光刻版数据处理中的工艺涨缩问题

介绍了集成电路行业中在光刻版数据处理时的工艺涨缩问题,分别讨论了正涨缩和负涨缩问题,涨缩与反转处理的次序问题,尤其对位于版图边沿图形的涨缩进行了详细的讨论,并且提出了一种电子设计自动化软件的解决方案和实际结果。

光胶做挡光层的紫外光刻掩膜用于高聚物芯片表面选择性光化学改性

紫外光谱研究表明,AZ正性光胶当厚度大于10μm时,在200～285nm的紫外光区几乎不透光。本研究据此研制了一种以固化后的AZ光胶做挡光层、石英玻璃做底板的紫外光刻掩膜。应用AZ光胶掩膜对聚碳酸酯(PC)表面进行以低压汞灯(主要辐射254nm紫外光)为光源的选择性光化学改性,在光照区域形成化学镀所需的催化中心后,采用化学镀技术,在PC毛细管电泳芯片上制备安培检测用的集成化金微电极。本掩膜材料简单,制作方便,无须洁净实验室和贵重的设备,成本低廉。

65nm工艺节点下的光刻掩模版优化算法

在模拟退火算法中引入了准梯度的概念,改进了以模拟退火算法为基础的光刻掩模版优化算法.该算法优先搜索由准梯度确定的关键区域,减少了模拟退火算法的无效搜索次数,在保证优化效果的基础上,可以提高原算法的收敛效率.实验结果表明,在65nm CMOS工艺节点下,该算法使得收敛速度大幅提高,优化效果更好.

基于有限状态机模型的光刻版图自动布局系统

采用有限状态机模型设计了集成电路光刻版上各个图形布局的自动系统。将布局的各个阶段定义为不同的状态,布局规则定义为触发条件,组成一个有限状态机。基于此模型的计算机自动布局系统能自动完成图形在光刻版上的布局,充分利用硅圆片面积并给出布局报告。

光刻版图形处理过程的计算机仿真

采用有限状态机模型来仿真集成电路行业中光刻版图形的处理过程,涵括了层次处理、涨缩处理和反转处理。将不同的处理过程定义为相应的状态,将图形处理要求定义为输入条件触发状态转换。该模型已应用于光刻版数据处理的电子设计自动化软件。

掩模制作中的邻近效应

计算模拟了激光束和电子束直写加工的掩模畸变,并分别用理想掩模和有畸变的掩模进行投影光学光刻过程的模拟和比较,讨论了光学邻近效应校正掩模在加工过程中所产生的畸变对传递到最终基片上的图形的影响。模拟分析指出,掩模加工中的邻近畸变应在设计光学邻近校正掩模时予以注意,即在掩模设计时,应把掩模加工中的邻近效应和光刻图形传递过程的邻近效应进行总体考虑,以便设计出最优化的掩模,获得最好的邻近效应校正效果。

光掩模现状与展望

0．09μm工艺用掩模在国外进入批量生产,0．065μm对应掩模成为研发重点,新一代电子束投影曝光技术、低加速电压电子线等倍接近曝光技术、超紫外线曝光技术的候补技术光掩模的研究与开发已成为备受关注的课题。国内光掩模制造业仅能够满足国内中低档产品市场的要求。

光刻版清洗工艺及设备研究

光刻版的洁净程度直接影响到光刻的效果,定期对光刻版进行清洗是保证光刻版洁净的必要手段。根据光刻版污染物的特点介绍了多种光刻版清洗工艺及相关设备的种类及组成,最后通过试验考查了工艺设备的使用效果。

全自动光刻版清洗机工艺原理与工作过程介绍

介绍了常用的光刻版清洗工艺,并详细讲解了全自动光刻版清洗机的工作过程。同时,简单介绍了为提高光刻版清洗效果而设计的浸泡系统、药液供给与循环系统和温控系统。

N_2、Ar气体对磁控溅射沉积掩膜铬膜性能的影响

研究了真空直流磁控溅射下分别充 N2 、Ar气体对铬版成膜性能的影响 ,对两种膜层光密度、厚度、表面微结构形貌以及成分进行测试分析 ,膜层成分分析表明这两种气体仅充当了工作气体 ;综合研究结果表明 :在相同条件时 ,经两种气体作用的膜层其光密度出现很大差异的主要原因是由于气体的不同质量引起膜层沉积速率的不同 。

光掩模激光修补技术

本文论述了掩模缺陷成因、类型，掩模修补的重要性和掩模修补（包括相移掩模修补）的原理和方法。比较详细地介绍了中科院光电所研制的ＬＭＲ－１型掩模缺陷激光修补仪的主要性能指标，给出了实验结果。对于激光气化法修补时溅射物产生原因和改善修补质量的方法做了分析，并对用于透明缺陷激光修补的激光化学气相沉积方法和装置作了介绍。

温湿度对制版图形缺陷的影响

介绍了制版工艺中常见的缺陷类型,分析了缺陷产生与温湿度的关系。通过实际工作应用,就缺陷控制的办法进行了有益的探讨,对光掩模版的制造有一定的指导意义。

光刻版清洗工艺及设备研究

光刻版的洁净程度直接影响到光刻的效果,定期对光刻版进行清洗是保证光刻版洁净的必要手段。根据光刻版污染物的特点介绍了多种光刻版清洗工艺,并介绍了相关工艺设备的种类及组成,最后通过试验考查了工艺设备的使用效果。

石英玻璃在光刻技术中的应用

本文综述了集成电路制造中的关键技术—光刻的传统及现代的主流技术。从超微细图形刻印的特征尺寸发展路线图,阐述了不同特征尺寸应采用的光刻曝光波长,以及不同曝光波长下应采用的石英玻璃光掩膜基板材料。

基于时序分析的光刻版清洗机运行效率提升方法

光刻版清洗机是典型的多轴运行类自动化清洗设备,清洗效率的提升是此设备的关键技术之一。介绍了一种基于时序分析的提升该设备运行效率的方法,实验证明此方法通过对控制时序的分析和优化,有效提升了设备的运行效率。

5009激光图形发生器曝光实验

激光图形发生器是一种用于图形转化的硬件接口设备,直接影响着掩膜版的加工质量。激光图形发生器曝光过程中出现的曝光偏移、曝光遗漏问题,严重影响了掩膜版加工的质量和成品率。通过实验和分析,总结了产生曝光偏移、曝光遗漏的一些原因。

全自动光刻版清洗机介绍

介绍了中国电子科技集团公司第四十五研究所研制的全自动光刻版清洗机的工艺原理和工作过程。该设备自用户投入使用以来,大量的产品证明,采用全自动光刻版清洗机对光刻版进行清洗,光刻版洁净度高,工艺效果理想,工艺参数稳定,自动化程度高,批量处理能力强,可以广泛用于工业生产中。

193nm光学掩模与x射线掩模技术比较

目前看来，１９３ｎｍ与ｘ射线光刻技术都很有希望应用到０．１３μｍ及０．１３μｍ以下的集成电路工业中去，而掩模制作对这两种光刻技术而言是非常重要的。本文对１９３ｎｍ光学掩模与ｘ射线掩模制造技术进行了对比分析。

激光化学气相沉积技术在掩模版修复中的应用

为了对光掩模版亮场缺陷进行修补,采用激光化学气相沉积的方法,利用功率密度为1.3×108W/cm2的355nm紫外激光诱导Cr(CO)6分解,在1.5 s内获得了光掩模亮场区域附着力强、消光比高的金属Cr膜。结果表明,在开放的环境下,采用高功率密度、短作用时间的方法能够得到高质量的沉积薄膜,满足了微电子行业中对掩模版修复的要求。

掩模版制作工艺中典型问题探析

针对制版工艺中典型质量问题事例,分析了影响光刻掩模版的质量因素,提出了有效的解决方案,对保证掩模版质量、提高掩模版的制作水平具有指导意义。