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4H-SiC肖特基二极管的电荷收集特性
被引量:
6
1
作者
吴健
雷家荣
+3 位作者
蒋勇
陈雨
荣茹
范晓强
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第7期1793-1797,共5页
针对极端环境下耐辐照半导体核探测器的研制需求,采用耐高温、耐辐照的4H碳化硅(4H-SiC)宽禁带材料制成肖特基二极管,研究了该探测器对241 Am源α粒子的电荷收集效率。从电容-电压曲线得出该二极管外延层净掺杂数密度为1.99×1015/...
针对极端环境下耐辐照半导体核探测器的研制需求,采用耐高温、耐辐照的4H碳化硅(4H-SiC)宽禁带材料制成肖特基二极管,研究了该探测器对241 Am源α粒子的电荷收集效率。从电容-电压曲线得出该二极管外延层净掺杂数密度为1.99×1015/cm3。从正向电流-电压曲线获得该二极管肖特基势垒高度为1.66eV,理想因子为1.07,表明该探测器具备良好的热电子发射特性。在反向偏压高达700V时,该二极管未击穿,其漏电流仅为21nA,具有较高的击穿电压。在反向偏压为0~350V范围内研究了该探测器对3.5MeVα粒子电荷收集效率,在0V时为48.7%,在150V时为99.4%,表明该探测器具有良好的电荷收集特性。
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关键词
电荷收集效率
半导体探测器
宽禁带半导体
4
H碳化硅
下载PDF
职称材料
基于4H-SiC肖特基二极管的中子探测器
被引量:
6
2
作者
蒋勇
吴健
+8 位作者
韦建军
范晓强
陈雨
荣茹
邹德慧
李勐
柏松
陈刚
李理
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第4期664-668,共5页
针对当前极端环境下耐辐照半导体中子探测器的需求,采用耐高温、耐辐照的碳化硅宽禁带半导体材料,利用6 Li(n,α)3 H核反应原理,研制了基于4H-SiC肖特基二极管的中子探测器。利用磁控溅射完成中子转化层的制作,并用SEM表征6 LiF膜厚。...
针对当前极端环境下耐辐照半导体中子探测器的需求,采用耐高温、耐辐照的碳化硅宽禁带半导体材料,利用6 Li(n,α)3 H核反应原理,研制了基于4H-SiC肖特基二极管的中子探测器。利用磁控溅射完成中子转化层的制作,并用SEM表征6 LiF膜厚。在10~600V反向偏压下,漏电流维持在6.4nA以下,表明探测器具备良好的半导体-金属肖特基整流接触。利用241 Am源研究探测器对5.486 MeV的α粒子的响应,测得分辨率为4.5%。同时,利用该探测器测量了由临界装置产生并经石蜡块慢化后的热中子,观测到热中子与6 Li作用产生的α和T粒子信号的实验结果。
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关键词
中子探测器
宽禁带半导体
4
h-sic
下载PDF
职称材料
题名
4H-SiC肖特基二极管的电荷收集特性
被引量:
6
1
作者
吴健
雷家荣
蒋勇
陈雨
荣茹
范晓强
机构
中国工程物理研究院核物理与化学研究所
中国工程物理研究院中子物理重点实验室
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第7期1793-1797,共5页
基金
国家自然科学基金项目(11205140)
中国工程物理研究院科学技术发展基金项目(2012B0103005)
文摘
针对极端环境下耐辐照半导体核探测器的研制需求,采用耐高温、耐辐照的4H碳化硅(4H-SiC)宽禁带材料制成肖特基二极管,研究了该探测器对241 Am源α粒子的电荷收集效率。从电容-电压曲线得出该二极管外延层净掺杂数密度为1.99×1015/cm3。从正向电流-电压曲线获得该二极管肖特基势垒高度为1.66eV,理想因子为1.07,表明该探测器具备良好的热电子发射特性。在反向偏压高达700V时,该二极管未击穿,其漏电流仅为21nA,具有较高的击穿电压。在反向偏压为0~350V范围内研究了该探测器对3.5MeVα粒子电荷收集效率,在0V时为48.7%,在150V时为99.4%,表明该探测器具有良好的电荷收集特性。
关键词
电荷收集效率
半导体探测器
宽禁带半导体
4
H碳化硅
Keywords
charge collection efficiency
diode detector
wide band gap semiconductor~ 4h-sic
分类号
TN311.7 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
基于4H-SiC肖特基二极管的中子探测器
被引量:
6
2
作者
蒋勇
吴健
韦建军
范晓强
陈雨
荣茹
邹德慧
李勐
柏松
陈刚
李理
机构
四川大学原子与分子物理研究所
中国工程物理研究院核物理与化学研究所
南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第4期664-668,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(11205140)
中国工程物理研究院科学技术发展基金资助项目(2012B0103005)
文摘
针对当前极端环境下耐辐照半导体中子探测器的需求,采用耐高温、耐辐照的碳化硅宽禁带半导体材料,利用6 Li(n,α)3 H核反应原理,研制了基于4H-SiC肖特基二极管的中子探测器。利用磁控溅射完成中子转化层的制作,并用SEM表征6 LiF膜厚。在10~600V反向偏压下,漏电流维持在6.4nA以下,表明探测器具备良好的半导体-金属肖特基整流接触。利用241 Am源研究探测器对5.486 MeV的α粒子的响应,测得分辨率为4.5%。同时,利用该探测器测量了由临界装置产生并经石蜡块慢化后的热中子,观测到热中子与6 Li作用产生的α和T粒子信号的实验结果。
关键词
中子探测器
宽禁带半导体
4
h-sic
Keywords
neutron detector
wide
band
gap
semiconductor
4
h-sic
分类号
TL816 [核科学技术—核技术及应用]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
4H-SiC肖特基二极管的电荷收集特性
吴健
雷家荣
蒋勇
陈雨
荣茹
范晓强
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
6
下载PDF
职称材料
2
基于4H-SiC肖特基二极管的中子探测器
蒋勇
吴健
韦建军
范晓强
陈雨
荣茹
邹德慧
李勐
柏松
陈刚
李理
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
6
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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