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Effect of Wafer Size on the Film Internal Stress Measurement by Wafer Curvature Method 被引量:1
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作者 江帆 CHEN Shang +1 位作者 冷永祥 HUANG Nan 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2016年第1期93-99,共7页
Wafer curvature method has been applied to determine the internal stress in the films using Stoney's equation.During the film deposition,the wafer fixation on the sample holder will restrict the deformation of the re... Wafer curvature method has been applied to determine the internal stress in the films using Stoney's equation.During the film deposition,the wafer fixation on the sample holder will restrict the deformation of the rectangle-shaped wafer,which may result in the stress datum difference along length and width direction.In this paper,the effect of wafer size and the wafer fixation on the TiN film internal stress measured by wafer curvature method was discussed.The rectangle-shaped wafers with different length/width ratios(L/W=1:1,2:1,3:1 and 4:1) were fixed as a cantilever beam.After the TiN films deposition,the profiles of the film/wafer were measured using a stylus profilometer and then the internal stress was calculated using the Stoney equation in the film.The results showed that the fixed end of the wafers limited to some degree the curvature of the wafers along the width direction.For film internal stress measured by wafer curvature method,the wafer profile should be scanned along the length direction and the scan distance should be greater than or equal to half of wafer length.When the length/width ratio of the wafer reached 3:1,the wafer curvature and the calculated stress were basically the same at different positions along the length direction.For film internal stress measured by wafer curvature method,it was recommended that the length/width ratio of wafer should be considered to be greater than or equal to 3:1,and the deformed profile was scanned along the length direction. 展开更多
关键词 film internal stress wafer curvature method wafer size wafer fixation
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碳化硅晶片减薄工艺对表面损伤的影响
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作者 谢贵久 张文斌 +2 位作者 王岩 宋振 张兵 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第6期967-972,共6页
随着碳化硅功率器件和芯片技术的快速发展,对碳化硅物理强度、散热性及尺寸要求越来越高,因而,对碳化硅晶片的减薄处理逐渐成为晶圆加工的重要课题。由于碳化硅材料断裂韧性较低,在减薄加工过程中易开裂,碳化硅晶片的高效率、高质量加... 随着碳化硅功率器件和芯片技术的快速发展,对碳化硅物理强度、散热性及尺寸要求越来越高,因而,对碳化硅晶片的减薄处理逐渐成为晶圆加工的重要课题。由于碳化硅材料断裂韧性较低,在减薄加工过程中易开裂,碳化硅晶片的高效率、高质量加工成为急需突破的瓶颈。本文基于碳化硅晶片的磨削减薄工艺技术,从加工过程及基础原理出发,通过研究磨削减薄工艺中四个主要参数(砂轮粒度、砂轮进给率、砂轮转速和工作台转速)对晶片表面的损伤,如崩边和磨痕的影响,提出前退火减薄工艺,以提高晶片加工质量,降低晶片表面损伤。本研究工作揭示了晶片减薄工艺技术调控表面质量的方法,并在实验加工过程中验证成功,相关研究结果对加工难度大的硬脆材料晶片减薄技术具有重要的指导意义。 展开更多
关键词 碳化硅晶圆 减薄工艺 退火处理 表面损伤 砂轮粒度 损伤深度
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划片刀磨料粒度分布对不同硅晶圆划切品质的影响
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作者 栗云慧 邵俊永 +4 位作者 王战 窦文海 黄长羽 付林泊 祝小威 《超硬材料工程》 CAS 2024年第5期26-32,共7页
为了更好地提升窄街区、小晶粒且街区带有不同修饰材料的硅晶圆的切割品质,研究了划片刀磨料的微小粒度变化和磨料粒度分布宽度对敏感硅晶圆切割品质的影响程度。采用不同粒度及径距微粉制备划片刀并划切表面含聚酰胺胶的窄切缝硅晶圆... 为了更好地提升窄街区、小晶粒且街区带有不同修饰材料的硅晶圆的切割品质,研究了划片刀磨料的微小粒度变化和磨料粒度分布宽度对敏感硅晶圆切割品质的影响程度。采用不同粒度及径距微粉制备划片刀并划切表面含聚酰胺胶的窄切缝硅晶圆和表面有二氧化硅钝化层的薄脆硅晶圆。试验表明金刚石磨料粒度相差0.22μm即会对敏感硅晶圆划切的正崩、背崩及刀片磨损速率造成明显影响;粒度分布宽度的收窄有利于改善正崩,但对背崩效果不明显;粒度分布宽度与刀片划切磨损率的是非线性相关的。 展开更多
关键词 划片刀 粒度分布 崩口 硅晶圆
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钢管厚度及分层自动超声检测工艺和校准方法研究 被引量:3
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作者 王哲 崔西明 +1 位作者 濮海明 康宜华 《中国测试》 CAS 北大核心 2017年第3期1-4,共4页
钢管厚度及分层超声检测系统中,检测工艺和校准方法对检测精度有较大影响。该文首先探讨探头晶片尺寸对分层检测的影响,选取小尺寸探头晶片进行钢管分层的识别;针对钢管超声自动化测厚工艺,采用钢管螺旋前进以及超声探头阵列扫查的方式... 钢管厚度及分层超声检测系统中,检测工艺和校准方法对检测精度有较大影响。该文首先探讨探头晶片尺寸对分层检测的影响,选取小尺寸探头晶片进行钢管分层的识别;针对钢管超声自动化测厚工艺,采用钢管螺旋前进以及超声探头阵列扫查的方式,保证全覆盖的管体厚度和分层检测;设计一种检测水箱带动探头主动气浮跟踪的装置,提高探头对中精度和检测稳定性。最后提出一种基于最小二乘法的超声测厚仪器校准方法,通过斜率修正钢管的温度、材质等因数对声速的影响,通过截距修正系统误差,壁厚测量误差在0.1 mm以内;实验进一步验证校准方法的可靠性。 展开更多
关键词 测厚工艺 分层检测 晶片尺寸 最小二乘法 校准方法
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HT250材料超声探伤中的衰减性探究 被引量:1
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作者 董世运 李浩宇 +1 位作者 徐滨士 朱学耕 《中国测试》 CAS 北大核心 2016年第3期123-127,共5页
HT250材料目前在很多行业中有广泛的应用,为探究其在超声探伤中的衰减性,利用一组参数不同的直探头测定HT250和45钢的衰减系数。检测结果表明:1)HT250衰减系数大于45钢。2)探头频率和晶片尺寸均影响着衰减系数大小。开展模拟实验分析它... HT250材料目前在很多行业中有广泛的应用,为探究其在超声探伤中的衰减性,利用一组参数不同的直探头测定HT250和45钢的衰减系数。检测结果表明:1)HT250衰减系数大于45钢。2)探头频率和晶片尺寸均影响着衰减系数大小。开展模拟实验分析它们对衰减系数的影响,模拟结果表明:提高探头频率使衰减系数增大,频率越高增幅越大;探头晶片尺寸增大使衰减系数减小,且探头晶片尺寸对衰减系数影响弱于频率。 展开更多
关键词 HT250 衰减系数 探头频率 晶片尺寸
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纳米SiO_2浆料中半导体硅片的电化学腐蚀研究 被引量:1
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作者 宋晓岚 刘宏燕 +2 位作者 杨海平 岳汉威 邱冠周 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期435-440,共6页
采用电化学直流极化和交流阻抗技术,研究了n型(111)半导体硅片在不同条件纳米SiO2浆料中的电化学腐蚀性能。结果表明,浆料的pH值、温度、磨粒固含量以及金属杂质离子等因素都不同程度地影响硅片的腐蚀行为。随pH值增加、温度提高和磨粒... 采用电化学直流极化和交流阻抗技术,研究了n型(111)半导体硅片在不同条件纳米SiO2浆料中的电化学腐蚀性能。结果表明,浆料的pH值、温度、磨粒固含量以及金属杂质离子等因素都不同程度地影响硅片的腐蚀行为。随pH值增加、温度提高和磨粒固含量降低,其腐蚀电流增大,交流阻抗减小,硅片腐蚀较易进行;微量金属杂质离子的存在也会加速硅片的腐蚀。 展开更多
关键词 n(111)硅片 纳米SiO2浆料 电化学 腐蚀
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电镀技术在凸点制备工艺中的应用 被引量:12
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作者 罗驰 练东 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期467-472,共6页
简要回顾了微电子封装的发展历程;描述了FC、BGA、CSP以及WLP的基本概念;归纳了凸点类型以及各种凸点的不同用途;着重介绍了电镀金、金锡、锡铅、锡银和化学镀镍凸点的工艺过程,最后简单介绍了制备凸点的电镀设备。
关键词 微电子封装 芯片级封装 圆片级封装 电镀 凸点制备
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微波辐射低温固相反应法制备NiFe_2O_4纳米片晶 被引量:3
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作者 焦万丽 张磊 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期1215-1218,1223,共5页
采用FeSO4.7H2O、NiSO4.6H2O和NaOH作为反应物,充分研磨制备前驱体,对前驱体进行微波辐射制备NiFe2O4纳米粉体。通过X射线衍射分析和扫描电子显微镜分析等手段,研究了微波辐射功率、辐射时间、研磨时间对NiFe2O4纳米粉体尺寸、均匀性及... 采用FeSO4.7H2O、NiSO4.6H2O和NaOH作为反应物,充分研磨制备前驱体,对前驱体进行微波辐射制备NiFe2O4纳米粉体。通过X射线衍射分析和扫描电子显微镜分析等手段,研究了微波辐射功率、辐射时间、研磨时间对NiFe2O4纳米粉体尺寸、均匀性及团聚情况的影响。结果表明:采用微波辐射低温固相反应法能够快速且均匀地制备出结构单一的NiFe2O4尖晶石纳米晶,当微波辐射功率为700 W、辐射时间为16 min、研磨时间为20 min时,所制备的NiFe2O4尖晶石纳米晶,其晶粒呈圆片状,晶粒尺寸约为30 nm,颗粒均匀性最好,且粉体不易团聚。 展开更多
关键词 微波辐射 低温固相反应 镍铁尖晶石 纳米片晶
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高精度大尺寸硅晶片的双面研磨抛光机改进设计 被引量:6
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作者 陈毓 胡晓珍 李伟 《浙江海洋学院学报(自然科学版)》 CAS 2010年第6期586-590,共5页
随着IC设计技术和制造技术的发展和进步,集成电路芯片的集成度在不断提高,芯片密度呈指数增长趋势。硅晶片作为集成电路芯片的主要材料,尺寸越来越大。在分析国内双面抛光机典型机型原理和特点的基础上,针对运用于大尺寸甚至是直径400 m... 随着IC设计技术和制造技术的发展和进步,集成电路芯片的集成度在不断提高,芯片密度呈指数增长趋势。硅晶片作为集成电路芯片的主要材料,尺寸越来越大。在分析国内双面抛光机典型机型原理和特点的基础上,针对运用于大尺寸甚至是直径400 mm的硅晶片,提出高精度双面研磨抛光机在机械结构和控制系统等方面的改进措施,很好地解决了国内目前对大尺寸硅晶片加工难、加工精度不高等难题。 展开更多
关键词 大尺寸硅晶片 高精度 双面研磨抛光机 改进设计
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半导体生产线批加工设备调度规则 被引量:3
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作者 李莉 乔非 吴启迪 《系统仿真学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期2419-2425,共7页
批加工设备调度是半导体生产线调度的重要组成部分,对半导体生产线性能有重要影响。在综述批加工设备调度研究成果的基础上,提出了同时考虑即将到来工件与下游设备负载情况的半导体生产线批加工设备调度规则(Scheduling Rule for Batch ... 批加工设备调度是半导体生产线调度的重要组成部分,对半导体生产线性能有重要影响。在综述批加工设备调度研究成果的基础上,提出了同时考虑即将到来工件与下游设备负载情况的半导体生产线批加工设备调度规则(Scheduling Rule for Batch Processing Machines in Semiconductor Wafer Fabrication Facilities,SRB)。基于三种不同规模的半导体生产线模型,在非批加工设备使用不同的调度规则的情况下,对提出的SRB进行了仿真验证。仿真结果表明,与目前常用的固定加工批量调度规则相比,SRB能够更好的改善半导体生产线性能,获得较高的工件移动步数、产量和准时交货率,以及较低的加工周期。 展开更多
关键词 半导体生产线 批加工设备 加工批量 调度规则
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硅晶片抛光用高纯度大粒径硅溶胶的研究
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作者 郑典模 潘鹤政 +2 位作者 屈海宁 陈骏驰 彭静红 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期999-1004,共6页
本文采用硅粉水解-胶粒整理法制备硅晶片抛光所用硅溶胶,考察了单质硅粉的加入量、反应时间、反应温度、硅溶胶底液浓度、催化剂种类及用量对硅溶胶胶粒平均粒径增长的影响,得到最佳工艺条件:单质硅粉的最佳加入量为25 g、反应时间7 h... 本文采用硅粉水解-胶粒整理法制备硅晶片抛光所用硅溶胶,考察了单质硅粉的加入量、反应时间、反应温度、硅溶胶底液浓度、催化剂种类及用量对硅溶胶胶粒平均粒径增长的影响,得到最佳工艺条件:单质硅粉的最佳加入量为25 g、反应时间7 h、反应温度80℃、硅溶胶底液的质量浓度为8%、选稀氨水为催化剂、用量为12 mL,在此条件下可制备得到平均粒径为20 nm的硅溶胶产品。经过多次粒子生长可以制备得到适用于硅晶片抛光产业的高纯度大粒径硅溶胶。 展开更多
关键词 硅晶片抛光 高纯度 大粒径 硅溶胶
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微连接技术在3D-WLP中可靠性的研究现状
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作者 苌文龙 于治水 +1 位作者 陈阿静 经敬楠 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第9期624-629,共6页
为了研究新型技术对微连接可靠性的影响,阐述了微连接技术在倒装焊、热压力焊、硅通孔技术中的应用情况。对微连接技术在晶圆级封装(3D-WLP)中影响其可靠性的常见问题及主要因素进行了综述。分析表明,在常见的Sn基无铅焊料与Cu基板的反... 为了研究新型技术对微连接可靠性的影响,阐述了微连接技术在倒装焊、热压力焊、硅通孔技术中的应用情况。对微连接技术在晶圆级封装(3D-WLP)中影响其可靠性的常见问题及主要因素进行了综述。分析表明,在常见的Sn基无铅焊料与Cu基板的反应过程中,金属间化合物层主要由Cu6Sn5和少量Cu3Sn组成。柯肯达尔孔洞、电迁移、金属间化合物的机械性能、锡须及尺寸效应是影响微连接可靠性的常见问题。在此基础上,归纳并探讨了焊料成分、微量合金、稀土元素、镀层及粉末精度等影响微连接可靠性主要因素的研究情况和发展趋势。 展开更多
关键词 晶圆级封装(3D-WLP) 柯肯达尔孔洞 电迁移 尺寸效应 可靠性
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200mm超薄硅片边缘抛光技术
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作者 武永超 史延爽 +3 位作者 王浩铭 龚一夫 张旭 赵权 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第3期213-217,共5页
在大尺寸硅片外延加工过程中,边缘损伤极易导致外延层位错的产生。厚度为450μm的超薄硅片因其机械强度较低,在边缘抛光过程中极易导致碎片产生。为此采用化学机械抛光(CMP)对8英寸(1英寸=2.54 cm)超薄硅片进行边缘抛光,通过优化工艺参... 在大尺寸硅片外延加工过程中,边缘损伤极易导致外延层位错的产生。厚度为450μm的超薄硅片因其机械强度较低,在边缘抛光过程中极易导致碎片产生。为此采用化学机械抛光(CMP)对8英寸(1英寸=2.54 cm)超薄硅片进行边缘抛光,通过优化工艺参数改善硅片边缘粗糙度及过抛量,并讨论了边缘抛光前后硅片倒角角度及边缘残余应力的变化。结果表明边缘抛光工序对硅片边缘去除量较小,且仅对边缘损伤层起到去除作用,因此可以有效降低硅片边缘残余应力,而对倒角角度影响较小,有助于获得边缘质量较好的硅片,为后续外延加工打下良好基础。 展开更多
关键词 边缘抛光 大尺寸超薄硅片 化学机械抛光(CMP) 边缘损伤 边缘粗糙度
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SiC微粉粒径对干法背面软损伤工艺影响
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作者 张伟才 王雄龙 +2 位作者 杨洪星 杨静 李明佳 《电子工艺技术》 2018年第4期191-194,共4页
以SiC微粉为媒介对硅晶片进行干法背面软损伤,而后对晶片进行抛光清洗及热处理。以制备的抛光片表面颗粒度、氧化雾和氧化诱生堆垛层错为评价指标,研究了不同粒径的SiC微粉对干法背面软损伤工艺的影响。实验结果表明,SiC微粉粒径对干法... 以SiC微粉为媒介对硅晶片进行干法背面软损伤,而后对晶片进行抛光清洗及热处理。以制备的抛光片表面颗粒度、氧化雾和氧化诱生堆垛层错为评价指标,研究了不同粒径的SiC微粉对干法背面软损伤工艺的影响。实验结果表明,SiC微粉粒径对干法背面软损伤影响显著,当以粒径为6.7μm的SiC微粉对硅晶片进行干法背面软损伤时,制备的抛光片正表面洁净度良好,表面颗粒度为29个/片(表面颗粒D≥0.2μm)。经氧化诱生后,晶片背表面氧化诱生堆垛层错密度为(4~5)×10~4个/cm^2。背面软损伤层可起到较好的吸杂作用,经氧化诱生后晶片正表面无热氧化雾出现。 展开更多
关键词 硅晶片 干法喷砂 背面软损伤 粒径 氧化诱生堆垛层错
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多线切割工艺对单晶锗损伤层及几何参数的影响 被引量:3
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作者 李聪 李志远 陶术鹤 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第S01期386-388,共3页
本工作集中研究磨料粒径、进给速度及切割线径对单晶锗片损伤层及几何参数的影响。结果表明:在切割过程中,磨料粒径与锗片损伤层深度及表面粗糙度呈正比关系,采用3000#磨料切割时,损伤层深度为6μm,表面粗糙度为0.285μm;进给速度的降... 本工作集中研究磨料粒径、进给速度及切割线径对单晶锗片损伤层及几何参数的影响。结果表明:在切割过程中,磨料粒径与锗片损伤层深度及表面粗糙度呈正比关系,采用3000#磨料切割时,损伤层深度为6μm,表面粗糙度为0.285μm;进给速度的降低会降低锗棒在切割过程中的温度变化,从而降低锗片的几何参数;采用3000#碳化硅微粉,100μm/min进给速度,0.09 mm切割线的切割工艺,能够获得表面质量优异、几何参数小、切割损耗小的锗片。 展开更多
关键词 磨料粒径 锗片 进给速度 切割线径
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“高效”硅片以及电池的研究 被引量:2
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作者 张东 卢川 +6 位作者 张大雨 杨艳景 刘玉海 田娜 王春燕 许颖 杜学国 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期2159-2163,共5页
报道了实现可控晶粒大小的“高效”多晶硅片技术,并将3种平均晶粒尺寸分别为1—2cm,2~3cm和大于3cm的高效多晶硅片命名为“小花”、“中花”和“大花”硅片。研究表明,晶粒越大硅片的绕曲度越小,应力越小;“中花”硅片的的位错密... 报道了实现可控晶粒大小的“高效”多晶硅片技术,并将3种平均晶粒尺寸分别为1—2cm,2~3cm和大于3cm的高效多晶硅片命名为“小花”、“中花”和“大花”硅片。研究表明,晶粒越大硅片的绕曲度越小,应力越小;“中花”硅片的的位错密度最小;数值模拟研究了硅片少子寿命与效率的关系;采用3种“高效”硅片制备的太阳电池平均效率可达17.3%~17.6%,其中“中花”制备的电池最高比其他两种平均高出0.2%。 展开更多
关键词 “高效”硅片 晶粒大小 位错密度 少子寿命 效率
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高频焊管焊缝超声波探伤探头参数的选择 被引量:5
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作者 余国民 王长安 +4 位作者 杨专钊 高建忠 姚欢 谢勇 蔡彬 《焊管》 2010年第9期50-52,共3页
高频焊管焊缝通常采用超声波斜探头横波探伤。分析了斜探头参数如K值、晶片尺寸、频率等对缺陷检出准确率的影响,给出了探头各参数的选择原则。最后指出,声程损失、仪器性能、操作人员的技能水平等均会对超声波探伤时的回波产生影响,有... 高频焊管焊缝通常采用超声波斜探头横波探伤。分析了斜探头参数如K值、晶片尺寸、频率等对缺陷检出准确率的影响,给出了探头各参数的选择原则。最后指出,声程损失、仪器性能、操作人员的技能水平等均会对超声波探伤时的回波产生影响,有时还会造成误判,因此,在实际操作中应多试用几个探头,选择其中最适合的,以提高超声波探伤的准确率。 展开更多
关键词 高频焊管 超声检测 斜探头K值 晶片尺寸 频率
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硅片抛光剂SiO_2溶胶的制备和性能研究
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作者 温劲波 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期30-32,共3页
以NaOH和有机碱为介质, 制成两种乳白色碱性SiO2 溶胶, 溶胶粒径在50 ~70nm 范围, 性能稳定。当SiO2 浓度低于50% ( 质量分数)、pH=8 .5 ~11 时, 溶胶可以长时间存放而不沉淀分层。超微SiO2 ... 以NaOH和有机碱为介质, 制成两种乳白色碱性SiO2 溶胶, 溶胶粒径在50 ~70nm 范围, 性能稳定。当SiO2 浓度低于50% ( 质量分数)、pH=8 .5 ~11 时, 溶胶可以长时间存放而不沉淀分层。超微SiO2 颗粒细制成的两种SiO2 溶胶粘度低, 能通过中速滤纸。 展开更多
关键词 溶胶 胶片抛光剂 超微细 稳定 半导体 二氧化硅
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硅单晶片化学腐蚀坑深控制的研究
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作者 刘娜 常耀辉 +1 位作者 吕菲 刘洋 《电子工业专用设备》 2019年第5期10-12,20,共4页
介绍了硅单晶化学腐蚀片及其应用,指出了应用于TVS分立器件的硅衬底化学腐蚀片的表面质量要求,即要求硅腐蚀片坑深控制在3μm以下。研究了腐蚀前硅片的表面质量与化学腐蚀工艺对硅单晶化学腐蚀片表面质量的影响,并给出了满足衬底要求的... 介绍了硅单晶化学腐蚀片及其应用,指出了应用于TVS分立器件的硅衬底化学腐蚀片的表面质量要求,即要求硅腐蚀片坑深控制在3μm以下。研究了腐蚀前硅片的表面质量与化学腐蚀工艺对硅单晶化学腐蚀片表面质量的影响,并给出了满足衬底要求的加工工艺。 展开更多
关键词 硅单晶化学腐蚀片 研磨粒径 各项异性刻蚀 腐蚀坑深
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二氧化硅磨料粒径分布对蓝宝石化学机械抛光的影响 被引量:4
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作者 孙运乾 钟荣峰 +2 位作者 李薇薇 赵之琳 钱佳 《电镀与涂饰》 CAS 北大核心 2021年第21期1631-1636,共6页
针对蓝宝石晶圆化学机械抛光(CMP)高去除速率和高抛光质量的要求,对比了分别采用单一粒径、连续粒径和混合粒径的SiO_(2)磨料对蓝宝石晶圆的抛光效果。结果表明,将粒径为120 nm的40%(质量分数)硅溶胶与粒径为30 nm的20%(质量分数)硅溶... 针对蓝宝石晶圆化学机械抛光(CMP)高去除速率和高抛光质量的要求,对比了分别采用单一粒径、连续粒径和混合粒径的SiO_(2)磨料对蓝宝石晶圆的抛光效果。结果表明,将粒径为120 nm的40%(质量分数)硅溶胶与粒径为30 nm的20%(质量分数)硅溶胶按体积比8∶2混合作为磨料对蓝宝石晶圆进行CMP时,去除速率最高,抛光后蓝宝石晶圆的表面粗糙度(Ra)低至0.158 nm,无明显的划痕、划伤等缺陷。 展开更多
关键词 蓝宝石晶圆 化学机械抛光 二氧化硅 粒径分布 去除速率 表面粗糙度
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