腔室清洗的单臂组合设备初始暂态调度

为了提升腔室洁净度,晶圆厂需对组合设备腔室进行清洗操作,从而提高晶圆的加工质量.考虑腔室清洗时间和晶圆驻留时间的约束条件下,本文研究了单臂组合设备的初始暂态调度问题.首先,提出了机械手的初始暂态活动规则,并对机械手活动序列进行描述,实现了系统的初始暂态可调度性;其次,对机械手在初始暂态和稳态的活动时间进行了建模;然后,根据系统的时间特性,建立了初始暂态调度的线性规划模型;最后,通过实例验证了该方法的有效性.与已有的虚拟晶圆方法相比,该调度方法能有效减少初始暂态的完工时间,提高了组合设备的晶圆生产效率.

300mm硅片高精度真空传输系统设计

文章设计一种300mm硅片真空传输系统,满足市场对硅片传输过程高精度,高洁净度,高效率的需求。其中硅片传输腔室采用真空设计,并优化了真空腔室的结构以适应300mm硅片传输,真空度可达2×10^(-7)Torr。真空机械手采用对称连杆直驱机械手,大气机械手采用R-θ型机械手,其重复精度均为±0.1mm。设计了AWC纠偏检测系统,利用光电对射传感器,实现对硅片的实时检测及位置纠正。通过验证性试验数据分析,得到整个系统的整体精度、洁净度、真空度和真空变化值满足工作要求,验证了设计的合理性。

高温离子注入靶盘设计

简要介绍了高温离子注入靶室的设计。通过设计辅助加热装置使离子注入时晶片表面温度达到500℃以上,并通过靶盘旋转和往返平移扫描的方式实现了晶片片内和片间的温度均匀性,满足了碳化硅掺杂、SOI晶片制造等特殊需要。

GIC41172×1.7MV串列加速器高能注入靶室的改进

通过更换丝杠和更新电机控制系统增大了靶盘纵向扫描范围 ,解决了扫描过程中纵向电机经常停转问题 ,并使靶室可装载 10 cm(4in)片子 ;通过隔离外界干扰电信号。

晶圆边缘离子平均入射角度数值模拟研究

针对晶圆边缘非垂直刻蚀剖面问题,对300mm双频容性耦合等离子体刻蚀机晶圆边缘离子平均入射角度的分布特性进行了数值模拟研究。采用流体动力学模型求解等离子体宏观特性,氩气作为工艺气体,以一个射频周期内平均离子通量的矢量方向近似为离子平均入射角度,研究发现：边缘效应导致的晶圆边缘鞘层畸变是引起离子平均入射角度偏斜垂直方向的主要原因;晶圆外伸量与可利用半径近似呈负相关关系,且只会影响晶圆边缘向内约10-15mm区域的离子平均入射角度分布;上接地板半径和喷淋头半径影响范围较大,在晶圆半径超过100mm外均有较大影响;适当增大上接地板半径有利于提高离子平均入射角度的垂直性和增大晶圆的有效利用面积,而喷淋头半径在略小于晶圆半径时较佳。

大型水下切粒机水室装置改造

介绍了对国外大型水下切粒机水室装置进行改造的全过程,通过对水室装置的成功改造解决了长期困扰用户的难题,增加了经济效益,达到了改造的目的。

多腔室溅射台测量硅片薄膜吸气能力的方法

本文通过对多腔室高真空溅射台进行改造,实现了对硅片级薄膜吸气剂的吸气能力进行定量评估。通过用毛细管将压力调整腔与测试腔体相连以进行压力差测试,适用于评估吸气能力较强的硅片级薄膜;该装置也可以用测试漏率法来评估吸气能力较弱的硅片级薄膜。本文为硅片级吸气剂吸气性能的测试和评价提供了一个工业级平台,为硅片制造厂吸气剂的工艺开发、性能研究提供了有效的方法。