YVO_4晶体缺陷分析

运用同步辐射白光X射线形貌术分析了YVO4 的结构和缺陷行为 ,也观测了YVO4 晶体 (0 0 1)、(10 0 )面的缺陷。发现在 (0 0 1)面出现应力生长区、沿 [10 0 ]方向的位错线以及晶体中镶嵌结构。运用白光形貌术拍摄到的劳埃斑 ,证明晶体为四方晶系。确定了小角晶界是引起多晶的主要原因。

同步辐射白光形貌术定量计算晶体的残余应力

提出了一种利用同步辐射白光形貌术定量计算晶体残余应力的方法。晶体的残余应力与晶格畸变之间存在定量关系,衍射斑点的畸变程度可以反映晶格的畸变量,据此可以计算晶体中的残余应力。文中以碳化硅单晶样品残余应力的定量计算作为实例,展示了实验方法和计算过程。结果表明该样品的残余应力以正应力为主。

Ce：YAP晶体中的孪晶缺陷

采用同步幅射白光形貌及光学显微形貌等手段研究了Ce:YAP晶体中存在的孪晶缺陷.对孪晶的性质进行了表征,结果表明,它们为{101}和{121}孪晶.经分析,我们认为相邻且相近的晶格参数互换是孪晶形成的内在因素,并据此建立了孪晶结构模型;另外,晶体生长过程中放肩阶段生长速率的突变则是导致孪晶形成的主要的外部因素.

Cr∶KTiOPO_4晶体缺陷的研究

首次报道了利用光学显微法和同步辐射白光X射线形貌术对Cr∶KTP晶体缺陷的研究结果。光学显微法采用热磷酸作为腐蚀剂 ,用Opton大型显微镜反射法观察 ,观测到 (10 0 )面和 (0 2 1)面的位错蚀坑以及 (0 2 1)面的小角度晶界。用同步辐射白光X射线形貌术作出 (0 0 1)面、(0 10 )面和(10 0 )面形貌图 ,从图中可明显观察到生长层、扇形界及位错线。由此得出 ,Cr∶KTP晶体的主要缺陷是位错、生长扇形界、生长层等。

Nd:LuVO_4晶体缺陷的研究

采用提拉法生长的Nd:LuVO4 晶体是一种适合二极管泵浦的新型激光晶体,运用化学腐蚀结合光学显微术和同步辐射白光X射线形貌术对Nd:LuVO4 晶体缺陷进行观察,结果表明:晶体的主要缺陷为位错和小角晶界。利用高分辨X射线衍射仪进一步验证了这一结果。并初步讨论了缺陷形成的原因。

激光晶体Nd:YVO_4的形貌及生长缺陷

本文报道了应用环境扫描电镜（ESEM）和同步辐射X射线白光形貌术对采用提拉法生长出的Nd:YVO4晶体进行的形貌及生长缺陷的分析,获得了该晶体的开裂表面的ESEM形貌像以及取自晶体肩部和中间部位的（001）面的同步辐射白光形貌像,观察到了位错、包裹物等缺陷,可为生长高质量的Nd:YVO4晶体提供重要的启示.

高温相偏硼酸钡(α-BaB_2O_4)晶体的缺陷行为分析

运用同步辐射X射线白光形貌研究了α BaB2 O4 晶体内部的完整性 ,并分析了α BaB2 O4 晶体的缺陷行为及缺陷形成原因。在 (0 0 1)面发现生长扇界和亚晶界 ,而在 (10 0 )面和 (12 0 )面分别观察到了位错、位错簇以及针状包裹体。使用双晶衍射实验发现在 (0 0 1)面有生长条纹 ,这些生长条纹呈环形 ,该条纹与熔体中温度波动而导致的生长速率波动有关。运用白光形貌拍摄到高清晰的劳埃斑 。

LiNdP_4O_(12)晶体的生长缺陷

LiNdP4 O12 (LNP)晶体是一种新型的激光材料。本文报道了用同步辐射X射线白光形貌术和光学显微法研究由助熔剂籽晶旋转法生长的LNP晶体的生长缺陷 ,观察到了圆形生长台阶及精细的系列台阶结构 ,对晶体中的包裹物和位错缺陷等进行了详细的观察描述 ,还发现了一种比较奇特的腐蚀沟槽 ,分析了这种腐蚀沟槽的形成机理及各种缺陷的成因和克服办法。

同步辐射白光形貌术表征RbTiOAsO_4晶体中的生长缺陷

KTiOPO4(KTP)是著名的非线性光学晶体 ,它有许多优良的物理性质 ,如 :高非线性光学系数 ,宽光学透明范围 ,高激光损伤阈值。因此KTP晶体十分适合于制作小型蓝绿激光器和光参量振荡器。最近一些研究者试图把KTP晶体的应用范围扩大到中红外波段的光参量振荡器 ,但KTP晶体在 4.3μm和 3.5 μm处的光吸收严重降低振荡器的输出功率。对比之下 ,RbTiOAsO4(RTA)晶体在 3～ 5 μm波段无任何光吸收。从这个意义上来说 ,RTA晶体是制作红外光参量振荡器的理想材料。在这里我们主要报道利用同步辐射白光形貌术结合化学腐蚀法检测RTA晶体中缺陷的一些结果。为了解籽晶对晶体生长质量的影响 ,采用同步辐射白光形貌观察一片包含籽晶在内的( 0 0 1 )晶片。结果表明 :生长扇界是该晶片中的主要缺陷 ,它在形貌像中显示很强的X射线运动学衬度 ,而生长条纹的衬度很弱。此外 ,一些位错在籽晶的成帽区和生长扇界上成核。大部分位错沿 [1 0 0 ]方向 ,根据位错在不同衍射形貌像中的衬度 ,其Burgers矢量被确定为 [0 0 1 ],因此位错具有典型的刃型特征。从能量角度考虑 :Burgers矢量沿 [0 0 1 ]方向 ,位错线具有较低的能量 ,因为该方向的矢量长度要低于 [1 0 0 ]和 [0 1 0 ]方向。( 1 0 0 )晶片远离籽晶 ,该晶片几乎是无位错的 。

快速生长KH_2PO_4晶体的缺陷和{100}生长表面形貌研究(英文)

利用原子力显微镜和光学显微镜观测了快速生长KH2PO4晶体的表面形貌。发现在较高生长温度下的{100}生长表面容易出现二维成核生长机制,在本文的实验条件下,{100}生长表面上的宏观台阶平均高度为2.34nm,而宏观台阶平台宽度的尺寸各不相同。在{100}生长表面上观察到了由杂质阻碍作用引起的台阶聚并和台阶弯曲,并讨论了杂质和生长台阶之间的相互作用机理。利用同步辐射白光形貌术分析了快速生长KDP晶体内部的位错缺陷。

同步辐射背反射白光形貌术观察6H-SiC单晶中的小角晶界和微管

利用同步辐射X射线形貌术对升华法生长的6H-SiC(0001)晶片中的小角晶界与微管缺陷进行了研究。小角晶界在同步辐射中的形貌成直线沿〈11-00〉方向分布。根据螺位错附近的应变场和衍射几何,模拟了基本Burgers矢量大小的螺位错在同步辐射形貌像中的衍衬像,模拟结果与实验结果符合较好。据此指认了基本螺位错,并确定了微管Burgers矢量的大小。

低应变SiGe/Si异质结构的应变弛豫与界面扩散

利用透射电子显微镜(TEM)和同步辐射X射线白光形貌术研究了低应变SiGe/Si异质结构应变弛豫和界面扩散。观察到SiGe外延层未发生应变弛豫,Si缓冲区和Si衬底中有颗粒状析出物。

LBO晶体缺陷的研究

本文报道利用光学显微法和同步辐射白光 X射线形貌术对非线性光学晶体 LBO缺陷的研究结果。利用光学显微法观测 ,得到多个面不同形态的位错蚀坑和小角度晶界 ;利用同步辐射白光 X射线形貌术拍摄出晶体薄片的形貌照片 ,观测到密集的位错以及包裹物的衍射花样。

基于同步辐射白光形貌术和X射线迹线法的6H-SiC单晶结构缺陷研究

[目的]SiC材料结构缺陷的检测和控制是实现材料应用的关键环节,因此本文对6H-SiC单晶中的结构缺陷进行研究。[方法]采用同步辐射白光形貌术观察6H-SiC单晶中的基本螺位错和基平面弯曲,并利用X射线迹线法模拟基本螺位错的形貌和基平面弯曲后衍射斑点的形状。[结果]6H-SiC单晶中的典型结构缺陷之一为基本螺位错,它的形貌特征为白色的圆斑;由于热弹应力的存在,6H-SiC单晶在生长过程中容易发生基平面弯曲,结果导致衍射斑点的形状发生改变。[结论]同步辐射白光形貌术和X射线迹线法可以用于检测6H-SiC单晶结构缺陷;样品的基本螺位错密度为1.56×10~4/cm^2,基平面弯曲半径近似为1m。

应用同步辐射白光形貌术研究Nd:SGG晶体的缺陷

应用同步辐射X射线形貌术对坩埚下降法生长的Nd:SGG晶体的缺陷进行了研究。观察到该晶体中存在较为明显的镶嵌结构晶界缺陷和位错缺陷,并分析了上述缺陷的形成原因。对提高Nd:SGG晶体质量、改进生长工艺具有一定的参考价值。

DKDP晶体的柱面形貌与缺陷分析

采用原子力显微镜观测全方位生长的DKDP晶体的{100}面形貌,发现有螺旋位错,由此推断DKDP晶体{100}面以螺旋位错机制生长;利用同步辐射X射线白光形貌术观测了DKDP晶体缺陷,探讨了不同生长条件及生长阶段对晶体完整性的影响。