a-Si TFT LCD过孔尺寸的缩减(英文)

为了提高薄膜晶体管液晶显示器的开口率,研究了在优化的钝化层沉积条件下的过孔尺寸。结果表明,随着钝化层沉积温度的升高,钝化层的刻蚀率在下降,过孔的尺寸变小。当钝化层沉积温度在360℃时,过孔尺寸为8.20μm。

获得精细通孔图形的光刻技术改进(英文)

为了获得更高性能的TFT—LCD面板，在光刻时保证精细的图形成像十分重要，其中，如何制作出尺寸更小的通孔图形是主要的问题之一。本文提供的研究中，我们只简单地改变了一下烘烤工艺，而不需要改变Eop和显影时间，就可以将通孔图形的尺寸减小20％～25oA。在后续的刻蚀工艺中，通孔的尺寸能显著减小。