^(182)Taγ射线发射概率的测定

^(182)Ta发射低能和高能两组γ射线,半衰期适中,是HPGe探测器效率刻度的合适标准源之一。本工作通过反应堆活化得到了^(182)Ta放射源,制备了VYNS薄膜源。活度由4πβ+4πγ计数相加装置绝对测量,γ射线的发射率由已刻度效率曲线的HPGe探测器测量,从而得到了γ射线绝对发射概率,不确定度为0.6～1.5%。

4πβ+4πγ计数相加法绝对测量^(182)Ta溶液的放射性比活度

182Ta发射低能和高能两组γ射线,半衰期适中,是HPGe探测器效率刻度的合适标准源之一。用4πβ+4πγ计数相加法绝对测量了182Ta溶液的放射性比活度1。82Ta通过反应堆活化得到,4πβ+4πγ计数相加装置对182Ta的总探测效率高达99%以上,182Ta溶液比活度测量的相对合成标准不确定度为0.2%。