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三正丁基膦稳定的铜(Ⅰ)β-二酮配合物的合成、表征以及作为前驱物用化学汽相沉积法生长铜膜(英文)
1
作者
沈应中
Marion Leschke
+3 位作者
Stefan E. Schulz
Ramona Ecke
Thomas Gessner
Heinrich Lang
《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2004年第11期1257-1264,共8页
合成了一系列三正丁基膦辅助配体稳定的铜髣β鄄二酮配合物,对合成的配合物用元素分析、红外、核磁共振以及热重和差热等手段进行了表征。筛选出性能优良的配合物为前驱物用化学汽相沉积(CVD)的方法生长出金属铜膜,用SEM和EDX等手段对...
合成了一系列三正丁基膦辅助配体稳定的铜髣β鄄二酮配合物,对合成的配合物用元素分析、红外、核磁共振以及热重和差热等手段进行了表征。筛选出性能优良的配合物为前驱物用化学汽相沉积(CVD)的方法生长出金属铜膜,用SEM和EDX等手段对生长的铜膜进行了表征。
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关键词
三正丁基膦
铜配合物
Β
-
二酮
合成
前驱物
化学汽相沉积法
铜膜
热分析
扫描电镜
×-射线能量散射
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职称材料
题名
三正丁基膦稳定的铜(Ⅰ)β-二酮配合物的合成、表征以及作为前驱物用化学汽相沉积法生长铜膜(英文)
1
作者
沈应中
Marion Leschke
Stefan E. Schulz
Ramona Ecke
Thomas Gessner
Heinrich Lang
机构
Technische Universitt Chemnitz
Technische Universitat Chemnitz
出处
《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2004年第11期1257-1264,共8页
文摘
合成了一系列三正丁基膦辅助配体稳定的铜髣β鄄二酮配合物,对合成的配合物用元素分析、红外、核磁共振以及热重和差热等手段进行了表征。筛选出性能优良的配合物为前驱物用化学汽相沉积(CVD)的方法生长出金属铜膜,用SEM和EDX等手段对生长的铜膜进行了表征。
关键词
三正丁基膦
铜配合物
Β
-
二酮
合成
前驱物
化学汽相沉积法
铜膜
热分析
扫描电镜
×-射线能量散射
Keywords
copper(Ⅰ) a
-
diketonate tri
-
n
-
butylphosphine chemical vapour deposition SEM EDX TG DSC
分类号
O614.121 [理学—无机化学]
O484.1 [理学—固体物理]
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作者
出处
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1
三正丁基膦稳定的铜(Ⅰ)β-二酮配合物的合成、表征以及作为前驱物用化学汽相沉积法生长铜膜(英文)
沈应中
Marion Leschke
Stefan E. Schulz
Ramona Ecke
Thomas Gessner
Heinrich Lang
《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2004
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