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Molecular Dynamics Simulation of Shock Response of CL-20 Co-crystals Containing Void Defects
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作者 Changlin Li Wei Yang +5 位作者 Qiang Gan Yajun Wang Lin Liang Wenbo Zhang Shuangfei Zhu Changgen Feng 《Defence Technology(防务技术)》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第1期364-374,共11页
To investigate the effect of void defects on the shock response of hexanitrohexaazaisowurtzitane(CL-20)co-crystals,shock responses of CL-20 co-crystals with energetic materials ligands trinitrotoluene(TNT),1,3-dinitro... To investigate the effect of void defects on the shock response of hexanitrohexaazaisowurtzitane(CL-20)co-crystals,shock responses of CL-20 co-crystals with energetic materials ligands trinitrotoluene(TNT),1,3-dinitrobenzene(DNB),solvents ligands dimethyl carbonate(DMC) and gamma-butyrolactone(GBL)with void were simulated,using molecular dynamics method and reactive force field.It is found that the CL-20 co-crystals with void defects will form hot spots when impacted,significantly affecting the decomposition of molecules around the void.The degree of molecular fragmentation is relatively low under the reflection velocity of 2 km/s,and the main reactions are the formation of dimer and the shedding of nitro groups.The existence of voids reduces the safety of CL-20 co-crystals,which induced the sensitivity of energetic co-crystals CL-20/TNT and CL-20/DNB to increase more significantly.Detonation has occurred under the reflection velocity of 4 km/s,energetic co-crystals are easier to polymerize than solvent co-crystals,and are not obviously affected by voids.The results show that the energy of the wave decreases after sweeping over the void,which reduces the chemical reaction frequency downstream of the void and affects the detonation performance,especially the solvent co-crystals. 展开更多
关键词 CL-20 co-crystals Molecular dynamics simulation Reactive forcefield Impact response Hot spot void defect
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Void defect detection in BGA solder joints using mathematical morphology
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作者 张俊生 王明泉 +2 位作者 王玉 王军 郭晋秦 《Journal of Measurement Science and Instrumentation》 CAS CSCD 2017年第2期199-204,共6页
Voids are one of the major defects in ball grid array (BGA) solder joints due to a large amount of outgassing flux that gets entrapped during reflow. X-ray nondestructive machines are used to make voids visible ... Voids are one of the major defects in ball grid array (BGA) solder joints due to a large amount of outgassing flux that gets entrapped during reflow. X-ray nondestructive machines are used to make voids visible as lighter areas inside the solder joints in X-ray images for detection However, it has always been difficult to analyze this problem automatically because of some challenges such as noise, inconsistent lighting and void-like artifacts. This study realized accurate extraction and automatic a-nalysis of void defects in solder joints by adopting a technical proposal, in which Otsu algorithm was used to segment solder balls and void defects were extracted through opening and closing operations and top-hat transformation in mathematical mor-phology. Experimental results show that the technical proposal mentioned here has good robustness and can be applied in the detection of voids in BGA solder joints. 展开更多
关键词 ball grid array (BGA) void defect X-RAY OTSU mathematical morphology
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Void defect detection in ball grid array X-ray images using a new blob filter 被引量:4
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作者 Shao-hu PENG Hyun Do NAM 《Journal of Zhejiang University-Science C(Computers and Electronics)》 SCIE EI 2012年第11期840-849,共10页
Ball grid arrays (BGAs) have been used in the production of electronic devices/assemblies because of their advantages of small size, high I/O port density, etc. However, BGA voids can degrade the performance of the bo... Ball grid arrays (BGAs) have been used in the production of electronic devices/assemblies because of their advantages of small size, high I/O port density, etc. However, BGA voids can degrade the performance of the board and cause failure. In this paper, a novel blob filter is proposed to automatically detect BGA voids presented in X-ray images. The proposed blob filter uses the local image gradient magnitude and thus is not influenced by image brightness, void position, or component interference. Different sized average box filters are employed to analyze the image in multi-scale, and as a result, the proposed blob filter is robust to void size. Experimental results show that the proposed method obtains void detection accuracy of up to 93.47% while maintaining a low false ratio. It outperforms another recent algorithm based on edge detection by 40.69% with respect to the average detection accuracy, and by 16.91% with respect to the average false ratio. 展开更多
关键词 Ball grid array (BGA) X-RAY defect detection Blob detection void detection
原文传递
掺杂剂种类对大直径直拉硅单晶中void微缺陷的影响
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作者 郝秋艳 孙文秀 +2 位作者 刘彩池 张建强 姚素英 《南开大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期64-67,共4页
研究了掺杂剂原子种类及快速热处理技术对大直径直拉硅单晶中空洞型微缺陷密度的影响.实验结果发现,掺入半径较大杂质原子的硅片,空洞型微缺陷密度相对较高,掺入半径较小杂质原子的硅片,空洞型微缺陷的密度相对较低.高温快速热处理后,... 研究了掺杂剂原子种类及快速热处理技术对大直径直拉硅单晶中空洞型微缺陷密度的影响.实验结果发现,掺入半径较大杂质原子的硅片,空洞型微缺陷密度相对较高,掺入半径较小杂质原子的硅片,空洞型微缺陷的密度相对较低.高温快速热处理后,硅片中FPD s的密度都有很大程度降低,而A r气氛退火对vo id微缺陷密度的影响要优于N2气氛.轻掺B硅片在O2气氛退火后FPD s密度下降最多,而重掺Sb硅片在O2气氛退火后FPD s密度下降最少. 展开更多
关键词 CZSI 空洞型微缺陷 FPDS 快速热处理
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恒压下GIS固体绝缘界面气隙缺陷放电严重程度评估 被引量:2
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作者 唐志国 李阳 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期62-68,77,共8页
为了研究GIS绝缘子界面气隙缺陷的放电发展过程,文中设计了空洞气隙缺陷模型,搭建了一套GIS气隙缺陷放电长期测试平台。基于缺陷模型的击穿电压对带有缺陷的试品施加90%Ub、60%Ub、30%Ub的交流恒压,使用UHF检测系统采集放电数据直至试... 为了研究GIS绝缘子界面气隙缺陷的放电发展过程,文中设计了空洞气隙缺陷模型,搭建了一套GIS气隙缺陷放电长期测试平台。基于缺陷模型的击穿电压对带有缺陷的试品施加90%Ub、60%Ub、30%Ub的交流恒压,使用UHF检测系统采集放电数据直至试品击穿。提取放电次数、放电幅值、放电时间间隔分析放电状态特征,发现GIS气隙缺陷放电发展过程存在两个阶段,前期放电幅值缓慢增大,放电脉冲逐渐稀疏,放电发展较为平稳;后期放电幅值急剧减小,放电脉冲密集,放电发展剧烈,采用k⁃means聚类算法及BP神经网络建立了气隙缺陷局放发展阶段的划分规则。研究表明,放电次数、放电幅值、放电时间间隔3种统计参量呈现阶段式单调性的趋势,可以用3种统计参量前向差分绝对值作为特征参量来评估GIS气隙放电严重程度;对GIS恒压试验进行聚类分析将放电过程划分为平稳劣化阶段和加速劣化阶段,随着外施电压水平的降低,平稳劣化阶段被压缩,加速劣化阶段占比升高。 展开更多
关键词 GIS绝缘子 气隙放电 恒压法 状态划分 评估
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水下抛石电阻率特性试验研究
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作者 梁越 张宏杰 +3 位作者 许彬 马士谦 夏日风 代磊 《水利水运工程学报》 CSCD 北大核心 2024年第2期100-107,共8页
研究旨在利用电阻率技术解决水下抛石坝(隐蔽性工程)隐患探测和质量评价等关键问题。采用四电极法分析了水下抛石在不同供电电压和空隙率条件下的电阻率特性,并建立了电阻率与水下抛石空隙率的经验公式。结果表明:水下抛石电阻率随供电... 研究旨在利用电阻率技术解决水下抛石坝(隐蔽性工程)隐患探测和质量评价等关键问题。采用四电极法分析了水下抛石在不同供电电压和空隙率条件下的电阻率特性,并建立了电阻率与水下抛石空隙率的经验公式。结果表明:水下抛石电阻率随供电电压(10~60 V)升高呈先衰减后逐渐趋于稳定的变化特征,且供电电压高于30 V时电阻率衰减程度显著降低;水下抛石电阻率随空隙率的增加逐渐减小并趋于稳定(两者间的关系可用递减型幂函数表征),且不同供电电压下电阻率随空隙率的变化规律与此类似;分别选用幂函数、指数函数及对数函数拟合电阻率与空隙率关系,发现幂函数拟合误差最小,考虑供电电压影响最终建立了水下抛石电阻率与空隙率的经验公式;进一步通过水下抛石坝模型试验验证了经验公式的可靠性。该经验公式可有效描述水下抛石分布的密实程度,从而快速识别水下抛石坝内部隐患。 展开更多
关键词 水下抛石 隐患探测 电阻率 空隙率 供电电压
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基于PAM-RTM的CFRP平板RTM工艺及孔隙缺陷仿真
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作者 邹文涛 孟宪明 +5 位作者 程从前 宋通 张赛 曹铁山 吴昊 赵杰 《工程塑料应用》 CAS CSCD 北大核心 2024年第3期76-82,共7页
树脂传递模塑(RTM)成型过程中不同工艺参数对碳纤维增强树脂基复合材料(CFRP)构件质量和性能有极大影响。为了精准设计RTM成型参数,降低最终构件的孔隙缺陷含量,分析充模过程中两种尺度孔隙率的变化及在构件中的分布规律,基于PAM-RTM软... 树脂传递模塑(RTM)成型过程中不同工艺参数对碳纤维增强树脂基复合材料(CFRP)构件质量和性能有极大影响。为了精准设计RTM成型参数,降低最终构件的孔隙缺陷含量,分析充模过程中两种尺度孔隙率的变化及在构件中的分布规律,基于PAM-RTM软件对CFRP平板模型RTM成型的充模及双尺度孔隙形成进行了仿真模拟。分析了不同树脂黏度、浇注压力对填充时间及宏观和微观孔隙分布、孔隙率的影响规律;在构件中选取了不同位置的横向轴线并对比轴上宏观/微观孔隙的含量及分布特征,分析随着距离浇注口位置变化孔隙率的变化规律。结果表明,在恒压浇注条件下,浇注压力越大,树脂黏度越小,填充时间越短;树脂黏度为0.1Pa·s、浇注压力为1.5MPa时,充模时间最小,为13.11s。宏观孔隙率随浇注压力升高而减小,微观孔隙率则相反。宏观孔隙在开始填充一段时间后形成,孔隙率最终在出胶口达到最大值;微观孔隙则在填充初始阶段开始形成,孔隙率随着填充距离增加逐渐减小。3条横向轴上两种尺度孔隙率的变化趋势相近;浇注压力影响宏观孔隙开始形成的位置及微观孔隙结束形成的位置,并影响填充结束时的最大宏观孔隙率和填充开始时的最大微观孔隙率。 展开更多
关键词 树脂传递模塑 双尺度孔隙模型 孔隙缺陷 PAM-RTM软件 仿真
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封闭条件下温度对气隙放电影响的模拟研究
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作者 郑全福 张钊棋 +2 位作者 罗林根 盛戈皞 江秀臣 《电机与控制学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第2期1-10,共10页
气隙缺陷往往导致局部放电(PD)现象,局放的发展过程与放电条件密切相关,通过放电的宏观表征来分析判断放电条件,是实现绝缘条件评估的重要途径。以温度对气隙缺陷下局放过程的影响为例,通过建立温度条件对放电过程的参数控制模型,研究... 气隙缺陷往往导致局部放电(PD)现象,局放的发展过程与放电条件密切相关,通过放电的宏观表征来分析判断放电条件,是实现绝缘条件评估的重要途径。以温度对气隙缺陷下局放过程的影响为例,通过建立温度条件对放电过程的参数控制模型,研究了不同温度对其微观发展过程的影响,得到了不同温度条件下的宏观表征。仿真研究表明,在封闭条件下,温度的升高会影响放电过程中的电子密度分布以及电场分布。在303、323和343 K的条件下模拟放电过程,其电流峰值依次为0.479、0.356和0.261 A,随温度升高逐渐下降;此外其电流脉冲持续时间依次为19.261、15.516和13.438 ns,随温度升高逐渐变短。最后,实地测量了不同温度下的放电电流,获得了与仿真模型一致的结果。 展开更多
关键词 局部放电 温度 流体模型 放电电流 气隙缺陷 参数控制
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地铁盾构隧道壁后空洞高精度成像方法 被引量:1
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作者 李鉴辉 陈俊宏 +4 位作者 岳云鹏 孟旭 孙竹妤 苏昱融 刘海 《铁道标准设计》 北大核心 2024年第7期140-145,共6页
盾构隧道在建设和运营中常面对壁后空洞等隐蔽缺陷问题。这些隐蔽缺陷会导致隧道局部承载力降低,在荷载长期作用下增加隧道灾变风险。探地雷达是盾构隧道隐蔽缺陷探测的主要方法之一,然而直接对雷达数据进行解译受环境影响较大,不能满... 盾构隧道在建设和运营中常面对壁后空洞等隐蔽缺陷问题。这些隐蔽缺陷会导致隧道局部承载力降低,在荷载长期作用下增加隧道灾变风险。探地雷达是盾构隧道隐蔽缺陷探测的主要方法之一,然而直接对雷达数据进行解译受环境影响较大,不能满足日益提高的检测需求。为提高隧道检测的精度,采用时域有限差分法对不同尺寸与形状的隧道壁后空气/含水空洞进行数值模拟,研究不同类型空洞的电磁响应特征,并结合逆时偏移方法对空洞目标进行了高精度成像。之后,在搭建的隧道隐蔽缺陷试验平台中埋设了不同大小的空气/含水空洞并进行了雷达探测,利用足尺模型试验对所提出的成像方法进行验证。结果表明:相较于传统的绕射叠加偏移与Kirch-hoff偏移方法,本文提出的逆时偏移成像算法可在抑制成像目标边缘反射伪影的同时,准确估算空洞位置及尺寸。研究结果可为盾构隧道壁后空洞雷达数据解释提供参考。 展开更多
关键词 地铁 盾构隧道 壁后隐蔽缺陷 空洞 探地雷达 逆时偏移成像
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公路路基隐伏空洞缺陷模拟分析研究
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作者 张勇 梁为群 +5 位作者 胡彬 罗韬 刘晶晶 张健 梁为柯 许维勤 《价值工程》 2024年第17期91-94,共4页
本文依托梅大高速公路项目,采用COMSOL软件进行建模分析,研究路基隐伏空洞缺陷对于行车荷载的响应规律,可知:(1)竖向应力曲线:随着空洞缺陷埋深增大,应力曲线形态逐渐接近于无缺陷状态;(2)应力集中和释放效应:空洞缺陷两端应力明显增大... 本文依托梅大高速公路项目,采用COMSOL软件进行建模分析,研究路基隐伏空洞缺陷对于行车荷载的响应规律,可知:(1)竖向应力曲线:随着空洞缺陷埋深增大,应力曲线形态逐渐接近于无缺陷状态;(2)应力集中和释放效应:空洞缺陷两端应力明显增大,空洞中部应力明显减小;(3)空洞缺陷距离测线越近,竖向位移、竖向速度和竖向加速度变化值越大;(4)竖向速度和竖向加速度最大位置,均位于空洞缺陷中点投影位置。 展开更多
关键词 公路路基 空洞缺陷 竖向应力 竖向位移 竖向速度 竖向加速度
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固体绝缘中气隙尺寸对局部放电过程的影响 被引量:46
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作者 潘浩 殷庆铎 高文胜 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期458-461,共4页
为了分析和评估固体绝缘中气隙缺陷局部放电的危害,提高局部放电检测的工程应用水平,试验研究了固体绝缘单一气隙缺陷模型;测量了不同模型试品的局放起始电压、起始放电量及放电信号波形;分析了固体绝缘内部气隙缺陷的几何尺寸对局放特... 为了分析和评估固体绝缘中气隙缺陷局部放电的危害,提高局部放电检测的工程应用水平,试验研究了固体绝缘单一气隙缺陷模型;测量了不同模型试品的局放起始电压、起始放电量及放电信号波形;分析了固体绝缘内部气隙缺陷的几何尺寸对局放特性的影响;考察了不同几何尺寸缺陷放电的发展过程和脉冲电流波形特征,发现不同尺寸缺陷结构的放电特性有所差异;归纳了不同场强下气隙放电的变化规律。试验结果表明,气隙缺陷尺寸越大,越易产生放电且放电量越大,外施场强增加则放电量增大,而固体绝缘中的局部放电随气隙缺陷尺寸变化表现出有差异的波形特征。 展开更多
关键词 局部放电 固体绝缘 气隙缺陷 放电特征 气隙尺寸 波形
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振荡操作冲击电压下绝缘子气隙缺陷局部放电特性研究 被引量:9
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作者 张崇兴 任明 +2 位作者 周洁睿 董明 阙波 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2019年第14期3074-3083,共10页
通过搭建操作冲击电压下局部放电现场检测回路,试验探索振荡操作冲击电压下绝缘子气隙缺陷局部放电行为和产生机制,并对振荡操作冲击下局部放电脉冲序列特性进行建模与仿真研究。试验结果表明,振荡操作冲击电压下的局部放电脉冲随外施... 通过搭建操作冲击电压下局部放电现场检测回路,试验探索振荡操作冲击电压下绝缘子气隙缺陷局部放电行为和产生机制,并对振荡操作冲击下局部放电脉冲序列特性进行建模与仿真研究。试验结果表明,振荡操作冲击电压下的局部放电脉冲随外施电压的上升呈现阶段性特征;放电起始和熄灭场强均随着气隙半径的增加而减小;相同半径的气隙在振荡冲击电压下的放电起始场强较工频交流电压下更大;操作冲击下的放电脉冲数和放电量随着外施峰值场强的提高呈现急剧上升趋势。此外,建立考虑电荷记忆效应和蒙特卡洛随机过程的局部放电模型,并通过仿真较好地解释和描述了首次放电时延结果及脉冲统计分布的试验结果。 展开更多
关键词 振荡操作冲击电压 局部放电 气体绝缘开关设备 气隙缺陷 SF6
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钢锭内部孔隙性缺陷锻合过程的数值模拟 被引量:9
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作者 陈锟 杨弋涛 邵光杰 《塑性工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期6-10,共5页
通过比较圆柱体试样内部孔洞锻合过程的模拟计算结果和实验结果,确立了钢锭内部孔隙性缺陷锻合过程的模拟法,并对长孔型缺陷和短孔型缺陷的锻合过程进行了计算,得到各类孔洞的闭合规律,且定量给出了不同位置处孔洞闭合时所需的临界压下... 通过比较圆柱体试样内部孔洞锻合过程的模拟计算结果和实验结果,确立了钢锭内部孔隙性缺陷锻合过程的模拟法,并对长孔型缺陷和短孔型缺陷的锻合过程进行了计算,得到各类孔洞的闭合规律,且定量给出了不同位置处孔洞闭合时所需的临界压下率。从孔洞闭合的力学本质角度,对钢锭内部的等效应变分布情况进行了研究。结果表明,孔洞的闭合完全是由于应力集中并达到一定程度的变形所引起的。其中,四面体孔最难闭合,为所有孔洞锻合所需临界压下率的上限值。锻合区域的给出,为制订锻造工艺提供了理论依据。 展开更多
关键词 孔隙性缺陷 锻合区域 模拟法 应力集中
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绝缘材料电树枝发展过程中不同效应的影响 被引量:4
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作者 殷庆铎 高文胜 叶宽 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期766-771,共6页
为研究局部放电对电树枝发展过程的影响,实验研究了聚乙稀和有机玻璃的放电特性并根据放电在绝缘材料内部形成的破坏痕迹及放电脉冲波形特征的分析结果,将气隙内局部放电的破坏形式分为直接放电破坏和沿面放电破坏2种类型。施压时间对... 为研究局部放电对电树枝发展过程的影响,实验研究了聚乙稀和有机玻璃的放电特性并根据放电在绝缘材料内部形成的破坏痕迹及放电脉冲波形特征的分析结果,将气隙内局部放电的破坏形式分为直接放电破坏和沿面放电破坏2种类型。施压时间对破坏痕迹影响的结果表明,局部放电会在含有气隙缺陷的绝缘材料中形成3种破坏效应,即热效应、化学腐蚀和机械应力作用,而楔形气隙模型试验研究局部放电破坏效应对电树枝生长过程影响的结果显示,局部放电的放电形式会影响材料的破坏状态,放电形成的破坏效应与电树枝生长状态之间具有一定的关系。这些结果意味着局部放电的行为特性与电树枝生长状态之间存在内在联系。 展开更多
关键词 局部放电 电树枝生长 气隙缺陷 放电类型 破坏效应 破坏痕迹
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XLPE 电缆水树老化过程中半导电层缺陷的形成机理 被引量:18
15
作者 周凯 陶霰韬 +2 位作者 杨滴 陶文彪 杨明亮 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期124-130,共7页
交联聚乙烯(XLPE)电缆的半导电层缺陷诱发机理尚无定论。为此,在加速水树老化实验的基础上,观测了水树老化后电缆的内、外半导电层中的缺陷,并对这些缺陷的形成原因进行了讨论。采用水针法对长度为70 m的XLPE电缆进行加速老化,电缆的绝... 交联聚乙烯(XLPE)电缆的半导电层缺陷诱发机理尚无定论。为此,在加速水树老化实验的基础上,观测了水树老化后电缆的内、外半导电层中的缺陷,并对这些缺陷的形成原因进行了讨论。采用水针法对长度为70 m的XLPE电缆进行加速老化,电缆的绝缘性能逐渐下降,并在绝缘层中观察到水树缺陷。通过扫描电镜(SEM)观测到,老化样本的半导电层中有大量孔洞缺陷。进一步采用X射线能量色散谱(EDS)对内、外半导电层中的化学元素进行定量分析证明,老化后半导电层中氧(O)元素含量显著减少。因此,在长期老化过程中,半导电层中可能发生了电解质水溶液的电解反应,并生成了氧气(O2)和臭氧(O3),这种气体的生成是半导电层中孔洞缺陷发生及发展的原因。 展开更多
关键词 XLPE电缆 水树 半导电层 电解反应 孔洞缺陷 老化机理
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不同脱空模式下隧道结构安全状态分析 被引量:18
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作者 叶艺超 彭立敏 +1 位作者 雷明锋 林越翔 《铁道科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第11期2875-2883,共9页
结合范家沟隧道工程,基于荷载-结构法平面计算分析模型,设置不同脱空范围及不同脱空模式,分析衬砌脱空对在役隧道结构安全性的影响规律。研究结果表明:脱空的影响主要集中在空洞范围内及其邻近位置处,脱空的范围越大,影响的范围也越大;... 结合范家沟隧道工程,基于荷载-结构法平面计算分析模型,设置不同脱空范围及不同脱空模式,分析衬砌脱空对在役隧道结构安全性的影响规律。研究结果表明:脱空的影响主要集中在空洞范围内及其邻近位置处,脱空的范围越大,影响的范围也越大;衬砌不同位置对脱空的敏感性表现为:拱腰>拱顶>脱空邻近处,且拱腰邻近处>拱顶邻近处,较之拱顶脱空的情况,拱腰处出现脱空时对结构更为不利;特征位置安全系数与结构最小安全系数随脱空范围的增大均表现为先增大后急剧减小,正弯矩处轻度的脱空可以有效改善隧道结构的受力形态,而重度脱空将使结构承载性能大幅降低。根据计算与统计结果,划分脱空病害等级,并界定相应的处治措施。同时讨论人为在结构正弯矩处设置轻度脱空的可行性,并初步提出设置方案。 展开更多
关键词 隧道工程 衬砌脱空 脱空模式 结构安全性 脱空病害等级 处治措施
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整锻挤压辊两次镦拔新工艺的数值模拟 被引量:3
17
作者 刘晓斐 苏娟华 许莹莹 《锻压技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期50-53,共4页
整体锻造挤压辊是整个辊压机的关键部件,形状短粗,是大型粗短轴类零件的代表,锻透性较差;空洞型缺陷是造成产品合格率低的一个重要因素,必须消除。本文利用Deform-3D模拟软件,对两次镦拔新工艺应用于RP170-110挤压辊的第1次镦拔过程进... 整体锻造挤压辊是整个辊压机的关键部件,形状短粗,是大型粗短轴类零件的代表,锻透性较差;空洞型缺陷是造成产品合格率低的一个重要因素,必须消除。本文利用Deform-3D模拟软件,对两次镦拔新工艺应用于RP170-110挤压辊的第1次镦拔过程进行了理论验证。通过对镦粗后采用WHF法和FM法拔长过程的数值模拟结果进行对比,说明两次镦拔新工艺中的第1次镦拔工艺—镦粗+WHF法拔长能够在足够大的三向压应力状态下,在再结晶温度以上愈合孔洞型缺陷,提高了大型短粗轴类锻件的锻透性。8件锻件全部试制合格的结果也证明了两次镦拔新工艺第1次镦拔的合理性。 展开更多
关键词 挤压辊 镦粗 拔长 孔洞型缺陷 数值模拟
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非晶态聚合物气隙缺陷局部放电特性研究 被引量:5
18
作者 袁宇春 高文胜 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期28-31,36,共5页
笔者系统研究了非晶态聚合物中气隙缺陷的电老化机理。通过对单气隙缺陷以及悬浮电位局部放电特性的检测,确定了单气隙结构与局部放电特性之间的关系,并分析了局部放电对电老化过程的影响。试验结果表明,局部放电的起始电压、放电量、... 笔者系统研究了非晶态聚合物中气隙缺陷的电老化机理。通过对单气隙缺陷以及悬浮电位局部放电特性的检测,确定了单气隙结构与局部放电特性之间的关系,并分析了局部放电对电老化过程的影响。试验结果表明,局部放电的起始电压、放电量、放电电流波形特征以及多周期统计特性都随着气隙结构的改变发生明显的变化。并且气隙中局部放电产生的"空间电荷"对后续放电过程的发展起到了"加速"作用,说明非晶态聚合物中长气隙缺陷局部放电引发的电老化现象与空间电荷量存在着密切的关系。 展开更多
关键词 局部放电 非晶态聚合物 气隙缺陷 剩余离子
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球栅阵列焊点空洞缺陷的数学形态学分析 被引量:2
19
作者 张俊生 王明泉 +1 位作者 郭晋秦 楼国红 《科学技术与工程》 北大核心 2018年第2期296-299,共4页
球栅阵列(BGA)焊点焊接过程中容易产生气泡,形成空洞缺陷,检测时如何自动分析一直是个难题。提出使用Otsu算法分割焊球,使用数学形态学中的开闭运算、顶帽变换提取空洞缺陷的技术方案,实现每个焊点空洞缺陷的准确提取和自动分析。实验... 球栅阵列(BGA)焊点焊接过程中容易产生气泡,形成空洞缺陷,检测时如何自动分析一直是个难题。提出使用Otsu算法分割焊球,使用数学形态学中的开闭运算、顶帽变换提取空洞缺陷的技术方案,实现每个焊点空洞缺陷的准确提取和自动分析。实验结果表明,提出的技术方案鲁棒性强,可应用于BGA焊点的空洞缺陷检测。 展开更多
关键词 球栅阵列 空洞缺陷 OTSU算法 数学形态学
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快速预热处理对大直径CZ-Si中FPDs及清洁区的影响 被引量:1
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作者 张建强 刘彩池 +5 位作者 周旗钢 王敬 郝秋艳 孙世龙 赵丽伟 滕晓云 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期73-77,共5页
研究了不同气氛下快速预热处理(RTA)后,硅片中的流动图形缺陷(FPDs)密度和随后两步热处理形成的魔幻清洁区(MDZ)之间的关系.硅片经过高温快速预热处理后,再经过800℃(4h)+1000℃(16h)常规退火,以形成MDZ.研究发现,当硅片在Ar气氛或N2/O2... 研究了不同气氛下快速预热处理(RTA)后,硅片中的流动图形缺陷(FPDs)密度和随后两步热处理形成的魔幻清洁区(MDZ)之间的关系.硅片经过高温快速预热处理后,再经过800℃(4h)+1000℃(16h)常规退火,以形成MDZ.研究发现,当硅片在Ar气氛或N2/O2(9%)混合气氛下RTA预处理后,FPDs密度较低,随后热处理出现的氧沉淀诱生缺陷密度较高、清洁区较宽.对于N2/O2混和气氛,随着O2含量的增加,FPDs和氧沉淀诱生缺陷密度变小,纯O2气氛下预处理后硅片中FPDs和氧沉淀诱生缺陷密度最低.因此,可以通过调节N2/O2混合气氛中两种气氛的比例来控制空洞型微缺陷和硅片体内氧沉淀诱生缺陷的密度. 展开更多
关键词 CZSI 空洞型微缺陷 流动图形缺陷 快速热处理 MDZ
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