浅析半导体硅片行业废水处理工程

近年来国内半导体产业发展态势良好,硅片生产规模不断扩大,但随之出现的就是废水排放及处理问题。文中以300 mm硅片生产废水处理工程为例,根据工程概况,阐述含氟废水、CMP废水、含铜废水的处理工艺,并以此为基础提出改进建议。

CdZnTe探测器晶片的表面处理工艺

报道了CdZnTe探测器晶片表面钝化工艺对其性能的影响。先采用金相砂纸和化学腐蚀剂对CdZnTe晶片进行机械和化学抛光，然后分别用H2O2溶液和NH4F／H2O2溶液对晶片进行湿法钝化；再用ZC36微电流测试仪和扫描电镜测试研究了不同钝化时间对CdZnTe晶片电学性质和表面形态的影响。结果发现：用NH4F／H2O2溶液对CdZnTe探测器晶片进行钝化30min，晶片表面形成一层完整的高阻氧化层，表面漏电流最小、晶体电阻率提高1-2个数量级，达到10^9-10 Ω·cm，适合探测器的制备。

骨痛散封包结合口服中药治疗退行性膝骨关节炎临床研究

目的:研究骨痛散封包结合口服中药对退行性膝骨关节炎疗效的影响,探讨中药内外结合治疗膝骨关节炎的临床优势。方法:将符合诊断标准的150例患者随机分成中药内外结合治疗组50例,骨痛散封包治疗对照组50例,口服中药对照组50例,治疗1个月后进行3组患者疼痛症状、膝关节功能评分,判定临床疗效。结果:治疗组总有效率明显优于两对照组,且治疗组治疗后膝关节疼痛积分和关节功能积分,均明显优于两对照组,差异均有显著性(P<0.05)。结论:骨痛散封包结合口服中药治疗退行性膝骨关节炎疗效明显优于单纯封包组和口服中药组。

碲锌镉晶片退火的显微Raman光谱分析

测量了 4 块不同退火条件处理碲锌镉晶片的显微 Raman 光谱,观察到了与碲锌镉材料及材料中Te 沉积晶格振动相对应的 Raman 散射峰,发现了位于 327 cm-1/332 cm-1 的新峰。通过对碲锌镉晶片进行退火处理,有效的消除了 Te 沉积,比较碲锌镉晶片退火前后的显微 Raman 光谱,指出 327 cm-1/332cm-1 散射峰只可能由来源于类 CdTe 或类 ZnTe 的二级声子散射引起,与碲锌镉材料中的 Te 沉积无关。

HgCdTe外延用的CdZnTe衬底研制

阐述了 Cd Zn Te衬底在红外焦平面阵列探测器研究中的重要性 ;概括了 Cd Zn Te晶体生长的方法、原理和工艺步骤 ;分析了影响晶体质量 (单晶面积、组分及均匀性、结晶完整性、光电特性 )的因素 ,并提出了与质量相关的控制技术 ;介绍了 Cd Zn Te衬底制备过程中 ,晶片处理的工艺和步骤 (晶锭的定向切割、单晶划片、极性鉴别、磨抛、腐蚀 ) ;报道了目前 Cd Zn Te晶体的性能水平、晶片处理结果和 Cd Zn Te的应用情况。

CdTe量子点功能化玻片的制备及其对Pb^(2+)浓度的检测

通过羟基化和氨基硅烷化处理,得到表面接枝氨基的玻片载体。水相合成巯基乙酸修饰的Cd Te量子点(Cd Te-TGA),采用EDC/NHS活化反应,将量子点偶联到氨基化玻片表面,制备出具有荧光性能的功能化玻片。考察了量子点与EDC的量比、活化时间、偶联温度以及偶联时间对偶联效果的影响。结果表明,在量子点与EDC的量比为1∶30、活化时间1 h、偶联温度30℃、偶联时间4 h条件下获得的功能化玻片具有最佳的荧光性能。将该条件下制备的功能化玻片用于水溶液中Pb2+的浓度检测,得到玻片相对荧光猝灭强度随Pb2+浓度变化的线性曲线,线性范围为1.0×10-9~4.0×10-8mol·L-1,检出限为3.8×10-9mol·L-1,且具有良好的选择性。该方法可以灵敏而准确地检测Pb2+浓度。

柴胡、厚朴、丹参水处理前后有机氯农药残留量比较研究

目的考察水处理工艺对湖北GAP示范基地3种中药材有机氯农药的残留量的影响。方法采用GC-ECD方法进行检测。结果3批未洗柴胡、厚朴、丹参中有机氯农药残留量平均值分别为16.69ng/g、10.29ng/g、11.50ng/g;净柴胡、厚朴、丹参中有机氯农药残留量平均值分别为8.72ng/g、5.98ng/g、8.74ng/g。结论水处理工艺对3种中药饮片中有机氯农药残留量有不同程度的去除作用。

硅片塑性形变与位错

通过１２００℃、１５ｈ急冷热处理实验，研究了硅中位错对高温塑性形变的影响及热处理过程中位错密度的变化。实验结果表明，硅中原有位错密度越大或热处理急冷温度越高，均使塑性形变更加严重。位错密度为０４～２×１０３ｃｍ－２的硅片的弯曲度变化是无位错硅片的３倍多，１２００℃急冷产生的形变量是７７０℃急冷的４倍。无位错硅片在高温热处理中会产生大量位错，且急冷温度越高，产生的位错越多。热处理中区熔硅片容易在边缘产生位错星形结构。

基于高温热处理的InSb晶片性能研究

近年来,为了满足新一代百万像元、高集成度、高性能红外焦平面探测器的发展需求,人们对高晶格质量、高表面状态InSb晶片的要求越来越高。为了提高用生长态晶体加工的InSb晶片的性能,对晶片高温热处理进行了研究。通过采用特殊设计的晶片承载装置并结合相应的晶片热处理配合方法,优化了晶体生长态遗传的固有缺陷以及由晶片加工过程引入的加工缺陷;改善了InSb晶片的化学计量比,释放了晶片内部的残余应力;提高了晶格质量,优化了晶片整片的平面度,最终提高了InSb晶片的整体质量,为制备高性能大规格红外焦平面探测器奠定了材料基础。

钽酸锂黑片的制备与性能研究

为了获得高均匀性、低热释电的钽酸锂(LT)晶片,采用粉末掩埋法对42°Y-LT晶片进行了还原处理。结果表明,还原处理后的晶片电阻率为3.98×10^10Ω·cm;在365nm处透过率约为36.5%,透过率均匀性为1.15;热导率为2.66W/(m·K),热膨胀系数为2.79×10^-6K^-1,满足器件使用要求。通过声表面波器件验证实验表明,晶片抗静电能力效果明显,器件成品率较高,一致性好。

化学机械研磨废水处理及回用技术的研究进展

化学机械研磨废水产生量大但总体污染物浓度不高,回用潜力巨大,其处理及回用技术是芯片制造企业的研究重点。文章介绍了化学机械研磨废水来源、水质特征,概述并对比分析了常用的化学机械研磨废水处理和回用技术及其应用现状和发展趋势,并指出以膜滤或电化学处理为主的处理及回用技术具有良好的运用前景。

面向圆片级气密封装的表面活化直接键合技术

通过封装实验和性能检测,成功验证了表面活化直接键合技术应用于圆片级气密封装的可行性。实验中使用刻蚀出方形槽的硅圆片,通过化学表面活化方法,与基板硅圆片在室温下成功预键合,形成气密腔体;经过350℃、5 h的大气环境退火后强化了键合强度及气密性能。利用红外透射方法检测了键合后的硅圆片,其界面完整无明显空洞;键合界面横截面SEM图像显示键合界面均匀平整无显著缺陷。键合而成的气密腔体依次经过氦质谱仪和氟油检漏仪检测其气密性,平均漏率达到了1.175×10-8 Pa.m3/s。

直接键合硅片的三步亲水处理法及界面电特性

亲水处理是硅片能否直接键合成功的关键。基于亲水处理的微观机理分析和不同清洗剂亲水处理的过程及效果 ,本文提出了独特的三步亲水处理法。这一方法既能顺利完成室温预键合 ,又能减少界面上非定形大尺寸SiOx 体的生成 ,避免了界面对电输运的势垒障碍 。

锅炉余热回收水处理技术探讨

烟气-水换热器换热方式是锅炉烟气余热回收的主要方式,这其中必然要求水的软化处理。本文介绍了阻垢剂在锅炉及换热器水处理方面的阻垢原理,并以硅磷晶为例,介绍了阻垢剂在用于锅炉余热回收水处理方面的防腐阻垢过程的工作机理。

江口水电站拱坝设计

江口水电站大坝为混凝土双曲拱坝。文章介绍了工程总体布置、大坝体型选择、应力分析、坝肩抗滑稳定和基础处理。

基于湿法表面活化处理的InP/SOI晶片键合技术

为了实现集成硅基光源,研究了基于湿法表面处理的InP/SOI直接键合技术。采用稀释的HF溶液对InP晶片进行表面活化处理,同时采用Piranha溶液对SOI晶片进行表面活化处理,实现了二者的低温直接键合。分别采用刀片嵌入法和划痕测试仪对样品的键合强度进行了定性及定量分析。同时,采用超声波扫描显微镜及扫描电子显微镜对键合界面的缺陷信息及键合截面的微观特性进行了评估。分析结果表明:提出的键合工艺可以获得较好的键合效果。

CdZnTe表面处理对其引线超声焊接质量的影响

采用扫描电镜及EDS测试研究了高电阻CdZnTe金电极与外引线的超声焊接工艺,探讨了CdZnTe表面处理工艺、接触电极厚度及焊接参数对引线超声焊接质量的影响规律。研究结果表明,经机械抛光表面处理的CdZnTe晶片,其金电极与外引线间容易实现超声焊接;CdZnTe电极厚度与引线焊合率之间呈抛物线关系,获得最佳焊接质量的电极厚度为180nm左右。楔入压力和焊接功率是影响CZT金电极与引线焊接质量的重要因素,当焊接功率为2W、焊接压力为60×10-3kg、焊接时间20ms和烧球强度1.5W时,易获得良好的CdZnTe金电极与引线焊接接头。

降低半绝缘GaAs单晶片亮点缺陷的热处理工艺研究

GaAs单晶材料已成为一种重要的微电子和光电子基础材料,应用广泛。为了降低半绝缘砷化镓单晶片表面的亮点缺陷,对砷化镓晶片在不同温度和不同砷蒸汽压条件下进行了热处理,研究了热处理对砷化镓中砷的存在形式转换的影响及其机理。

基于Al_2O_3中间层的InP/SOI晶片键合技术研究

研究了基于Al_2O_3中间层的InP/SOI晶片键合技术。该方案利用原子层沉积技术在SOI晶片表面形成Al_2O_3作为InP/SOI键合中间层,同时采用氧等离子体工艺对晶片表面进行活化处理。原子力显微镜和接触角测试结果表明,氧等离子体处理使得晶片的表面特性更适于实现键合。透射电子显微镜和X射线能谱仪测试结果证实,采用Al_2O_3中间层可以实现InP晶片与SOI晶片的可靠键合。

对n型Si外延片表面处理方法的研究

Si外延片是制造半导体器件和集成电路最常用的半导体材料。外延层电阻率是外延片最重要的参数之一,它直接影响器件的性能。简要分析了自动汞探针C-V测试仪测量电阻率前进行表面处理的原因,研究了不同的表面处理方法对电阻率测试结果的影响,发现对于外延层的电阻率ρ>1Ω.cm的n型Si外延片,采用紫外光(UV)表面处理是一种合适的表面处理方法,该方法应用于实际生产测试过程。