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“武打小说”三派得失平议 被引量:1
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作者 董国炎 张莉 《西南大学学报(社会科学版)》 CSSCI 北大核心 2010年第3期35-41,共7页
"武打小说"有质朴写法、虚幻写法、虚实结合三派写法。质朴写法与书场说书有紧密联系;虚幻写法主要是文人自由创作的产物,过分虚幻本质上违反中国武侠文学的文类规定性。虚实结合的写法在思想和艺术两个方面适应了中国武侠小... "武打小说"有质朴写法、虚幻写法、虚实结合三派写法。质朴写法与书场说书有紧密联系;虚幻写法主要是文人自由创作的产物,过分虚幻本质上违反中国武侠文学的文类规定性。虚实结合的写法在思想和艺术两个方面适应了中国武侠小说的发展,其中虚实关系、虚实尺度的把握至今仍是难点。 展开更多
关键词 质朴写法 虚幻写法 虚实结合 文类规定性 得失经验
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28 nm低功耗工艺SRAM失效分析 被引量:4
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作者 魏文 蔡恩静 高金德 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第9期717-720,共4页
在28 nm低功耗工艺平台开发过程中,对1.26 V测试条件下出现的SRAM双比特失效问题进行了电性能失效模式分析及物性平面和物性断面分析。指出失效比特右侧位线接触孔底部空洞为SRAM制程上的缺陷所导致。并通过元素成分分析确定接触孔底部... 在28 nm低功耗工艺平台开发过程中,对1.26 V测试条件下出现的SRAM双比特失效问题进行了电性能失效模式分析及物性平面和物性断面分析。指出失效比特右侧位线接触孔底部空洞为SRAM制程上的缺陷所导致。并通过元素成分分析确定接触孔底部钨(W)的缺失,接触孔底部外围粘结阻挡层的氮化钛(Ti N)填充完整。结合SRAM写操作的原理从电阻分压的机理上解释了较高压下双比特失效,1.05 V常压下单比特不稳定失效,0.84 V低电压下失效比特却通过测试的原因。1.26 V电压下容易发生的双比特失效是一种很特殊的SRAM失效,其分析过程及结论在集成电路制造行业尤其是对先进工艺制程研发过程具有较好的参考价值。 展开更多
关键词 28 NM 低功耗 静态随机存储器(SRAM) 双比特失效 写失效
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FM25L256在配网监测系统中的应用
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作者 牟学文 徐禄勇 李尚柏 《电子设计工程》 2011年第2期50-54,共5页
为了匹配存储系统和数据采集的速度,克服Flash擦除次数引起的使用寿命问题,并防止数据查询困难,介绍了支持SPI接口的铁电存储芯片FM25L256,它具有高速读写、低功耗、掉电数据保存的特点,提出了一种在配网监测系统数据存储系统的设计,给... 为了匹配存储系统和数据采集的速度,克服Flash擦除次数引起的使用寿命问题,并防止数据查询困难,介绍了支持SPI接口的铁电存储芯片FM25L256,它具有高速读写、低功耗、掉电数据保存的特点,提出了一种在配网监测系统数据存储系统的设计,给出了它与单片机C8051F340的硬件及软件设计。并根据数据变更的频率,采用了以FM25L256暂存监测系统中快速变化的秒、分钟数据,M25P80存储较慢的日统计和月统计文件数据,在FM25L256内建立索引表的方案。数据存储速度由1.55 kHz提高到可达6 MHz,Flash使用寿命延长与配网检测仪持平,查询时间减少到0.11%。 展开更多
关键词 掉电数据保存 FM25L256 SPI接口 即时读写 环形存储器
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新世纪青年形象书写的代际特征与精神轨辙 被引量:1
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作者 王姝 沈丽佳 《学术月刊》 CSSCI 北大核心 2021年第11期177-185,共9页
新世纪以来,70后、80后为主力军的"失败青年"书写现象接续了文学史"乡下人进城"的叙述模式,但又有了明显不同的精神气质。其不仅塑造了一类"个人奋斗"下的城市"新穷人",还提供了一类贴合当下... 新世纪以来,70后、80后为主力军的"失败青年"书写现象接续了文学史"乡下人进城"的叙述模式,但又有了明显不同的精神气质。其不仅塑造了一类"个人奋斗"下的城市"新穷人",还提供了一类贴合当下社会阶层固化越来越明显的时代新人物——"不思进取型"青年,显示了从"个人奋斗型"到"不思进取"青年形象的转变轨迹。这一青年书写试图挖掘失败青年灵魂的痛楚,直击他们在"个人奋斗"无望下的精神焦虑、身份认同危机和精神空虚等"时代病"。然而,新世纪青年形象书写过多地沉溺于生活的表象,叙事上的套路化与模式化,导致其对青年与社会关系这一关键性时代问题的思考依然未能深入。 展开更多
关键词 青年书写 失败青年 个人奋斗 不思进取
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