MEMS器件中的微体缺陷检测研究

为实现对硅基材料和MEMS器件内微体缺陷的无损、高效和准确检测 ,在研究广义洛仑兹 米氏散射理论的基础上 ,针对硅基材料和MEMS器件的物理特点 ,对球形缺陷与红外激光相互作用在非垂直方向散射光强分布特点进行了研究和计算机仿真 ,提出利用红外激光背散射分布分析对硅基材料和MEMS器件内部缺陷进行检测的方法 ,并通过实验验证了该方法的有效性。

特征提取在硅内部微/纳米级体缺陷检测中的应用

提出了一种利用特征提取来对硅中微／纳米级体缺陷的激光散射图样进行分析，以获得缺陷大小信息的分析方法。给出了该方法中第一特征值和第二特征值的定义，指出通过所提出的第一特征值及第二特征值即可迅速地判断出缺陷的大小量级所在。这种分析方法具有分析速度快，在体缺陷小于１μｍ时分辨率高，且可使系统实现自动化等优点。

基于Mie理论的微体缺陷激光测试技术的理论与实验研究

提出了一种基于瑞利散射定律及米氏理论（Ｒａｙｌｅｉｇｈ＆Ｍｉｅｔｈｅｏｒｙ）的、在垂直于入射光方向接收散射光以极大提高衬度来检测材料内部微／纳米级体缺陷的无损检测新途径，叙述了有关的理论基础，进行了系统的计算机仿真与实验研究，验证了理论的正确性及方案的可行性，说明利用光散射测量微／纳米级体缺陷是可行的。

半导体材料微体缺陷激光扫描分析技术

半导体材料内部的一致性是实现微器件功能的重要保证。为实现半导体材料微体缺陷的无损、高效、和准确检测 ,在研究广义 L orenz- Mie理论的基础上 ,通过将散射光分布分析引入到检测当中 ,提出了对近红外激光散射信号探测和缺陷大小特征的判据 ,来检测半导体材料缺陷的方法。介绍了检测的基本原理和理论模型 ,以及基于这一构想的全自动检测系统的实现方法 ,并提出了微缺陷检测的判据。对一组 Ga As样品进行了实验研究 。

硅材料微/纳米级体缺陷激光无损检测的新途径

提出一种基于广义洛伦兹一米氏理论，在垂直于人射光方向接收散射光来检测硅中微／纳米级体缺陷的激光无损检测新途径，叙述了有关的理论基础和优越性，模拟实验证实了新途径的正确性与可行性。