可为薄膜晶体管光刻产线的参数优化和产品良率提升提供参考。