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皮层SⅠ区伤害感受神经元对电刺激腹后外侧核的反应
1
作者
张日辉
滕国玺
《中国医科大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第4期247-249,共3页
目的:探讨 SⅠ区伤害感受神经元及 V P L核在痛觉调制中的作用。方法:用细胞内记录技术,观察 SⅠ区伤害感受神经元细胞内电位及对刺激 V P L的反应。结果:9036% 的 SⅠ区伤害感受神经元对刺激 V P L产生反应。...
目的:探讨 SⅠ区伤害感受神经元及 V P L核在痛觉调制中的作用。方法:用细胞内记录技术,观察 SⅠ区伤害感受神经元细胞内电位及对刺激 V P L的反应。结果:9036% 的 SⅠ区伤害感受神经元对刺激 V P L产生反应。电刺激隐神经和刺激 V P L在 SⅠ区伤害感受神经元的诱发反应有相似与不同两种形式。结论:躯体伤害信息到 SⅠ区伤害感受神经元可能有中间神经元参与,在 V P L与 SⅠ区伤害感受神经元间或 SⅠ区内神经元间形成环路。 V P L核可能调制躯体伤害性反应。
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关键词
伤害感受神经元
腹后外侧核
细胞内记录
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题名
皮层SⅠ区伤害感受神经元对电刺激腹后外侧核的反应
1
作者
张日辉
滕国玺
机构
中国医科大学脑研究所神经生理研究室
出处
《中国医科大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第4期247-249,共3页
基金
国家自然科学基金
文摘
目的:探讨 SⅠ区伤害感受神经元及 V P L核在痛觉调制中的作用。方法:用细胞内记录技术,观察 SⅠ区伤害感受神经元细胞内电位及对刺激 V P L的反应。结果:9036% 的 SⅠ区伤害感受神经元对刺激 V P L产生反应。电刺激隐神经和刺激 V P L在 SⅠ区伤害感受神经元的诱发反应有相似与不同两种形式。结论:躯体伤害信息到 SⅠ区伤害感受神经元可能有中间神经元参与,在 V P L与 SⅠ区伤害感受神经元间或 SⅠ区内神经元间形成环路。 V P L核可能调制躯体伤害性反应。
关键词
伤害感受神经元
腹后外侧核
细胞内记录
Keywords
primary sensory cortex(SⅠ)
nociceptive neuron
ventral
posterolateral
nucleus
(
vpl
)
intracellular record
nerve circuits
分类号
R338 [医药卫生—人体生理学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
皮层SⅠ区伤害感受神经元对电刺激腹后外侧核的反应
张日辉
滕国玺
《中国医科大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
1999
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