B^+注入隔离在宽禁带半导体中的应用

利用B^+离子注入实现宽禁带半导体的有源层隔离。通过Monte Carlo软件TRIM模拟,优化离子注入能量和剂量。在SiC MESFET中测量两组不同条件的样品及在GaN HEMT测量了三组同种条件的样品都得到了纳安级电流,表现了很好的隔离效果;通过测试表明离子注入隔离的器件相比台面隔离器件的击穿电压有一定程度提高。

第三代宽禁带半导体(SiC)器件在空间太阳能电站中的应用及进展

第三代宽禁带半导体(SiC、GaN)器件以其固有的大功率、耐高温及恶劣环境、抗辐照等特点,在替代传统的Si基器件方面具有无与伦比的技术优势。文章概述了第三代半导体(SiC)器件的发展现状,介绍了国内外第三代宽禁带半导体(SiC)器件研究进展及应用情况,并展望了第三代宽禁带半导体器件在空间太阳能电站中的应用前景。