用单能γ射线源校刻β塑料闪烁体能谱仪

本文介绍了一种简单、方便而又能精确刻度β塑料闪烁体能谱仪的实用方法.实验使用了^(22)Na、^(137)Cs、^(54)Mn和^(207)Bi等4个γ标准源对β塑料闪烁体能谱仪进行了精确的能量刻度,选取了β能谱仪对单能γ射线响应的康普顿能谱后缘的半高点作为能量参照点.并根据此结果分析处理了^(90)Sr-^(90)Y源的β能谱,其端点能量为2.298±0.90MeV.

1．053μm激光产生逃逸电子的实验观测

利用１．０５３μｍ钕玻璃激光辐照Ａｕ、Ｔｉ、Ａｇ及Ｃ＿８Ｈ＿８等材料平面靶，在不同功率密度Ｉ＿Ｌ下测量了等离子体中由于反常吸收而产生的逃逸高能电子能谱。测量是由一台可变磁场９０°焦β谱仪完成的。测量结果表明：在谱仪测量的能量范围内，热电子分布中的高能尾部在高能电子能谱中所占的比重是完全可以忽略的。我们所测的电子能谱大多数可以用麦克斯韦分布来描述，高能电子温度Ｔ＿ｈ一般为３０～７０ｋｅＶ。实验得到Ａｕ、Ｔｉ、Ｃ＿８Ｈ＿８平面靶Ｔ＿ｈ与Ｉ＿Ｌ之间的关系式。