芯片制造高温SPM清洗技术流场分析

随着集成电路技术的不断发展,对芯片清洗工艺的要求也越来越高。高温SPM清洗技术作为一种先进的湿法清洗工艺,在芯片制造中发挥着重要作用。首先介绍了芯片制造中的湿法工艺,重点阐述了高温SPM清洗技术的原理和应用,分析了影响工艺性能的因素,并对高温SPM清洗的流场进行了建模与仿真分析,为高温SPM清洗设备的优化设计提供了理论依据。

微电子工业中清洗工艺的研究进展

简要介绍了硅片表面污染物杂质的类型,综述了传统湿法清洗及干法清洗对硅片表面质量的影响,以及近年来清洗技术和理论的研究发展及现状;同时,阐述了污染物检测方法的研究进展;最后,对今后微电子清洗工艺的发展方向进行了展望。

通过添加表面活性剂和螯合剂改进硅片化学清洗工艺的研究

通过在传统RCA清洗法所用的SC-1液中,添加表面活性剂四甲基氢氧化铵(TMAH)和/或螯合剂乙二胺四乙酸(EDTA),实验比较了不同清洗方法对颗粒粘污、金属粘污的去除效率;并测试了其对硅片表面粗糙度的影响。用MOS电容结构的击穿电场强度Weibull分布,评价了不同清洗方法所得氧化层的质量。结果表明,上述改进能够显著提高对颗粒粘污和金属粘污的去除效果,同时能省去RCA的SC-2清洗步骤,具有节省工时、化学试剂消耗量小的优势。

水蒸气—氮气清洗方法在小型粘钠设备清洗中的应用

本文主要研究了水蒸气—氮气清洗方法在小型粘钠设备清洗中的应用,实验采用的小型粘钠设备包括电磁泵、钠流量计以及粘钠阀门。实验结果表明水蒸气—氮气清洗方法能够很好的应用于小型粘钠设备,对于结构复杂的钠阀也能保证彻底清洗。小型粘钠设备清洗时通过氢气浓度控制反应速率并判断清洗过程的进行,最终还可以通过清洗液的电导值估算清洗除钠量。此外本文还分析了清洗过程中清洗罐压力波动的原因,被清洗设备放置方式对清洗结果的影响,得到了一些清洗经验,指导未来清洗技术的研究和开展。

微通道板清洗设备研制

基于微通道板的清洗工艺,设计了清洗设备的结构,并对设备的核心部件详细说明。利用液体射流喷射实现喷淋清洗,采用液体液下喷射循环实现液体的紊流,减少了搅动和传动系统为系统带来的复杂性。利用超声和兆声双频率清洗实现了对MCP不同粒径腐蚀产物和污染物的清洗,工作槽斜底式设计和频率扫描改进槽内声场的均匀性,功率精度达到±10%。储液槽预热结合在线加热,使液体温度精度达±0.5℃,改善了MCP清洗主要工艺参数的稳定性和一致性,体现了湿法清洗的独创性和实用性,实现了清洗工艺过程的半自动化。

基于酶制剂的猪皮前处理技术(Ⅰ)——猪皮前处理工艺板块的设计与优化

采用制革工艺板块模式 ,将猪皮前处理划分为酶脱脂工艺板块、酶 -碱结合脱毛工艺板块以及酶软化等 3个工艺板块 ,并对其逐一进行了研究优化 ,最后将已优化的工艺板块组装、运行 ,构建出基于酶制剂的猪皮前处理定型工艺。经大生产验证结果表明 :成革手感好 ,质量、得革率也得到大幅度提高。制革综合废水中有害物质的量大大降低 ,减轻了猪皮制革的污染。

采用干法分选技术对宁东矿区动力煤选煤厂分选工艺进行优化改造的探讨

分析了宁东矿区煤质特点及采用湿法分选的弊端,阐述了干法分选技术特点及其对易泥化煤分选的适用性。以宁东矿区一座有代表性的选煤厂分选工艺为例,通过模拟计算以及半工业性试验,分析探讨了采用干法分选技术对该厂分选工艺进行优化改造的可行性,提出了一种干湿结合分选工艺,为宁东矿区及其他地区低阶煤、易泥化煤选煤厂的工艺改造和升级提供了方法和途径。

LED用蓝宝石衬底抛光后湿法清洗研究

LED被认为是下一代主要照明工具,其以高质量的衬底基片外延GaN层,目前主要用化学机械抛光后的蓝宝石晶片作为衬底,但抛光后的衬底表面布满杂质,这些杂质会导致外延层缺陷,降低发光率甚至使器件失效。探讨了在蓝宝石衬底清洗过程中,HF、表面活性剂、氧化剂的作用。得出HF溶液对衬底表面的SiO2颗粒有很好的清除效果,不会造成蓝宝石衬底表面质量恶化,表面活性剂可以形成覆盖层降低衬底表面能,同时防止被去除杂质的再次附着,强氧化剂可以腐蚀衬底表面去除附着力较强的颗粒。在试验中通过不同清洗顺序发现表面活性剂形成的覆盖层也会对杂质产生保护作用。在使用表面活性剂后再使用HF溶液清洗,衬底表面颗粒数从18降为10,但表面存在腐蚀坑样的污染,在以表面活性剂、浓硫酸、HF溶液的清洗顺序清洗后发现表面颗粒数从20降至8,没有腐蚀坑样的污染存在,因此采用表面活性剂、浓硫酸、HF溶液的清洗顺序可以得到好的效果。

硅片背面铜污染的清洗

H2SO4/H2O2/H2O、HNO3/HF和HF/H2O2/H2O为半导体芯片生产过程中三种去除硅片背面铜污染的化学清洗液。在单片湿法清洗机上采用这三种化学液对直径300 mm具有类似于实际生产中铜污染的硅片进行了清洗,结果发现H2SO4/H2O2/H2O在清洗过程中不对硅片表面的Si3N4膜产生损伤,但铜污染的去除效率较低;HNO3/HF和HF/H2O2/H2O对Si3N4膜产生微量刻蚀,从而去除扩散至硅片内部铜污染,从而显示出较佳的去除效果。通过比较HF/H2O2/H2O中HF体积分数与Si3N4膜刻蚀深度和清洗后铜原子浓度,HF的体积分数为1.5%时,可以使硅片表面铜原子浓度降至1010cm-2以下,并且Si3N4膜厚的损失小于1 nm。

湿短蒸染色清洁生产的工艺条件(一)

比较了纯棉机织物连续染色常用的轧卷法、轧烘热固法和轧烘 /轧蒸法的处方和工艺 ,阐述了易固 发色、经济汽蒸及湿蒸工艺条件、工艺原理及设备 ,指出这些湿短蒸染色皆符合清洁生产要求 ,具有节能、降耗。

烟气脱硫技术的开发动向

着重介绍发达国家在湿式烟气脱硫系统中采用的几项新技术和新开发的几种干式烟气脱硫技术。

微电子工业对超净高纯化学品的质量要求

我国为微电子工业配套使用的高规格超净高纯化学品一直依赖进口,此类化学品研发中的核心技术为德国、日本、美国等国家所垄断,其关键技术的国内外文献报道甚少。为便于国内相关研发单位开展研究工作,围绕微电子工业对超净高纯化学品的质量要求,搜集、整理并分析了近二十年来的相关文献,研究了不同规模集成电路对这类化学品纯度、洁净度的质量规格要求,建议:制定有全球竞争力的超净高纯化学品国家标准;建立相关产品生产管理制度和实施细则;建立能与国际资深实验室进行测试技能交流的有世界公信力的分析检测平台。

集成电路湿法工艺与湿法设备制造技术研究

简述了集成电路制造中的湿法工艺,重点介绍了栅氧清洗、RCA清洗、去胶、氮化硅去除、氧化硅腐蚀等湿法工艺,并对槽式湿法设备的关键制造技术进行了讲解。

我国钴湿法冶炼企业清洁生产探讨

从清洁的原料和能源、先进的生产工艺和设备、减少污染物产生的清洁生产措施、清洁的产品等方面对国内钴湿法冶炼企业的清洁生产状况进行了分析,并在此基础上探讨了我国钴湿法冶炼企业的清洁生产方向。

脱硫系统烟气换热器清洗剂及其应用

大型火力发电机组脱硫系统的烟气换热器(gas-gas heater,GGH)容易积垢堵塞,严重影响锅炉的安全运行,必须对其进行清洗除垢。通过对GGH积垢成分的分析,采用鳌合剂、膨化剂、有机酸复配,制备出溶垢快速、对GGH元件及其配件无腐蚀的中性清洗剂CHT-2012,并介绍了清洗火电厂脱硫系统GGH中性清洗剂CHT-2012的清洗原理、清垢方法,清洗后GGH运行差压分别为原烟气459 Pa,净烟气364 Pa,同比下降65%和70%,应用效果良好。

LED用蓝宝石晶片湿法腐蚀清洗技术的研究

介绍了蓝宝石晶片的清洗原理;通过分析蓝宝石的表面净化原理和对湿法腐蚀清洗工艺试验的研究,提出了一种适用于工业化生产蓝宝石晶片的清洗剂和净化工艺,满足了LED领域的蓝宝石晶片表面洁净度要求。

单晶圆清洗技术

由于器件工艺技术的飞速发展和图形关键尺寸的不断缩小,以及新材料的引入,使得前道工艺(FEOL)和后道工艺(BEOL)中表面处理显得更为重要,从而对晶圆的传统表面清洗技术提出了新的挑战。介绍了单晶圆清洗技术的发展现状和几家设备公司的市场应用动向。

流程优化对提高不耐湿器械清洗质量的研究

目的优化不耐湿器械手工擦洗流程,提高清洗质量。方法将200件手工擦洗器械随机分为A、B两组,A组由一个人完成,流程:自来水擦洗→含酶清洗液擦洗→纯水擦洗→酸化水擦洗→纯水擦洗;B组由2人完成,流程:第一人自来水擦洗→含酶清洗液擦洗,第二人纯水擦洗→酸化水擦洗→纯水擦洗,两种方法擦拭后,用三磷酸腺苷(ATP)生物荧光检测清洗质量。结果 A组RLU均值44,B组均值21,两组均低于生产厂家提供的发光单位(RLU)≤45的推荐值,两种手工擦洗方法 RLU差异有统计学意义(P<0.05)。B组擦洗流程器械的清洗质量明显优于A组擦洗流程器械清洗质量。结论对于不耐湿手工擦拭器械2人擦拭可实现洁污分开,有利于提高清洗质量,值得推荐。

平朔煤炭公司优化产品结构、严格质量管理的措施及效果

介绍了中煤集团平朔矿区的煤层、煤质情况以及各选煤厂的洗选配煤设施及处理能力;论述了如何依据选煤工艺,预测各煤层产品回收率及硫分资源,并确定产品结构及装车配煤方案;综述了集团公司为保证完成产品结构及商品煤量所采取的考核办法。

面向半导体湿法制程的超洁净流控技术综述

湿法工艺作为半导体工艺的重要组成部分,通过化学品(酸、碱、溶剂等)与超纯水等液体介质,对晶圆表面进行刻蚀、清洗等处理,其制程需避免颗粒、金属、离子、细菌等污染物带来的工艺缺陷。为此,湿法工艺相关的化学品系统、超纯水系统与制程装备均需采用超洁净流控部件,但相关产品被国外垄断,我国对该技术领域的研究仍处起步阶段。该研究首先阐述了半导体湿法制程对超洁净流控部件的需求,剖析了该类部件的主要技术特征。进而,重点介绍了磁悬浮泵、波纹管泵、隔膜阀以及超声波流量传感器等超洁净流控部件的工作原理与发展历程,并分析了其关键技术与研究现状。最后,对超洁净流控技术的发展做出了展望。