中子符合计数研究中^(252)Cf源强的影响分析

具有中子多重性的^(252)Cf源是中子符合计数实验测量和装置标定的首选。本文利用数值模拟手段研究^(252)Cf源强对中子符合计数的影响。根据中子符合计数实验的数据处理方法,通过生成带自发裂变事件标签的中子脉冲序列,按照移位寄存器的数据处理逻辑对中子脉冲序列进行处理,给出中子符合测量模拟结果。基于对不同源强下前景(R+A)和背景(A)的中子多重性分布的模拟结果,定量分析源强对真符合计数在前景测量结果中占比的影响。结果表明,在^(252)Cf源强为每秒几百或几千个中子时,真符合计数在R+A的中子符合计数中占绝对或明显优势(超过50%),推荐作为实验的中子源;源强为每秒几万个中子时,真符合计数在R+A的中子符合计数中占比约10%;源强达到每秒几十万个中子时,真符合计数淹没在偶然符合计数中(占比约1%),不建议用作实验的中子源。本文的研究可以为实验的源强选择、实验数据的有效性检查提供一个参考。

功率MOSFET器件单粒子烧毁^(252)Cf源模拟试验研究

本工作涉及利用252Cf源进行辐射效应试验研究的方法。结合功率MOSFET器件单粒子烧毁测试技术,对功率MOSFET器件辐射效应进行模拟试验研究。研究结果表明:在空间辐射环境下,功率MOSFET器件尽量使用在低电压范围内;在电路设计中附加必要的限流电阻是1种十分有效的抗单粒子烧毁措施。

^(252)Cf源模拟空间单粒子效应辐照在线测量系统和应用

描述了新建的2 52 Cf源模拟空间单粒子效应辐照在线测量系统 。

用薄膜^(252)Cf源测定ST451快中子探测器的相对效率

本文叙述了用飞行时间测量^(262)Cf瞬发裂变中子能谱来刻度ST 451探测器的快中子相对效率响应的方法。在飞行时间谱仪中,一个流气式的微型电离室作为裂变碎块的探测器。文中给出了对实验数据的处理和修正的过程。得到了阈值分别为0.420、0.625、0.825、1.168、1.565和1.882MeV中子能量从几百keV到10MeV范围内的相对探测效率。实验结果与用Monte Carlo方法计算的效率作了比较。

IDT6116单粒子敏感性评估试验技术研究

为评估IDT6116 SRAM单粒子敏感性,采用地面试验方法和地面试验系统,利用脉冲激光、重离子和252Cf源3种不同的地面模拟源,对IDT6116 SRAM器件进行单粒子敏感性试验研究,并对3种不同的模拟源的试验结果进行等效性分析比较,同时进行总剂量效应对单粒子效应影响的试验研究。研究结果表明:IDT6116 SRAM抗单粒子翻转和锁定的能力较强;接受一定辐照剂量后的试验样品对单粒子翻转更加敏感,且翻转阈值略有降低,翻转截面略有增大。