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^(197)Os的合成和衰变
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作者 袁双贵 杨维凡 +5 位作者 徐岩冰 肖永厚 王贤义 赵力民 王平志 李恒远 《同位素》 CAS 2004年第1期1-4,共4页
用14MeV中子轰击Pt,通过198Pt(n,2p)反应产生197Os。用高纯锗探测器观测197Os的衰变γ射线,获得了10条新γ射线,并指定为197Os的衰变,测定它的半衰期为2.8±0.6min。根据γ(X)-γ符合测量,建议一个197Os的部分衰变纲图。
关键词 ^^197os Γ射线 半衰期 重丰中子同位素 合成工艺
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