肤色及非肤色饱和度调整的加权处理方法及其VLSI实现

饱和度增强的程度受制于其亮度,因而亮度可以作为饱和度自适应的因子。肤色若使用基于亮度的自适应色彩饱和度增强算法,则由于其饱和度增强效果过于明显而显得不自然。所以进一步识别肤色,需要对肤色采取另外的调整算法。为便于VLSI实现,对基于亮度的自适应色彩饱和度增强算法及肤色调整算法进行了改进并加以整合,并采取了权重插值的方法来减弱肤色及非肤色区域分别采用各自的算法进行调整所带来的图像不连续问题。实验证明,采用该算法能取得更好的视觉效果,并易于VLSI实现。

一种平面区域的剖分

本文提出一种图形剖分算法，可将任意条折线围成的平面区域，划分为一个互相不交的子域的集合。这种子域是ＬＳＩ掩模版加工设备可加工的。由此，ＬＳＩ掩模版图的设计，可避免受到加工设备的限制，使图样不论如何复杂，可以根据电路需要进行设计，从而保证电路性能。

高纯低放射性球形硅微粉的制备与性能

首先将超细硅微粉中的铀(U6+)元素分散在酸性浆料中;然后使用SiO2气凝胶和蜂窝陶瓷复合介孔吸附装置对其进行吸附完成材料精选与提纯,使超细硅微粉中的铀(U)元素总量降低;最后在无污染后加工技术的基础上,采用火焰熔融法球形化后获得高纯低放射性球形硅微粉。实验结果表明,通过材料精选与提纯,超细硅微粉中的铀(U)含量(质量分数)可以从9.7×10^-9降至6×10^-10,最终获得的高纯低放射性球形硅微粉的铀(U)含量为7×10^-10。制备的硅微粉具有高球形度、粒度分布窄且可控等特点,应用时表现出流动性好、黏度低、粗粒含量少(溢料长)等理想效果,满足大规模集成电路(LSI)封装对高纯低放射性球形硅微粉填料的要求。

用双入射角的反射型椭偏术自动测定单层膜厚度

本文提出了应用双入射角的反射型椭偏术,可克服椭偏仪一般只能测定膜层厚度小于1周期值的缺点。该技术已成功地应用于微机控制自动消光法椭偏仪上,能自动测定厚膜的膜厚和折射率。经大规模集成电路生产中使用,效果良好,且能提高测量精度和简化操作。