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Influence of bath composition on the electrodeposition of cobalt-molybdenum amorphous alloy thin films
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作者 Qiaoying Zhou Hongliang Ge Guoying Wei Qiong Wu 《Journal of University of Science and Technology Beijing》 CSCD 2008年第5期611-617,共7页
Cobalt-molybdenum (Co-Mo) amorphous alloy thin films were deposited on copper substrates by the electrochemical method at pH 4.0. Among the experimental electrodeposition parameters,only the concentration ratio of m... Cobalt-molybdenum (Co-Mo) amorphous alloy thin films were deposited on copper substrates by the electrochemical method at pH 4.0. Among the experimental electrodeposition parameters,only the concentration ratio of molybdate to cobalt ions ([MoO4^2-]/[Co^2+]) was varied to analyze its influence on the mechanism of induced cobalt-molybdenum codeposition. Voltammetry was one of the main techniques,which was used to examine the voltammetric response,revealing that cobalt-molybdenum codeposition depended on the nature of the species in solution. To correlate the type of the film to the electrochemical response,various cobalt-molybdenum alloy thin films obtained from different [MoO4^2-]/[Co^2+] solutions were tested. Crack-free homogeneous films could be easily obtained from the low molybdate concentrations ([MoO4^2-]/[Co^2+]≈0.05) applying low deposition potentials. Moreover,the content of molybdenum up to 30wt% could be obtained from high molybdate concentration; in this case,the films showed cracks. The formation of these cracked films could be predicted from the observed distortions in the curves of electric current-time (j-t) deposition transients. The films with amorphous structure were obtained. The hysteresis loops suggested that the easily magnetized axis was parallel to the surface of the films. A saturation magnetization of 137 emu·g^-1 and a coercivity of 87 Oe of the film were obtained when the deposition potential was -1025mV,and [ MoO4^2-]/[Co^2+] was 0.05 in solution,which exhibited a nicer soft-magnetic response. 展开更多
关键词 Co-Mo alloy thin films amorphous ELECTRODEPOSITION soft magnetism
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非晶软磁合金的巨磁阻抗效应及应用 被引量:5
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作者 钟智勇 陈伟元 王豪才 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期224-227,共4页
近来在FeCoSiB等Co基非晶丝带中发现了巨磁阻抗效应,由于在一小的直流纵向偏置场下该效应能使丝带两端的交流电压发生大而灵敏的变化,因而在磁记录头和传感器技术中具有巨大的应用潜能,受到各国学者的关注。本文简单介绍了... 近来在FeCoSiB等Co基非晶丝带中发现了巨磁阻抗效应,由于在一小的直流纵向偏置场下该效应能使丝带两端的交流电压发生大而灵敏的变化,因而在磁记录头和传感器技术中具有巨大的应用潜能,受到各国学者的关注。本文简单介绍了巨磁阻抗效应的来源,并综述了近年来非晶软磁合金材料的巨磁阻抗效应及应用的研究进展。文章最后说明了尚待深入解决的问题。 展开更多
关键词 非晶 软磁合金 磁阻抗效应 薄膜 传感器
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沉积态(Fe_(88)Zr_7B_5)_(0.97)Cu_(0.03)软磁合金薄膜的磁性和巨磁阻抗效应 被引量:4
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作者 陈卫平 萧淑琴 +1 位作者 王文静 刘宜华 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期1295-1298,共4页
采用射频溅射法在单晶硅衬底上制备了(Fe88Zr7B5)0.97Cu0.03非晶软磁合金薄膜样品,对沉积态样品的软磁性能和巨磁阻抗(GMI)效应进行了实验研究与机理分析.结果表明,未掺Cu元素的Fe88Zr7B5沉积态合金薄膜几乎无GMI效应,而掺了适量Cu元素... 采用射频溅射法在单晶硅衬底上制备了(Fe88Zr7B5)0.97Cu0.03非晶软磁合金薄膜样品,对沉积态样品的软磁性能和巨磁阻抗(GMI)效应进行了实验研究与机理分析.结果表明,未掺Cu元素的Fe88Zr7B5沉积态合金薄膜几乎无GMI效应,而掺了适量Cu元素的(Fe88Zr7B5)0.97Cu0.03合金薄膜在沉积态下即具有显著的GMI效应.在13 MHz频率下,最大纵向磁阻抗比达17%,最大横向磁阻抗比为11%,这表明(Fe88Zr7B5)0.97Cu0.03非晶合金薄膜在沉积态已具备优异的软磁性能和巨磁阻抗效应.同时讨论了该薄膜样品的巨磁阻抗效应随频率的变化特性. 展开更多
关键词 Fe-Zr—B—Cu非晶薄膜 软磁性能 趋肤效应 巨磁阻抗效应
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非晶Co-Nb-Zr薄膜的纳米晶化及磁性 被引量:1
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作者 蒋向东 张怀武 +1 位作者 文歧业 石玉 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期37-40,共4页
采用扫描式差热 (DSC)分析、X射线衍射 (XRD)、透射电镜 (TEM)、梯度样品磁强计 (AGM)和磁力显微镜 (MFM) ,研究磁控溅射制备的Co80 .8Nb14 Zr5.2 磁性薄膜 ,在 4 85℃~ 5 5 0℃间的等温晶化行为以及快速纳米晶化 30s后的薄膜结构和磁... 采用扫描式差热 (DSC)分析、X射线衍射 (XRD)、透射电镜 (TEM)、梯度样品磁强计 (AGM)和磁力显微镜 (MFM) ,研究磁控溅射制备的Co80 .8Nb14 Zr5.2 磁性薄膜 ,在 4 85℃~ 5 5 0℃间的等温晶化行为以及快速纳米晶化 30s后的薄膜结构和磁性。结果表明 ,非晶薄膜的晶化温度在 4 2 0℃~ 4 5 0℃ ,Avrami指数在 1.17~ 1.39,晶化行为以一维形核长大为主。纳米晶Co Nb Zr薄膜的磁性能受晶粒大小和晶粒对非晶基体形成应力以及磁晶各向异性的共同影响。 展开更多
关键词 纳米晶化 非晶 形核 晶化行为 基体 晶化温度 TEM 磁性 薄膜 一维
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Finemet合金Fe_(73.5)Si_(13.5)B_9Cu_1Nb_3在较低退火温度条件下H_c,B_r,P_s的比较 被引量:1
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作者 赵冠楠 高良平 +2 位作者 武艳君 陈君 邱嘉杰 《上海有色金属》 CAS 2008年第1期10-12,共3页
通过比较Finemet金属非晶薄带,在较低退火温度(450℃、500℃、530℃)下矫顽力Hc、剩磁Br以及损耗Ps的差异,得出关于其软磁性能优劣的结论,力图阐明退火温度等对Finemet金属晶化过程及软磁性能的影响。利用线性拟合的方法,得出了不同频... 通过比较Finemet金属非晶薄带,在较低退火温度(450℃、500℃、530℃)下矫顽力Hc、剩磁Br以及损耗Ps的差异,得出关于其软磁性能优劣的结论,力图阐明退火温度等对Finemet金属晶化过程及软磁性能的影响。利用线性拟合的方法,得出了不同频率下关系式Ps=aT+b当中的常数a、b,进一步说明了Finemet金属薄带在高频时的优异软磁性能。 展开更多
关键词 Finemet合金 非晶薄带 低温退火 软磁性能
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富FeCo晶粒对非晶TbFeCo薄膜磁特性的影响
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作者 顾培培 马斌 +1 位作者 张宗芝 金庆原 《磁性材料及器件》 CSCD 北大核心 2009年第3期15-19,31,共6页
用磁控溅射法分别在玻璃基底和硅片上沉积Tbx(Fe85Co15)100-x(x=24.7,40.8,厚-20nm)薄膜和Fe51Pt49(8nm)/Tb~(Fe85Co15)100x(~70nm)双层薄膜,研究了非晶TbFeCo薄膜中富FeCo晶粒的存在对薄膜磁特性的影响。使用磁光克... 用磁控溅射法分别在玻璃基底和硅片上沉积Tbx(Fe85Co15)100-x(x=24.7,40.8,厚-20nm)薄膜和Fe51Pt49(8nm)/Tb~(Fe85Co15)100x(~70nm)双层薄膜,研究了非晶TbFeCo薄膜中富FeCo晶粒的存在对薄膜磁特性的影响。使用磁光克尔效应(MOKE)和振动样品磁强计(VSM)测量样品的磁滞回线,观察到单层TbFeCo薄膜及FePt/TbFeCo双层薄膜中由于富FeCo晶粒的存在导致的磁化反转相分离的特征,并通过测量FePt/TbFeCo双层薄膜的小回线进一步得到了分离后的磁化反转回线,证实了本文的解释。通过改变Tb靶的溅射功率,也观察到Tb含量不同的样品中都存在磁化反转相分离的特征。 展开更多
关键词 非晶TbFeCo薄膜 富FeCo晶粒 磁滞回线 磁光克尔效应 振动样品磁强计
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非晶软磁性膜探头的磁分辩率研究
7
作者 黄得星 黄虎坤 《黑龙江大学自然科学学报》 CAS 1991年第3期84-87,共4页
以两根铁基非晶软磁性薄膜条(0.02×1.0×60mm^3)为铁芯绕成差分复绕初级和次级线圈的探头具有良好的磁敏感特性和温度特性.这种非晶软磁性膜探头的次级输出的倍频信号电平与外界磁场具有良好的线性关系,其磁分辩率可达到10^(-1... 以两根铁基非晶软磁性薄膜条(0.02×1.0×60mm^3)为铁芯绕成差分复绕初级和次级线圈的探头具有良好的磁敏感特性和温度特性.这种非晶软磁性膜探头的次级输出的倍频信号电平与外界磁场具有良好的线性关系,其磁分辩率可达到10^(-10)~10^(-11)T,而且在-40℃~120℃范围内,温度系数为0.05%/℃.试验表明这种探头同多晶软磁性膜探头相比较,具有体积小、稳定性好、耐用和温度特性好的优点. 展开更多
关键词 非晶 软磁性膜 探头 磁场
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非晶及纳米晶软磁材料耐腐蚀性能的研究现状 被引量:3
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作者 包乌日图巴雅拉 朱军 邱嘉杰 《上海有色金属》 CAS 2008年第1期32-36,共5页
探讨了腐蚀对软磁材料磁性能的影响,以及近几年来国内外在非晶以及纳米晶软磁材料耐腐蚀性能方面的研究进展,指出了传统理论研究中存在的误区,并对目前研究中存在的一些问题提出了看法。
关键词 非晶 纳米晶 软磁材料 耐腐蚀性能 纯化膜
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用一种非晶软磁薄膜为芯制成的磁探测器的分辨率研究 被引量:2
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作者 黄虎坤 黄得星 《电子科学学刊》 CSCD 1993年第1期108-112,共5页
以两根非晶软磁薄膜条(0.025×1.0×60mm^3)为芯绕成差分复绕初级和次级线圈的探测器具有良好的磁敏感特性和温度特性。试验表明,这种非晶软磁薄膜为芯的磁探测器次级输出的倍频信号电平与外界磁场具有良好的线性关系。其磁分... 以两根非晶软磁薄膜条(0.025×1.0×60mm^3)为芯绕成差分复绕初级和次级线圈的探测器具有良好的磁敏感特性和温度特性。试验表明,这种非晶软磁薄膜为芯的磁探测器次级输出的倍频信号电平与外界磁场具有良好的线性关系。其磁分辨率可达10^(-10)—10^(-11)T,而且在—40℃—120℃的温度范围内,温度系数为0.05%/℃。其磁分辨率随芯的长度变长而变高,而与芯的厚度和宽度在一定的范围内基本无关。这种探测器同多晶软磁薄膜为芯的探测器相比较,具有体积小,稳定性好,耐用及温度特性好的优点。 展开更多
关键词 磁探测器 软磁薄膜 磁分辨率
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Al-O,C元素添加对FeCo合金薄膜磁性和频率特性的影响 被引量:2
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作者 王璇 郑富 +3 位作者 芦佳 白建民 王颖 魏福林 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期645-650,共6页
用磁控射频溅射法制备了FeCoAlOC薄膜,研究了Al-O和C元素的添加对FeCo合金薄膜的软磁性和高频特性的影响.随着Al,O,C元素添加量的增加,薄膜微结构发生了由多晶到纳米晶再到非晶状态的转化,软磁性得到提高;薄膜电阻率则由最初的87μΩ... 用磁控射频溅射法制备了FeCoAlOC薄膜,研究了Al-O和C元素的添加对FeCo合金薄膜的软磁性和高频特性的影响.随着Al,O,C元素添加量的增加,薄膜微结构发生了由多晶到纳米晶再到非晶状态的转化,软磁性得到提高;薄膜电阻率则由最初的87μΩ·cm增至900μΩ·cm,高频特性得到改善:截止频率最高可达2.9GHz,低频实部磁导率最高可到达400. 展开更多
关键词 纳米晶 非晶 软磁薄膜
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