低杂波改善约束与径向电场相关性的研究

为了探求HT-7托卡马克装置中加低杂波后等离子体约束改善这一现象的原因,文章从电子的径向力平衡方程入手,通过数值模拟程序计算出欧姆阶段和低杂波阶段下的径向电场分布。结果发现,加低杂波后,在低杂波功率沉积的地方,径向电场在负方向变强,径向电场分布梯度变陡,加波前后径向电场的差值(ΔEr)分布形成了凹槽结构,意味着加波后的径向电场剪切加强;通过与HT-7托卡马克中等离子体约束改善的实验现象比较,发现低杂波电流驱动阶段内部输运垒(ITB)产生的区域与径向电场分布的凹槽区域相一致,结果说明低杂波引起的径向电场的变化可能是导致加波后约束改善的原因。