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Drop failure modes of Sn-3.0Ag-0.5Cu solder joints in wafer level chip scale package 被引量:5
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作者 黄明亮 赵宁 +1 位作者 刘爽 何宜谦 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第6期1663-1669,共7页
To reveal the drop failure modes of the wafer level chip scale packages (WLCSPs) with Sn-3.0Ag-0.5Cu solder joints, board level drop tests were performed according to the JEDEC standard. Six failure modes were iden... To reveal the drop failure modes of the wafer level chip scale packages (WLCSPs) with Sn-3.0Ag-0.5Cu solder joints, board level drop tests were performed according to the JEDEC standard. Six failure modes were identified, i.e., short FR-4 cracks and complete FR-4 cracks at the printing circuit board (PCB) side, split between redistribution layer (RDL) and Cu under bump metallization (UBM), RDL fracture, bulk cracks and partial bulk and intermetallic compound (IMC) cracks at the chip side. For the outmost solder joints, complete FR-4 cracks tended to occur, due to large deformation of PCB and low strength of FR-4 dielectric layer. The formation of complete FR-4 cracks largely absorbed the impact energy, resulting in the absence of other failure modes. For the inner solder joints, the absorption of impact energy by the short FR-4 cracks was limited, resulting in other failure modes at the chip side. 展开更多
关键词 Sn-3.0Ag-0.5Cu wafer level chip scale package solder joint drop failure mode
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SAW滤波器WLP封装中腔体抗模压塌陷研究 被引量:4
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作者 唐代华 金中 +3 位作者 司美菊 罗旋升 谢东峰 谢晓 《压电与声光》 CAS 北大核心 2021年第1期84-87,共4页
通过对声表面波滤波器晶圆级封装结构的探讨,针对在模组封装时器件塌陷成因进行了有限元仿真模型研究,模拟了不同模压量对器件中腔体最大的塌陷量位置。经过实验验证,提出了一种新的金属加强结构,在3 MPa较高模压量时塌陷量几乎为0,解... 通过对声表面波滤波器晶圆级封装结构的探讨,针对在模组封装时器件塌陷成因进行了有限元仿真模型研究,模拟了不同模压量对器件中腔体最大的塌陷量位置。经过实验验证,提出了一种新的金属加强结构,在3 MPa较高模压量时塌陷量几乎为0,解决了声表面波滤波器晶圆级封装芯片灌封压力导致的塌陷问题,降低了器件及模组失效风险,是一种声表面波滤波器晶圆级封装的新技术。 展开更多
关键词 声表面波滤波器 晶圆级封装 灌封 射频前端模组
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超细凸点节距WLP制备关键工艺技术研究 被引量:3
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作者 张颖 罗驰 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期765-768,共4页
通过优化结构设计,改善厚胶光刻工艺条件,采用凸点真空回流等举措,解决了制备超细节距圆片级封装(WLP)工艺中遇到的技术难题,提升了WLP的工艺技术水平;并将具有更优性能的BCB材料应用于WLP的介质层,成功制备出凸点节距为90μm和280μm... 通过优化结构设计,改善厚胶光刻工艺条件,采用凸点真空回流等举措,解决了制备超细节距圆片级封装(WLP)工艺中遇到的技术难题,提升了WLP的工艺技术水平;并将具有更优性能的BCB材料应用于WLP的介质层,成功制备出凸点节距为90μm和280μm的样品。研制的样品已通过相关测试和考核。 展开更多
关键词 超细节距 圆片级封装 苯并环丁烯
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微连接技术在3D-WLP中可靠性的研究现状
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作者 苌文龙 于治水 +1 位作者 陈阿静 经敬楠 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第9期624-629,共6页
为了研究新型技术对微连接可靠性的影响,阐述了微连接技术在倒装焊、热压力焊、硅通孔技术中的应用情况。对微连接技术在晶圆级封装(3D-WLP)中影响其可靠性的常见问题及主要因素进行了综述。分析表明,在常见的Sn基无铅焊料与Cu基板的反... 为了研究新型技术对微连接可靠性的影响,阐述了微连接技术在倒装焊、热压力焊、硅通孔技术中的应用情况。对微连接技术在晶圆级封装(3D-WLP)中影响其可靠性的常见问题及主要因素进行了综述。分析表明,在常见的Sn基无铅焊料与Cu基板的反应过程中,金属间化合物层主要由Cu6Sn5和少量Cu3Sn组成。柯肯达尔孔洞、电迁移、金属间化合物的机械性能、锡须及尺寸效应是影响微连接可靠性的常见问题。在此基础上,归纳并探讨了焊料成分、微量合金、稀土元素、镀层及粉末精度等影响微连接可靠性主要因素的研究情况和发展趋势。 展开更多
关键词 晶圆级封装(3D-wlp) 柯肯达尔孔洞 电迁移 尺寸效应 可靠性
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一种基于WLP封装的声表面波滤波器 被引量:3
5
作者 陈尚权 吕翼 +4 位作者 赵雪梅 董加和 米佳 陈彦光 伍平 《压电与声光》 CAS 北大核心 2020年第4期579-582,共4页
以41°Y-X切型铌酸锂作为基底材料,选择双T型阻抗元结构,采用晶圆级封装(WLP)技术,制作了一款相对带宽5.8%,最小插入损耗为-2.8 dB,体积为1.1 mm×0.9 mm×0.5 mm的小型化WLP封装声表面波滤波器。并研制了专用探卡,对封装... 以41°Y-X切型铌酸锂作为基底材料,选择双T型阻抗元结构,采用晶圆级封装(WLP)技术,制作了一款相对带宽5.8%,最小插入损耗为-2.8 dB,体积为1.1 mm×0.9 mm×0.5 mm的小型化WLP封装声表面波滤波器。并研制了专用探卡,对封装后晶圆完成在线测试。测试结果表明,探卡测试结果与装配到实际电路的测试结果进行对比,两者吻合较好,解决了WLP封装声表面波滤波器测试难题。 展开更多
关键词 晶圆级封装(wlp) 声表面波滤波器 探卡
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C波段WLP薄膜体声波滤波器的研制 被引量:3
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作者 刘娅 孙科 +3 位作者 马晋毅 谢征珍 蒋平英 杜雪松 《压电与声光》 CAS 北大核心 2022年第2期260-263,共4页
该文研制了一种晶圆级封装(WLP)的C波段薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器。采用一维Mason等效电路模型对谐振器进行设计,并使用HFSS对电磁封装模型进行优化,再在ADS中对滤波器进行仿真优化设计,得到阶梯型结构的FBAR滤波器。采用空腔型结... 该文研制了一种晶圆级封装(WLP)的C波段薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器。采用一维Mason等效电路模型对谐振器进行设计,并使用HFSS对电磁封装模型进行优化,再在ADS中对滤波器进行仿真优化设计,得到阶梯型结构的FBAR滤波器。采用空腔型结构并制备出FBAR滤波器芯片,同时利用覆膜工艺对FBAR裸芯片进行覆膜和电镀等WLP工艺,得到WLP的FBAR器件。测试结果表明,滤波器的中心频率为6.09 GHz,中心插损为2.92 dB,通带插损为3.4 dB,带宽为112 MHz,带外抑制大于40 dB。 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器(FBAR) Mason模型 晶圆极封装(wlp) 覆膜 插入损耗
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基于硅基WLP封装的深孔刻蚀工艺研究 被引量:2
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作者 倪烨 徐浩 +3 位作者 孟腾飞 袁燕 王君 张玉涛 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第S02期110-114,共5页
本工作针对硅基晶圆级封装(WLP,Wafer level package)的关键工艺技术——深孔刻蚀工艺进行了研究,通过对掩蔽层材料的选择和图形化工艺研究,制备出满足深孔刻蚀工艺要求的掩蔽层,并采用干法刻蚀设备进行深孔刻蚀和工艺优化,最终制作出... 本工作针对硅基晶圆级封装(WLP,Wafer level package)的关键工艺技术——深孔刻蚀工艺进行了研究,通过对掩蔽层材料的选择和图形化工艺研究,制备出满足深孔刻蚀工艺要求的掩蔽层,并采用干法刻蚀设备进行深孔刻蚀和工艺优化,最终制作出工艺指标为:刻蚀深度185μm、深宽比9∶1、陡直度90.08°、侧壁粗糙度小于64 nm、选择比46∶1的硅深孔样品。该深孔刻蚀工艺可应用于薄膜体声波滤波器(FBAR,Film bulk acoustic resonator)晶圆级封装工艺的硅通孔互联(TSV,Through silicon via)技术中。 展开更多
关键词 晶圆级封装 深孔刻蚀 硅通孔互联
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基于微谐振器的圆片级真空封装真空度测试技术 被引量:1
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作者 胥超 王敏 杨志 《微纳电子技术》 CAS 2024年第5期162-167,共6页
针对微电子机械系统(MEMS)圆片级封装腔体体积小、传统的真空封装测试方法适用性差的情况,研制了一种用于表征圆片级真空封装真空度的器件——MEMS微谐振器。利用此谐振器不仅可以表征圆片级真空封装真空度,也可用于圆片级真空封装漏率... 针对微电子机械系统(MEMS)圆片级封装腔体体积小、传统的真空封装测试方法适用性差的情况,研制了一种用于表征圆片级真空封装真空度的器件——MEMS微谐振器。利用此谐振器不仅可以表征圆片级真空封装真空度,也可用于圆片级真空封装漏率的测试。采用MEMS体硅工艺和共晶圆片键合技术实现了微谐振器的圆片级真空封装,利用微谐振器阻尼特性建立了谐振器品质因数与真空度的对应关系,通过设计的激励电路实现了微谐振器品质因数的在片测试,对不同键合腔体真空度下封装的MEMS微谐振器进行测试,测试结果显示该微谐振器在高真空度0.1~8 Pa范围内品质因数与真空度有很好的对应关系。 展开更多
关键词 微电子机械系统(MEMS) 微谐振器 品质因数 真空度 圆片级真空封装
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圆片级封装中的二次硅-玻璃键合工艺研究
9
作者 郑雅欣 阮勇 +2 位作者 祝连庆 宋志强 吴紫珏 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2024年第10期50-54,共5页
针对MEMS谐振器真空封装更高的要求,将盖帽硅片、器件硅片(Si)和玻璃衬底通过二次Si—玻璃(D-SOG)阳极键合工艺,实现了MEMS谐振器加工的同时,完成MEMS谐振器的6in圆片级高真空度封装。通过优化两次键合工艺参数,第二次键合温度由第一次... 针对MEMS谐振器真空封装更高的要求,将盖帽硅片、器件硅片(Si)和玻璃衬底通过二次Si—玻璃(D-SOG)阳极键合工艺,实现了MEMS谐振器加工的同时,完成MEMS谐振器的6in圆片级高真空度封装。通过优化两次键合工艺参数,第二次键合温度由第一次键合温度350℃调整到380℃,键合压力分别为800N(第二次键合)和600N(第一次键合);优化第二次键合封装密封环的键合面积宽度为700μm;达到良好的MEMS谐振器封装效果,器件的泄漏速率为3.85×10^(-9) Pa·m^(3)/s。该研究可以有效降低加工成本和工艺难度、提高器件可靠性,满足了MEMS器件对封装密封性的要求,后续可广泛应用到基于D-SOG的MEMS谐振器封装工艺中,具有良好的应用前景。 展开更多
关键词 微机电系统 圆片级真空封装 玻璃上硅键合封装密封环 二次硅—玻璃键合
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与硅微器件集成的MEMS皮拉尼计
10
作者 秦宜峰 刘振华 +2 位作者 施志贵 张青芝 熊壮 《太赫兹科学与电子信息学报》 2024年第9期1038-1043,共6页
针对圆片级真空封装现有的检测难、易泄漏等问题,提出一种可与硅微器件工艺兼容、并行加工于同一腔体的皮拉尼(Pirani)计设计与加工方法,用于圆片级真空封装后腔体的真空度检测。采用SOI硅片对皮拉尼计结构进行加工,通过金硅键合方式对... 针对圆片级真空封装现有的检测难、易泄漏等问题,提出一种可与硅微器件工艺兼容、并行加工于同一腔体的皮拉尼(Pirani)计设计与加工方法,用于圆片级真空封装后腔体的真空度检测。采用SOI硅片对皮拉尼计结构进行加工,通过金硅键合方式对器件进行圆片级封装,同时采用硅通孔(TSV)的纵向电极引出方式,改善气密封装问题。测试结果表明,皮拉尼计电阻在线性区间的温度系数为1.58Ω/℃,检测敏感区间约为1~100 Pa,灵敏度达到61.67Ω/ln(Pa)。提出的皮拉尼计可与硅微器件并行加工,为圆片级真空封装腔体的真空度在片测试提供了一种简单可行的方案。 展开更多
关键词 真空检测 皮拉尼计 硅微器件 圆片级真空封装
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基于有限元分析的扇出型晶圆级封装组装工艺热循环仿真评价
11
作者 李培蕾 张伟 +2 位作者 贾秋阳 姜贸公 谷瀚天 《集成电路与嵌入式系统》 2024年第7期37-42,共6页
本文对扇出型晶圆级封装(Fan out Wafer Level Package,FOWLP)组装工艺的热可靠性进行仿真评价,对关键技术及失效机理进行分析,针对某款基于该项技术的典型封装结构,建立其1/4结构有限元仿真模型,并对在典型军用温度循环条件下的热可靠... 本文对扇出型晶圆级封装(Fan out Wafer Level Package,FOWLP)组装工艺的热可靠性进行仿真评价,对关键技术及失效机理进行分析,针对某款基于该项技术的典型封装结构,建立其1/4结构有限元仿真模型,并对在典型军用温度循环条件下的热可靠性进行仿真分析。通过分析FOWLP关键结构在典型航天器用热循环条件下的应力及位移情况,确定了可能引起扇出型晶圆级封装失效的可靠性薄弱点。 展开更多
关键词 晶圆级封装 可靠性 热循环 有限元分析 穿透硅通孔
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三维集成堆叠结构的晶圆级翘曲仿真及应用
12
作者 谭琳 王谦 +2 位作者 郑凯 周亦康 蔡坚 《电子与封装》 2024年第4期1-7,共7页
随着先进电子封装产品对低成本和高性能的需求不断提高,三维集成技术以其传输速度快、功耗低、封装尺寸小、系统集成度高等优势,逐渐成为一个主流研发方向。三维集成封装通常采用晶圆级制造技术,由于半导体制造工艺及三维结构设计的复杂... 随着先进电子封装产品对低成本和高性能的需求不断提高,三维集成技术以其传输速度快、功耗低、封装尺寸小、系统集成度高等优势,逐渐成为一个主流研发方向。三维集成封装通常采用晶圆级制造技术,由于半导体制造工艺及三维结构设计的复杂性,加之晶圆尺寸增大、厚度减小等发展趋势,使得有效控制晶圆翘曲以保证产品良率和可靠性面临着更大挑战。针对12英寸晶圆的典型三维集成结构,采用有限元仿真分析方法,研究多层薄膜堆叠产生的晶圆翘曲。对临时键合、晶圆减薄、晶圆键合及解键合等不同晶圆制造工艺中的翘曲变化进行了模拟计算,并选取关键工艺及设计参数进行评估与优化。通过对比实际产品的测量结果验证了仿真模型的合理性,运用仿真方法为产品设计提供了参数选择的指导依据。 展开更多
关键词 电子封装 三维集成 晶圆级翘曲 堆叠结构 有限元仿真
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晶圆级树脂基低成本W波段封装天线微系统
13
作者 齐晓琳 崔晶宇 +4 位作者 李霄 张先乐 彭轶瑶 戴扬 杨凝 《雷达科学与技术》 北大核心 2024年第1期29-34,共6页
面向W波段探测与通信系统的小型化、低成本应用需求,本文采用晶圆级树脂基扇出型封装工艺,通过对有源封装天线集成架构、互连传输结构和天线阵列进行设计与仿真,设计了一款工作频率为94 GHz的封装天线微系统。该封装天线微系统集成了4&#... 面向W波段探测与通信系统的小型化、低成本应用需求,本文采用晶圆级树脂基扇出型封装工艺,通过对有源封装天线集成架构、互连传输结构和天线阵列进行设计与仿真,设计了一款工作频率为94 GHz的封装天线微系统。该封装天线微系统集成了4×4磁电偶极子阵列天线和16通道幅相多功能射频芯片。通过Ansys HFSS全波仿真,系统波束扫描范围在E面≥±30°,H面≥±40°,在7.1 mm×8.3 mm×1.2 mm封装尺寸内实现了封装天线等效全向辐射功率≥39.1 dBm。该封装天线微系统具备规模扩展能力,可广泛应用于探测、通信以及安检等领域。 展开更多
关键词 W波段 封装天线 低成本 树脂材料 晶圆级封装
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金锡键合在薄膜体声波滤波器晶圆级封装中的研究
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作者 金中 张基钦 +5 位作者 吕峻豪 阮文彪 刘娅 甑静怡 孙明宝 孙彦红 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第3期339-342,共4页
薄膜体声波滤波器(FBAR)作为一种无源、体积小和耐功率高的器件,被广泛应用于射频信号处理中。晶圆级气密封装作为小型化封装的代表,在各种高可靠性应用场景中占据重要地位。金-金键合和金-锡键合被广泛应用于薄膜体声波滤波器的气密性... 薄膜体声波滤波器(FBAR)作为一种无源、体积小和耐功率高的器件,被广泛应用于射频信号处理中。晶圆级气密封装作为小型化封装的代表,在各种高可靠性应用场景中占据重要地位。金-金键合和金-锡键合被广泛应用于薄膜体声波滤波器的气密性晶圆级封装中,但金-锡键合在工艺上更易实现。该文针对金-锡键合在气密性晶圆级封装中的应用进行了研究,在保证键合强度的情况下制作了3 GHz滤波器样品,其性能测试一致性良好,可靠性达到要求。 展开更多
关键词 薄膜体声波滤波器 晶圆级封装 金锡键合
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基于晶圆级技术的PBGA电路设计与验证
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作者 文永森 罗曦 +2 位作者 杜映洪 刘勇 刘绍辉 《电子技术应用》 2024年第7期55-58,共4页
晶圆级封装技术可实现多芯片互连,但在封装尺寸、叠层数和封装良率等方面的问题限制了其在电路小型化进程中的发展。以一款扇出型晶圆级封装电路为例,基于先进封装技术,采用软件设计和仿真优化方式,结合封装经验和实际应用场景,通过重... 晶圆级封装技术可实现多芯片互连,但在封装尺寸、叠层数和封装良率等方面的问题限制了其在电路小型化进程中的发展。以一款扇出型晶圆级封装电路为例,基于先进封装技术,采用软件设计和仿真优化方式,结合封装经验和实际应用场景,通过重布线和芯片倒装的方式互连,完成了有机基板封装设计与制造,实现了该电路低成本和批量化生产的目标。本产品的设计思路和制造流程可为其他硬件电路微型化开发提供参考。 展开更多
关键词 晶圆级封装 电路小型化 芯片倒装 有机基板封装
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共蒸发法制备金锡共晶焊料环及其性能研究
16
作者 李萌萌 李兆营 黄添萍 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2024年第1期59-61,共3页
采用电子束共蒸发法制备了金锡共晶(Au80Sn20)焊料环,与非制冷红外探测器芯片进行气密性封装。通过SEM、AFM、X-ray、振荡测试以及测漏氦等方式验证了封装后芯片的气密性和可靠性。结果表明:键合后焊料环无明显缺陷,仅存在轻微溢料现象... 采用电子束共蒸发法制备了金锡共晶(Au80Sn20)焊料环,与非制冷红外探测器芯片进行气密性封装。通过SEM、AFM、X-ray、振荡测试以及测漏氦等方式验证了封装后芯片的气密性和可靠性。结果表明:键合后焊料环无明显缺陷,仅存在轻微溢料现象;经过振荡测试,溢料无脱落、无位移,且芯片密封性能可达到1×10^(-3) Pa/(cm^(3)·s),符合探测器的气密性要求。 展开更多
关键词 非制冷红外探测器 晶圆级封装 电子束蒸发 金锡共晶焊料环 键合
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晶上系统:设计、集成及应用
17
作者 刘冠东 王伟豪 +8 位作者 万智泉 段元星 张坤 李洁 戚定定 王传智 李顺斌 邓庆文 张汝云 《电子与封装》 2024年第8期1-15,共15页
晶上系统(SoW)是近年来兴起的一种晶圆级超大规模集成技术。SoW是在整个晶圆上集成多个同构同质或异构异质的芯粒,并且芯粒相互连接组成具有协同工作能力的晶圆级系统,是后摩尔时代进一步提升系统性能的有效技术方案。总结了SoW技术近... 晶上系统(SoW)是近年来兴起的一种晶圆级超大规模集成技术。SoW是在整个晶圆上集成多个同构同质或异构异质的芯粒,并且芯粒相互连接组成具有协同工作能力的晶圆级系统,是后摩尔时代进一步提升系统性能的有效技术方案。总结了SoW技术近年来的主要研究进展,对系统架构、网络拓扑、仿真建模、供电和散热等关键技术进行了介绍,并对SoW技术的发展和应用前景进行了展望。 展开更多
关键词 晶上系统 先进封装 晶圆级 异构集成 硅转接板
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Self-adaptive phosphor coating technology for wafer-level scale chip packaging
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作者 周琳淞 饶海波 +5 位作者 王伟 万贤龙 廖骏源 王雪梅 周炟 雷巧林 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2013年第5期96-99,共4页
A new self-adaptive phosphor coating technology has been successfully developed, which adopted a slurry method combined with a self-exposure process. A phosphor suspension in the water-soluble photoresist was applied ... A new self-adaptive phosphor coating technology has been successfully developed, which adopted a slurry method combined with a self-exposure process. A phosphor suspension in the water-soluble photoresist was applied and exposed to LED blue light itself and developed to form a conformal phosphor coating with self- adaptability to the angular distribution of intensity of blue light and better-performing spatial color uniformity. The self-adaptive phosphor coating technology had been successfully adopted in the wafer surface to realize a wafer- level scale phosphor conformal coating. The first-stage experiments show satisfying results and give an adequate demonstration of the flexibility of self-adaptive coating technology on application of WLSCP. 展开更多
关键词 white light-emitting diodes self-adaptive conformal coating wafer level encapsulation technology multi-chip packaging
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Wafer level hermetic packaging based on Cu-Sn isothermal solidification technology
19
作者 曹毓涵 罗乐 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第8期164-168,共5页
A novel wafer level bonding method based on Cu-Sn isothermal solidification technology is established. A multi-layer sealing ring and the bonding processing are designed, and the amount of solder and the bonding param... A novel wafer level bonding method based on Cu-Sn isothermal solidification technology is established. A multi-layer sealing ring and the bonding processing are designed, and the amount of solder and the bonding parameters are optimized based on both theoretical and experimental results. Verification shows that oxidation of the solder layer, voids and the scalloped-edge appearance of the Cu6Sn5 phase are successfully avoided. An average shear strength of 19.5 MPa and an excellent leak rate of around 1.9 × 10-9 atm cc/s are possible, meeting the demands of MIL-STD-883E. 展开更多
关键词 wafer level package Cu-Sn isothermal solidification technology hermeticity
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基于晶圆级封装PDK的微带发夹型滤波器设计
20
作者 孙莹 周立彦 +3 位作者 王剑峰 许吉 明雪飞 王波 《电子与封装》 2024年第8期16-20,共5页
基于中国电子科技集团公司第五十八研究所的晶圆级封装工艺及其工艺设计套件(PDK),完成了多款通带范围在20~68 GHz的5阶微带发夹型滤波器的设计和优化。首先,根据平行耦合滤波器的基础理论,计算发夹型滤波器的特征尺寸;其次,调用PDK中... 基于中国电子科技集团公司第五十八研究所的晶圆级封装工艺及其工艺设计套件(PDK),完成了多款通带范围在20~68 GHz的5阶微带发夹型滤波器的设计和优化。首先,根据平行耦合滤波器的基础理论,计算发夹型滤波器的特征尺寸;其次,调用PDK中的衬底和元件模型实现滤波器的快速建模和参数优化;最后,采用多层再布线工艺对设计出的发夹型滤波器进行加工。实测结果和仿真结果具有较高的一致性,验证了该款晶圆级封装PDK的应用价值,能够为无源滤波器集成设计提供新的工具选择。 展开更多
关键词 晶圆级封装 PDK 发夹型滤波器
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