期刊文献+
共找到116篇文章
< 1 2 6 >
每页显示 20 50 100
High-speed through-silicon via filling method using Cu-cored solder balls
1
作者 赫然 王惠娟 +5 位作者 于大全 周静 戴风伟 宋崇申 孙瑜 万里兮 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2012年第8期135-138,共4页
A novel low-cost and high-speed via filling method using Cu-cored solder balls was investigated for through-silicon via manufacture.Cu-cored solder balls with a total diameter of 100μm were used to fill 150μm deep,... A novel low-cost and high-speed via filling method using Cu-cored solder balls was investigated for through-silicon via manufacture.Cu-cored solder balls with a total diameter of 100μm were used to fill 150μm deep,110μm wide vias in silicon.The wafer-level filling process can be completed in a few seconds,which is much faster than using the traditional electroplating process.Thermo-mechanical analysis of via filling using solder,Cu and Cu-cored solder was carried out to assess the thermo-mechanical properties of the different filling materials.It was found that the vias filled with Cu-cored solder exhibit less thermal-mechanical stresses than solder-filled vias, but more than Cu-filled vias. 展开更多
关键词 microsystem packaging through-silicon vias filling method METALLIZATION thermal-mechanical properties
原文传递
基于两步刻蚀工艺的锥形TSV制备方法
2
作者 田苗 刘民 +3 位作者 林子涵 付学成 程秀兰 吴林晟 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第4期316-322,共7页
以硅通孔(TSV)为核心的2.5D/3D封装技术可以实现芯片之间的高速、低功耗和高带宽的信号传输。常见的垂直TSV的制造工艺复杂,容易造成填充缺陷。锥形TSV的侧壁倾斜,开口较大,有利于膜层沉积和铜电镀填充,可降低工艺难度和提高填充质量。... 以硅通孔(TSV)为核心的2.5D/3D封装技术可以实现芯片之间的高速、低功耗和高带宽的信号传输。常见的垂直TSV的制造工艺复杂,容易造成填充缺陷。锥形TSV的侧壁倾斜,开口较大,有利于膜层沉积和铜电镀填充,可降低工艺难度和提高填充质量。在相对易于实现的刻蚀条件下制备了锥形TSV,并通过增加第二步刻蚀来改善锥形TSV形貌。成功制备了直径为10~40μm、孔口为喇叭形的锥形TSV。通过溅射膜层和铜电镀填充,成功实现了直径为15μm、深度为60μm的锥形TSV的连续膜层沉积和完全填充,验证了两步刻蚀工艺的可行性和锥形TSV在提高膜层质量和填充效果方面的优势。为未来高密度封装领域提供了一种新的TSV制备工艺,在降低成本的同时提高了2.5D/3D封装技术的性能。 展开更多
关键词 硅通孔(TSV) 锥形 种子层 电镀填充 薄膜沉积
下载PDF
基于阴极往复运动的TGV电铸铜实心填充工艺
3
作者 刘佳琪 詹晓非 +2 位作者 朱增伟 叶刚 夏晨辉 《微纳电子技术》 CAS 2024年第3期151-159,共9页
玻璃通孔(TGV)转接板因其具有优良的高频电学特性,在先进封装领域受到广泛关注。然而随着TGV深宽比的不断增加,采用传统的阴极定轴旋转式电铸工艺,其填充难度与成本将随之提高。为实现高深宽比TGV的无缺陷填充,减少电铸耗时和成本,提出... 玻璃通孔(TGV)转接板因其具有优良的高频电学特性,在先进封装领域受到广泛关注。然而随着TGV深宽比的不断增加,采用传统的阴极定轴旋转式电铸工艺,其填充难度与成本将随之提高。为实现高深宽比TGV的无缺陷填充,减少电铸耗时和成本,提出一种基于阴极往复运动的TGV无缺陷镀铜填充新工艺。在仿真和实验的基础上,系统研究了阴极运动方式对TGV孔内电铸液传质、离子浓度、填充速率的影响。仿真和实验结果均表明,采用阴极往复运动能有效地保证TGV孔内各处离子浓度分布的均匀一致性,减缓浓差极化,从而提高沉积速率及其上限值。在不含任何添加剂的体系中,同等沉积电位条件下平均填充速率从阴极定轴旋转式电铸工艺的6.1μm/h提高至9.2μm/h。当电位为0.5 V时,阴极往复运动方式下平均填充速率达到45.2μm/h,且电铸铜填充层中未发现孔隙缺陷。这为在无添加剂电铸铜体系中实现高深宽比TGV的无缺陷电铸铜填充提供了一种可行的低成本方案。 展开更多
关键词 玻璃通孔(TGV) 阴极往复运动 电铸铜 填充工艺 封装技术
下载PDF
超高可靠性高阶HDI板的关键工艺技术
4
作者 付艺 王锋 《印制电路信息》 2024年第S01期253-258,共6页
人工智能服务器系统中的加速器模块使用的高阶HDI板,要求达到超高可靠性,即经过500次高加速热冲击循环测试、模块网络电阻变化率小于5%。这类板的关键工艺技术是激光孔的金属化加工,要求孔壁镀铜层和激光孔堆叠界面有极好的耐热冲击能... 人工智能服务器系统中的加速器模块使用的高阶HDI板,要求达到超高可靠性,即经过500次高加速热冲击循环测试、模块网络电阻变化率小于5%。这类板的关键工艺技术是激光孔的金属化加工,要求孔壁镀铜层和激光孔堆叠界面有极好的耐热冲击能力。盲孔的激光钻孔、等离子体清洗、盲孔底盘铜层的微蚀量、盲孔闪镀等因素对激光孔堆叠界面的裂纹有显著影响,电镀槽液的寿命对孔壁镀铜的断裂有显著影响。通过对这些因素的严格控制,可以提高孔壁镀铜的耐热冲击能力和改善激光孔堆叠界面的结合力。 展开更多
关键词 超高可靠性 HDI板 电镀填孔 回流焊 高加速热冲击测试
下载PDF
印制电路板盲孔填充电镀铜添加剂的研究进展
5
作者 何念 连纯燕 +3 位作者 潘炎明 王健 冯朝辉 段小龙 《电镀与涂饰》 CAS 北大核心 2024年第6期13-22,共10页
[目的]电子产品日益追求轻量化和微型化,这促使印制电路板(PCB)制造向更高精度、更高密度及更小孔径的方向发展。盲孔电镀填充是PCB制造的关键工艺之一。在酸性电镀铜溶液中添加抑制剂、光亮剂、整平剂等添加剂,可借助它们之间的协同效... [目的]电子产品日益追求轻量化和微型化,这促使印制电路板(PCB)制造向更高精度、更高密度及更小孔径的方向发展。盲孔电镀填充是PCB制造的关键工艺之一。在酸性电镀铜溶液中添加抑制剂、光亮剂、整平剂等添加剂,可借助它们之间的协同效应来实现盲孔的超等角填充。[方法]综述了电镀铜抑制剂、光亮剂和整平剂的研究现状,探讨了它们的作用机制与协同效应,展望了未来的研究方向。[结果]使用适当的添加剂可实现盲孔“自下而上”的超等角填充。[结论]加强电镀铜添加剂的研究和开发可为PCB产业的持续发展提供有力的技术支撑。 展开更多
关键词 印制电路板 盲孔 电镀铜 添加剂 超等角沉积 综述
下载PDF
含丙二醇的复合有机抑制剂应用于TSV镀铜工艺的研究
6
作者 史筱超 于仙仙 王溯 《电镀与涂饰》 CAS 北大核心 2024年第1期43-49,共7页
[目的]硅通孔(TSV)电镀铜填充一般采用PEG(聚乙二醇)类有机化合物抑制剂,但往往存在电镀时间长、易产生空洞、面铜较厚、退火后晶界间缺陷多等问题。[方法]开发了一种新型含丙二醇的复合有机抑制剂,研究了采用它时的TSV填充模式,退火后... [目的]硅通孔(TSV)电镀铜填充一般采用PEG(聚乙二醇)类有机化合物抑制剂,但往往存在电镀时间长、易产生空洞、面铜较厚、退火后晶界间缺陷多等问题。[方法]开发了一种新型含丙二醇的复合有机抑制剂,研究了采用它时的TSV填充模式,退火后孔内镀层的结晶状态,以及镀层的杂质含量。[结果]该抑制剂对TSV的填充效果明显优于传统抑制剂,与小分子含硫化合物加速剂复配使用时可实现“自下而上”的均匀填充,且面铜平整,无微孔、气泡等缺陷存在。[结论]该复合有机抑制剂具有很好的工业化应用潜力。 展开更多
关键词 硅通孔 电镀铜 丙二醇 有机抑制剂 自下而上填充
下载PDF
电镀填孔超等角沉积(Super Filling)影响因素探讨 被引量:7
7
作者 崔正丹 谢添华 李志东 《印制电路信息》 2010年第S1期92-97,共6页
超等角沉积在电镀填充盲孔过程中扮演重要角色,其主要通过添加剂作用加速盲孔底部并抑制面铜及孔口电沉积速度,形成超等角沉积模式以最终达到盲孔填充。本文通过与生产制程相结合,对电镀填孔过程中影响超等角沉积的因素进行探讨,主要包... 超等角沉积在电镀填充盲孔过程中扮演重要角色,其主要通过添加剂作用加速盲孔底部并抑制面铜及孔口电沉积速度,形成超等角沉积模式以最终达到盲孔填充。本文通过与生产制程相结合,对电镀填孔过程中影响超等角沉积的因素进行探讨,主要包括形成超等角沉积过程中添加剂作用机理、盲孔厚径比、孔型以及喷流量等影响因素。 展开更多
关键词 超等角沉积 电镀填孔 盲孔
下载PDF
稳定剂对盲孔电镀铜用硫酸盐体系镀液寿命的影响 被引量:1
8
作者 廖代辉 詹安达 +4 位作者 陈素锐 郑丹霞 孙宇曦 曾庆明 罗继业 《电镀与涂饰》 CAS 北大核心 2023年第5期33-40,共8页
电镀铜填盲孔是高密度互连(HDI)印制线路板(PCB)制造的核心技术之一。随着电镀的进行,镀液中添加剂不断消耗分解,副产物的累积导致镀液填孔能力下降等问题。为延长镀液寿命,在常见的三组分添加剂(即1.5 mg/L聚二硫二丙烷磺酸钠+300 mg/... 电镀铜填盲孔是高密度互连(HDI)印制线路板(PCB)制造的核心技术之一。随着电镀的进行,镀液中添加剂不断消耗分解,副产物的累积导致镀液填孔能力下降等问题。为延长镀液寿命,在常见的三组分添加剂(即1.5 mg/L聚二硫二丙烷磺酸钠+300 mg/L聚乙二醇8000+50 mg/L整平剂LB)镀液基础上加入自制稳定剂,研究了稳定剂对电镀铜填盲孔时镀液寿命的影响。计时电位分析显示,微量稳定剂的加入基本不会影响镀液中原添加剂的电化学信号,表明微量稳定剂不会影响原添加剂的填孔性能及干扰对原添加剂浓度的分析。循环伏安剥离法分析结果表明,镀液中加入稳定剂后,添加剂在电镀过程中的消耗速率明显降低。哈林槽电镀实验结果表明,稳定剂的加入对填孔效果无明显影响,但无稳定剂的镀液寿命仅250 A·h/L,加入稳定剂后镀液寿命可达500 A·h/L以上。X射线衍射分析表明,新开缸时无稳定剂和含稳定剂镀液的铜镀层均为(200)晶面择优生长,但随着电镀时间的延长,无稳定剂体系铜镀层的择优取向逐渐由(200)晶面向(111)晶面转变,含稳定剂镀液的铜镀层晶型基本不变,镀液性能更加稳定。 展开更多
关键词 印制线路板 填盲孔 电镀铜 稳定剂 镀液寿命
下载PDF
应用于大马士革工艺的纳米孪晶铜脉冲电沉积研究
9
作者 王玉玺 高丽茵 +2 位作者 万永强 李哲 刘志权 《电化学(中英文)》 CAS 北大核心 2023年第8期21-30,共10页
本文在前期优化的电镀液的基础上,使用脉冲电镀工艺获得了高密度的纳米孪晶铜。为了进一步揭示孪晶形成的影响因素,研究了系列MPS浓度在镀液中的作用。当镀液中并未添加MPS时,镀层由粗大的晶粒组成,平均晶粒大小为0.9μm,晶粒内部含有... 本文在前期优化的电镀液的基础上,使用脉冲电镀工艺获得了高密度的纳米孪晶铜。为了进一步揭示孪晶形成的影响因素,研究了系列MPS浓度在镀液中的作用。当镀液中并未添加MPS时,镀层由粗大的晶粒组成,平均晶粒大小为0.9μm,晶粒内部含有少量的垂直或倾斜于膜面的孪晶界,镀层的晶粒取向为(110)和(111)共存,两者织构比例分别为49%和27.8%。从FIB微观组织观察和X射线衍射的结果可知,当镀液中添加10 ppm的MPS后,镀层组织变为柱状纳米孪晶铜组织,柱状晶内部含有高密度水平方向的孪晶界,同时晶粒取向变为高度择优的(111)。当MPS含量从10 ppm持续上升至40 ppm,镀层组织和晶粒取向无明显变化。具体地,当镀液中添加40 ppm的MPS时,镀层晶粒大小为0.6μm,且镀层晶粒(110)和(111)的织构比例分别为3.45%和95.1%。这说明,可以通过MPS的含量调节提高纳米孪晶铜电镀液的填充能力,而纳米孪晶微观组织的形成并不受影响。基于上述结果,我们使用该电镀液配方及工艺进行了大马士革微盲孔的填充。结果表明,当MPS含量为40 ppm时,可以实现大马士革微盲孔的无孔填充。纳米孪晶铜电镀液填充能力的提升使得纳米孪晶铜在IC制造应用成为可能,很大程度上促进了下一代互连材料的发展。 展开更多
关键词 脉冲电镀 纳米孪晶铜 盲孔填充 大马士革工艺
下载PDF
曝气气氛对镀铜电化学行为及填盲孔性能的影响
10
作者 张路路 宗高亮 +1 位作者 许昕莹 肖宁 《电镀与涂饰》 CAS 北大核心 2023年第19期63-73,共11页
通过计时电位法、循环伏安联合旋转环盘电极技术和印制电路板(PCB)盲孔电镀实验,对比分析了氮气、空气和氧气3种不同的曝气气氛对盲孔电镀过程中铜沉积电化学行为及填孔能力的影响。结果表明,氮气气氛下的填盲孔效果最好,氧气会参与铜... 通过计时电位法、循环伏安联合旋转环盘电极技术和印制电路板(PCB)盲孔电镀实验,对比分析了氮气、空气和氧气3种不同的曝气气氛对盲孔电镀过程中铜沉积电化学行为及填孔能力的影响。结果表明,氮气气氛下的填盲孔效果最好,氧气会参与铜沉积的反应过程,并抑制铜沉积。曝气气氛会影响镀铜层的晶粒尺寸,进而影响其微观形貌、拉伸强度及硬度。氧气气氛下所得镀铜层最平整细致,具有最高的拉伸强度、延伸率和显微硬度,综合性能最佳。采用先曝氮气1.0 h、再曝氧气0.5 h的阶梯曝气方式在1.5 A/dm^(2)的电流密度下电镀时,能够在保证盲孔填孔率合格的前提下最大限度地减薄面铜。 展开更多
关键词 电镀铜 盲孔 曝气 氮气 氧气 旋转环盘电极 填孔率 电化学
下载PDF
PCB背钻填孔覆盖电镀连接盘的结合强度研究
11
作者 韩雪川 李智 杨中瑞 《印制电路信息》 2023年第6期17-23,共7页
为了提升背钻印制电路板(PCB)的布线密度,通过填孔覆盖电镀(POFV)工艺,在背钻孔位置设置连接盘,研究不同结合面材料(基材、基材铜及塞孔树脂等)、孔盘偏置情况与加工方式对连接盘结合强度的影响,并从机理上进行解释。通过验证不同研磨... 为了提升背钻印制电路板(PCB)的布线密度,通过填孔覆盖电镀(POFV)工艺,在背钻孔位置设置连接盘,研究不同结合面材料(基材、基材铜及塞孔树脂等)、孔盘偏置情况与加工方式对连接盘结合强度的影响,并从机理上进行解释。通过验证不同研磨方式、去钻污方式、沉铜方式的互相组合,得到在最佳的工艺组合下,以基材铜或塞孔树脂为结合面材料时背钻位置,连接盘抗剥强度满足客户要求。 展开更多
关键词 印制电路板 背钻 填孔覆盖电镀 连接盘 结合强度
下载PDF
HDI板埋孔半固化片填胶区域爆板问题研究
12
作者 陈市伟 《印制电路信息》 2023年第1期45-48,共4页
随着电子产品的升级与发展,高密度互连印制板(HDI板)的应用越来越广,盲埋孔的叠加设计密度也不断地提高,同时对下游表面装贴制程的潜在品质风险也在增加。针对HDI板组装再流焊后的爆板失效问题,研究印制电路板(PCB)的设计、生产和加工... 随着电子产品的升级与发展,高密度互连印制板(HDI板)的应用越来越广,盲埋孔的叠加设计密度也不断地提高,同时对下游表面装贴制程的潜在品质风险也在增加。针对HDI板组装再流焊后的爆板失效问题,研究印制电路板(PCB)的设计、生产和加工中存在的潜在失效模型,分析区域面积填孔密度所需填胶量与再流焊后爆板失效问题之间的关联。 展开更多
关键词 HDI板埋孔 半固化片填胶 爆板 单位面积填胶量
下载PDF
5G功放板填孔覆盖镀层耐热性能研究
13
作者 傅立红 《印制电路信息》 2023年第4期61-64,共4页
5G功放板覆盖镀层(POFV)的耐热性能直接影响印制线路板(PCB)组装之后的可靠性,因此在制作此类产品之前,重点对5G功放板填孔POFV的耐热性能的影响因子进行了研究。通过采用鱼骨图对影响因子进行梳理,找出关键的流程及影响因子,针对性对... 5G功放板覆盖镀层(POFV)的耐热性能直接影响印制线路板(PCB)组装之后的可靠性,因此在制作此类产品之前,重点对5G功放板填孔POFV的耐热性能的影响因子进行了研究。通过采用鱼骨图对影响因子进行梳理,找出关键的流程及影响因子,针对性对印制线路板制作的树脂填孔流程的树脂烤板参数、电镀通孔(PTH)流程除胶参数、在流程中的停留时间,以及填孔树脂本身的热膨胀(CTE)特性等影响因子进行对比实验,并对各测试结果进行总结分析。根据实验测试结果,确认了影响填孔覆盖镀层与树脂分离的主要因素是所选填孔树脂与基板CTE特性的匹配性,此外填孔后的树脂固化烤板参数、磨树脂后到电镀通孔的停留时间、电镀通孔过程中除胶条件等对POFV镀层与填孔树脂分离有少许影响。 展开更多
关键词 高频印制板 介电常数 热膨胀系数 填孔覆盖镀层
下载PDF
填孔覆盖电镀拐角裂纹改善研究
14
作者 桂来来 裴保云 +1 位作者 杨海云 袁继旺 《印制电路信息》 2023年第5期47-50,共4页
针对填孔覆盖电镀(POFV)产生的拐角裂纹问题,系统研究了塞孔树脂的热膨胀系数、包覆铜厚度、盖覆铜厚、电镀线延展性等对冷热循环后填孔覆盖电镀设计拐角可靠性的影响。借助金相显微镜对拐角裂纹失效影响因素进行失效分析,同时利用冷热... 针对填孔覆盖电镀(POFV)产生的拐角裂纹问题,系统研究了塞孔树脂的热膨胀系数、包覆铜厚度、盖覆铜厚、电镀线延展性等对冷热循环后填孔覆盖电镀设计拐角可靠性的影响。借助金相显微镜对拐角裂纹失效影响因素进行失效分析,同时利用冷热循环测试设备测试循环次数。结果表明:增加包覆铜厚度对填孔覆盖电镀的拐角裂纹有明显的改善作用;选择延展性好的电镀线及低膨胀系数塞孔树脂对填孔覆盖电镀的拐角裂纹无明显改善效果。 展开更多
关键词 印制电路板 拐角裂纹 填孔覆盖电镀 热膨胀系数 包覆铜 盖覆铜
下载PDF
印制线路板微孔镀铜研究现状 被引量:20
15
作者 李亚冰 王双元 王为 《电镀与精饰》 CAS 2007年第1期32-35,39,共5页
印制线路板微孔金属化的关键在于在高厚径比的微孔中形成无空洞、无接缝、均匀的铜沉积层。综述了目前微孔填充技术的发展现状,对电镀过程中采用的电流密度、搅拌因素和电流波形等进行了探讨,重点讨论了添加剂对填孔效果的影响及其作用... 印制线路板微孔金属化的关键在于在高厚径比的微孔中形成无空洞、无接缝、均匀的铜沉积层。综述了目前微孔填充技术的发展现状,对电镀过程中采用的电流密度、搅拌因素和电流波形等进行了探讨,重点讨论了添加剂对填孔效果的影响及其作用机理。 展开更多
关键词 印制线路板 微孔 厚径比 添加剂 填孔 脉冲电镀
下载PDF
LTCC多层互连基板工艺及优化 被引量:9
16
作者 王浩勤 曾志毅 +1 位作者 尉旭波 徐自强 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期50-53,共4页
低温共烧陶瓷(LTCC)多层互连基板,具有可内埋无源元件、高频特性优良、IC封装基板、小型化等优点,在军事、宇航、汽车、微波与射频通信等领域得到了广泛应用,其制造技术,是MCM技术中的关键技术。该文介绍了LTCC基板的制造工艺、关键技... 低温共烧陶瓷(LTCC)多层互连基板,具有可内埋无源元件、高频特性优良、IC封装基板、小型化等优点,在军事、宇航、汽车、微波与射频通信等领域得到了广泛应用,其制造技术,是MCM技术中的关键技术。该文介绍了LTCC基板的制造工艺、关键技术及其优化。通过对关键工艺进行优化,获得了一套适合带腔体LTCC多层互连基板制作的工艺参数。并已成功研制出满足T/R组件微波电路性能要求的LTCC多层互连基板。 展开更多
关键词 互连电路 低温共烧陶瓷 多层 工艺优化 通孔填充
下载PDF
印制电路板电镀填盲孔的影响因素 被引量:5
17
作者 刘佳 陈际达 +3 位作者 陈世金 郭茂桂 何为 李松松 《电镀与涂饰》 CAS CSCD 北大核心 2015年第15期839-845,共7页
以某公司电镀填盲孔的电镀液体系为研究对象,在500 m L哈林槽中模拟电镀线,系统地考察了电镀液配方(硫酸铜、硫酸、湿润剂、光亮剂、整平剂和氯离子的浓度以及添加剂相互作用)、电镀参数(电流密度和电镀时间)以及盲孔几何尺寸(深径比0.6... 以某公司电镀填盲孔的电镀液体系为研究对象,在500 m L哈林槽中模拟电镀线,系统地考察了电镀液配方(硫酸铜、硫酸、湿润剂、光亮剂、整平剂和氯离子的浓度以及添加剂相互作用)、电镀参数(电流密度和电镀时间)以及盲孔几何尺寸(深径比0.6∶1和1.07∶1)等化学和物理因素对FR-4基材盲孔电镀填孔的影响。以盲孔填孔率、凹陷度、表层镀铜厚度等指标综合评价盲孔填孔效果并用金相显微镜观察孔的横截面。结果表明,在适宜的电镀条件下,该电镀液体系对印制电路板盲孔的填孔效果良好。但是,适宜的电镀参数和电镀液配方与盲孔几何尺寸显著相关。 展开更多
关键词 印制电路板 盲孔 填孔 电镀 影响因素 凹陷度 厚度 尺寸
下载PDF
封孔镀铜过程中JGB作用机理研究 被引量:7
18
作者 李亚冰 王为 李永磊 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第4期534-540,共7页
采用极化曲线和电化学交流阻抗法测试,研究了封孔镀铜过程中整平剂JGB的作用机理,同时利用质谱和液体核磁共振谱确定了通电过程中JGB分解产物A的结构。结果表明,JGB是一种非常不稳定的物质,在较低的阴极极化电位下JGB通过断开-N=N-双键... 采用极化曲线和电化学交流阻抗法测试,研究了封孔镀铜过程中整平剂JGB的作用机理,同时利用质谱和液体核磁共振谱确定了通电过程中JGB分解产物A的结构。结果表明,JGB是一种非常不稳定的物质,在较低的阴极极化电位下JGB通过断开-N=N-双键同时加氢来实现它向产物A的转化,转化过程中JGB从电极表面脱附。相对JGB而言,产物A比较稳定,它在阴极表面的吸附强度随电位负移而增强。封孔镀过程中,因印制线路板(PCB)表面的工作电位一般都较JGB的脱附电位更负,而在此电位下,产物A可稳定吸附于电极表面,所以JGB的分解产物A才是封孔镀铜过程中真正的整平剂。电镀开始时,首先在电极表面发生的是通电前吸附于电极表面的JGB转化为产物A的还原反应,随后才是产物A稳定吸附于电极表面阻止铜沉积的阶段。 展开更多
关键词 封孔镀 JGB 分解产物 吸-脱附电位
下载PDF
低温共烧陶瓷多层基板精细互连技术 被引量:2
19
作者 徐志春 成立 +3 位作者 李俊 韩庆福 张慧 刘德林 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第7期629-633,共5页
微电子技术和封装工艺的发展使超大规模集成电路(VLSI)的密度越来越高,而高密度低温共烧陶瓷(LTCC)基板的制作依赖于基板内部导体的精细互连技术。为了满足LTCC多层基板高密度互连的工艺要求,必须使基板微通孔的直径及导线线宽缩小到100... 微电子技术和封装工艺的发展使超大规模集成电路(VLSI)的密度越来越高,而高密度低温共烧陶瓷(LTCC)基板的制作依赖于基板内部导体的精细互连技术。为了满足LTCC多层基板高密度互连的工艺要求,必须使基板微通孔的直径及导线线宽缩小到100μm以内。基于此,首先介绍了LTCC生瓷带层的微通孔形成与填充工艺,以及所形成的微通孔的特点;利用厚膜丝网印刷技术形成精细导线,分析了影响印刷质量的工艺参数;最后简要介绍了薄膜光刻等新技术。通过应用上述几种先进的精细互连工艺技术,极大地提高了LTCC多层基板的互连密度。 展开更多
关键词 高密度互连 低温共烧陶瓷 微通孔 通孔填充 丝网印刷
下载PDF
复合光亮剂对盲孔填孔电镀铜的影响 被引量:1
20
作者 肖友军 雷克武 +3 位作者 王义 屈慧男 陈金明 伍小彪 《电镀与涂饰》 CAS CSCD 北大核心 2016年第20期1049-1055,共7页
介绍了一种盲孔填孔电镀铜复合光亮剂,该光亮剂由抑制剂C(乙二醇与丙二醇的共聚物)、光亮剂B(N,N-二甲基二硫代羰基丙烷磺酸钠)和整平剂L(含氮杂环混合物)组成。先采用CVS(循环伏安剥离)法分析各添加剂对电镀速率的影响,以确定镀液中各... 介绍了一种盲孔填孔电镀铜复合光亮剂,该光亮剂由抑制剂C(乙二醇与丙二醇的共聚物)、光亮剂B(N,N-二甲基二硫代羰基丙烷磺酸钠)和整平剂L(含氮杂环混合物)组成。先采用CVS(循环伏安剥离)法分析各添加剂对电镀速率的影响,以确定镀液中各组分有效浓度的分析方法。再通过全因子试验研究抑制剂C、光亮剂B和整平剂L对填孔率的影响。结果表明,光亮剂B和整平剂L用量对盲孔填孔效果的影响较大,抑制剂C的影响较小。在由210 g/L Cu SO_4·5H_2O、50 g/L H_2SO_4和50 mg/L氯离子组成的基础镀液中加入0.5 mL/L光亮剂B、10 mL/L整平剂L和15 mL/L抑制剂C时,填孔率大于90%,镀液通电量在200 A·h/L以内可达到良好的填孔效果。镀铜层的延展性和可靠性满足印制线路板(PCB)行业的应用要求。 展开更多
关键词 填孔 电镀铜 抑制剂 光亮剂 整平剂 循环伏安剥离 全因子试验
下载PDF
上一页 1 2 6 下一页 到第
使用帮助 返回顶部