游离态叶黄素和玉米黄素体外单线态氧淬灭率的比较研究

为比较玉米黄素和叶黄素单体的体外淬灭单线态氧能力,本实验分别萃取万寿菊与枸杞中的叶黄素与玉米黄素酯,经皂化和纯化后得到游离的叶黄素与玉米黄素组分.使用C30-HPLC-PDA分别对制备组分进行定性和定量分析.用次氯酸钠-双氧水反应产生单线态氧,使用微弱发光测量仪测定制备组分对单线态氧的淬灭率.结果显示：游离叶黄素和玉米黄素均能减少次氯酸钠-双氧水反应体系产生的单线态氧数量,导致最大光子计数值下降.二者淬灭单线态氧的能力相似,最小作用剂量均为0.005～0.05 g/L.

含有奇异项的退缩抛物型方程解的整体存在性与有限时刻猝灭性

考虑了一类含有奇异项的退缩抛物型方程的初边值问题,证明了弱解的局部存在性,而且当区域Ω的直径适当小时,此弱解是全局存在的,当区域Ω适当大时,此弱解会在有限时刻发生猝灭现象,并对猝灭时刻的上、下限进行了估计.

一类平均曲率型抛物方程解的存在性和解的熄灭

在Rn有界域上考虑一类带有非线性迁移项的平均曲率型方程div{σ(| Δu|2) Δu}+b(u)· Δu=0的第一类初边值问题.主要得到了弱解的存在性,并且给出了解的熄灭性质及解的L∞估计.

新型高色纯度弱电流猝灭性蓝色有机发光器件

以ADN为基质,分别以不同掺杂剂制备了四种蓝色有机发光器件,器件结构为:CuPc(12 nm)/NPB(40 nm)/AND∶Dopant(50 nm)/Alq(12 nm)/LiF(4 nm)/Al。掺杂剂有:BCzVB(amino-substituted distyrylarylenederivatives)、TBPe、BCzVBi和DSA-ph四种。研究了最佳掺杂浓度以及器件的亮度、电流密度、效率和色坐标等电学特性和光学特性。其中掺杂BCzVB制备了色纯度高、低电流猝灭性的蓝色有机发光器件,色坐标达到x=0.146,y=0.162,最大亮度为11600 cd/m2(15 V),电流效率为2.8 cd/A,流明效率为1.79 lm/W;以ADN为基质,分别以TBPe、BCzVBi和DSA-ph为掺杂剂,制备了另外三种对比器件。器件ADN∶TBPe色坐标为x=0.162,y=0.222(蓝绿光),效率随电流的增加而降低很快;器件ADN∶BczVBi有较好的色纯度(色坐标:x=0.164,y=0.146),但电流效率较低:2.03 cd/A,效率随电流的增加降低幅度也较快。器件ADN∶DSA-ph效率较高为8 cd/A,效率随电流增加变化幅度不大,但色纯度比较差(x=0.153,y=0.306),适合于做白色有机发光器件。

加入激子阻挡层增强白色有机发光器件效率

通过在发光层(EBL)与电子注入层之间增加激子阻挡层(EBL)制备了新型白色有机发光器件(WOLED)。有EBL的新型器件效率和亮度均比传统结构器件高50%,在电流密度为4 mA/cm2时效率达到3.42 cd/A,最大亮度为11 000 cd/m2(16 V),色坐标为x=0.34、y=0.36;而具有相同EBL厚度的传统结构器件,在电流密度为4 mA/cm2时效率为2.15 cd/A,最大亮度为6 259 cd/m2(16 V)。效率的提高是由于EBL的限制作用而提高了激子浓度。测量了器件的效率与电流密度关系,随电流密度增加电流效率的衰减缓慢,说明短寿命红色搀杂剂的激子-激子湮灭很弱。

基于雪崩光电二极管的弱光探测技术研究

通过采用无源抑制方法对雪崩光电二极管的弱光探测技术进行了研究,分析了工作在盖革模式下的InGaAs APD的特性。利用APD两端的偏置电压VB在其雪崩后趋于稳定的特性,确定了其雪崩暗击穿电压,并且在水冷温控系统中,测得了APD雪崩暗击穿电压与温度的关系。结果表明,APD的雪崩暗击穿电压随着温度的上升而增大,光子群(弱光)到达时,APD探测到的在某一幅值处的脉冲数明显增加,其脉冲幅度也将增大。

高温超导体的电性和磁性研究

组成了一个电阻温度、交流磁化率温度关系的测量系统，用于研究超导体的电性和磁性．应用该系统，对高温超导体Ｂｉ１．６Ｐｂ０．４Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ进行了研究．电阻测量发现，正常态下快冷样品呈半导体特征，随炉冷却样品呈金属性；交流磁化率测量显示出，在液氮温度以上，有两个抗磁区域。