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皮层SⅠ区伤害感受神经元对电刺激腹后外侧核的反应
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作者 张日辉 滕国玺 《中国医科大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期247-249,共3页
目的:探讨 SⅠ区伤害感受神经元及 V P L核在痛觉调制中的作用。方法:用细胞内记录技术,观察 SⅠ区伤害感受神经元细胞内电位及对刺激 V P L的反应。结果:9036% 的 SⅠ区伤害感受神经元对刺激 V P L产生反应。... 目的:探讨 SⅠ区伤害感受神经元及 V P L核在痛觉调制中的作用。方法:用细胞内记录技术,观察 SⅠ区伤害感受神经元细胞内电位及对刺激 V P L的反应。结果:9036% 的 SⅠ区伤害感受神经元对刺激 V P L产生反应。电刺激隐神经和刺激 V P L在 SⅠ区伤害感受神经元的诱发反应有相似与不同两种形式。结论:躯体伤害信息到 SⅠ区伤害感受神经元可能有中间神经元参与,在 V P L与 SⅠ区伤害感受神经元间或 SⅠ区内神经元间形成环路。 V P L核可能调制躯体伤害性反应。 展开更多
关键词 伤害感受神经元 腹后外侧核 细胞内记录
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