金属氧化物TFT工艺中铜/钛蚀刻液浓度控制体系研究

深入分析了铜钛刻蚀液的刻蚀机理,并对刻蚀液浓度的变化进行实验分析。在此基础上,通过实验完成了铜钛刻蚀液浓度变化模型曲线的研发,并提出了进行浓度控制的方法,实现了铜钛刻蚀液的稳定应用并极大地提高刻蚀液的使用寿命。研究为相关领域的生产和研发提供了一定的参考。

超声波辅助湿法腐蚀制备多晶Si低反射表面

为降低光在多晶Si表面的反射,一种以湿法腐蚀为基础,添加超声波震荡的新方法,首次被用来腐蚀多晶Si太阳能电池片。利用扫描电子显微镜观察发现,此法所制备的多晶Si片表面形成了较多窄而深的沟壑状结构。其反射谱测试结果表明,此方法所获得的凹凸表面的减反射效果良好,加权反射率达到3.5%;同时减反射效果对入射光波长选择性不明显。最后,在实验的基础上对腐蚀机理进行了深入的探讨,认为超声波的空泡特性有利于腐蚀的纵向深入,抑制了腐蚀的横向发展,是形成此沟壑状形貌的主要原因。

InSb红外焦平面阵列探测器湿法刻蚀

随着大规模InSb红外焦平面(FPA)器件的发展,探测器制备的传统湿法刻蚀工艺已越来越难以满足新工艺要求。介绍了一种用于制备InSb红外焦平面探测器的新湿法刻蚀工艺:使用适当比例的柠檬酸/H2O2系刻蚀剂代替现有乳酸/硝酸系刻蚀剂,同时采用N2气泡搅拌刻蚀装置来辅助刻蚀。通过实验对比分析表明,新刻蚀工艺可以很好地解决原湿法刻蚀横向刻蚀和下切效应,提高了刻蚀均匀性和平整度,减小了表面粗糙度,并明显降低了InSb器件的漏电流,提高了电性能。

量产条件下ITO刻蚀液浓度变化及其影响

ITO刻蚀产线由刻蚀设备、中央药液供给系统(Chemical central Supply System,CCSS)、刻蚀液管理系统(Etchant Management System,EMS)3大组件构成。明确组件之间的相互作用,确认相互作用对刻蚀液浓度的影响,进而管控刻蚀,对ITO刻蚀制程至关重要。本文结合重庆京东方ITO刻蚀产线,探究不同生产模式下刻蚀液各组分浓度的变化,结合回归分析、因果链和统计方法分析了各成分浓度变化的原因,并确认刻蚀液浓度变化对刻蚀程度的影响。实验结果表明仅CCSS开启,刻蚀液中酸液浓度增加,致其刻蚀能力逐渐增强。在CCSS开启的基础上,EMS开启补充水和硝酸功能,可以保持刻蚀液浓度稳定,进而延长刻蚀液的使用时间。但是,在CCSS和EMS补给均开启的模式下,刻蚀液浓度在初期波动,然后逐步趋于稳定,且在浓度波动期间会有一个硝酸浓度偏高的区域,此区域的刻蚀能力强。该研究为ITO刻蚀液使用时间延长、产品良率提升提供了参考。

基于LabVIEW的微纳加工系统设计与研究

根据约束刻蚀加工工艺原理要求,开发了基于LabVIEW软件的微纳米加工系统。系统主要由宏动定位平台、微动定位平台、微力传感器、电化学工作站以及控制系统组成。系统通过数据采集卡和运动控制卡来实现仪器的定位与运动控制,对接触检测和主动恒力控制等关键技术进行了重点研究,使用LabVIEW编写了运动控制软件,最后在此系统上开展了光学微透镜阵列的电化学湿印章刻蚀加工试验。实验结果表明该工艺成功地把模板上的微透镜阵列图案复制到了硅基底上,具有较高的复制精度。