TZΦ219 mm三辊连轧管机组简介

太原重工股份有限公司采用多项先进技术和创新技术,制造出了国产首台套TZΦ219 mm三辊连轧管机组,主要对该机组的产品规格、技术指标、工艺流程、设备主要组成进行介绍,并分析其运行效果。

Φ90mm实验型四辊可逆轧机多档张力PLC控制系统

绍了由西门子S7—300 PLC和工业PC机组成的四辊可逆实验冷轧机计算机控制系统的硬件配置和软件组成,详细说明了该系统的过程数据测量、多档张力控制、监控与数据采集和以此为基础构成的实验计算机系统。

多档张力PLC控制方案在φ90mm实验型轧机中的应用

本文介绍了由西门子S7-300PLC和工业PC机组成的四辊可逆实验冷轧机计算机控制系统的硬件配置和软件组成。详细说明了该系统的过程数据测量、监控与数据采集和以此为基础构成的实验计算机系统,着重介绍了多档张力控制在本系统的实现方案。

12.7 mm穿燃弹侵彻603装甲钢行为研究

通过弹道枪开展12.7 mm穿燃弹以不同速度垂直侵彻603装甲钢半无限厚靶板的弹道试验,并结合数值仿真计算对侵彻深度、侵彻阻力等进行研究。结果表明:侵彻过程中弹芯为主要侵彻元,表现为刚性侵彻,背甲对侵彻深度的影响可忽略。不同着靶速度的弹芯侵彻阻力随位移的变化规律基本一致,可分为弹芯飞行摩擦阻力阶段、弹芯头部进入靶板阶段、弹芯头部完全进入靶板阶段。通过刚性弹侵彻半无限厚靶板,结合空腔膨胀理论模型对尖卵形弹头进行等效简化,建立了尖卵形刚性弹芯侵彻深度预测公式。根据量纲分析拟合得到了无量纲侵彻深度和无量纲动能的关系式。

90mm双带极电渣堆焊工艺

介绍了采用双机头90 mm带极电渣堆焊在12Cr2Mo1R上进行不锈钢堆焊试验,获得90 mm带极电渣堆焊工艺参数,大幅度提高了耐蚀堆焊效率,且堆焊层的化学成分、氢剥离试验等符合标准及制造技术要求,可以用于指导生产制造。

中芯通过尔必达90nm工艺认证将于北京300mm厂投产DDRII

中芯国际19日正式对外宣布，获得其重要代工客户尔必达（Elpida）旗下90nm512MbDDRII认证，此一产品预期将于中芯北京300mm晶圆厂投产，且据悉，尔必达也是中芯北京300mm厂第一个采用90nm工艺投产的客户。

坚朗公司成功研发中90mm钢索

坚朗公司继2006年研发成功Ф65mm拉索（用于“广州新白云国际机场”）后，继续加大科研力度，于2007年再次成功研发了大直径钢索——Ф100mm以下拉索。

IBM和Xilinx公司准备利用300mm晶圆生产第一个90nm芯片

IBM和赛灵思公司近日宣布双方在合作生产90纳米芯片方面迈出了重要一步,这将可能是全球第一块90纳米芯片。利用IBM公司最先进的基于铜互连的90nm半导体制造工艺技术。

Φ400mm机组二次穿孔机改造后钢管壁厚精度分析

分析了包钢钢联股份有限公司无缝钢管厂Φ400mm自动轧管机组二次穿孔机改造后钢管壁厚精度的改善情况,分析结果表明,采取加长轧辊长度和顶头辗轧带长度等措施,有利于提高钢管的壁厚精度。

多孔钛合金夹芯层陶瓷/UHMWPE复合结构的抗侵彻性能

陶瓷/纤维复合装甲的纤维背板由于其刚度较低,无法为陶瓷面板提供足够的支撑,削弱了陶瓷面板对弹丸的侵蚀作用。为了增强复合装甲的整体结构刚度,在陶瓷/纤维复合装甲中加入了金属夹芯层材料,通过试验和数值模拟研究了夹芯复合装甲对12.7 mm穿燃弹的抗弹性能。试验结果表明,穿燃弹弹芯表现出脆性断裂的失效模式,复合材料装甲表现出多种失效模式,包括夹芯层的花瓣形扩孔,UHMWPE(ultra-high molecular weight polyethylene)层压板的分层和凸起变形。建立了三维数值模型来分析整个弹道响应的演变,通过试验结果验证了模拟的准确性。模拟结果表明,12.7 mm穿燃弹的被甲会对陶瓷造成损伤,同时陶瓷会侵蚀弹芯的尖卵形头部,使弹芯头部变钝从而削弱弹芯对UHMWPE背板的侵彻能力。残余弹体的动能大部分由UHMWPE层吸收,UHMWPE层压板的失效模式会随着层数的增加由剪切失效转变为拉伸失效占主导地位。此外,作为夹芯层的多孔TC4板能够为陶瓷面板提供支撑,提高陶瓷面板的吸能效果以及弹体的侵蚀作用,并且12 mm孔径的TC4夹芯层能够提供更大的刚度支撑,使整体复合结构的吸能效率提升10%。

300mm晶圆芯片制造技术的发展趋势

采取300mm晶圆是半导体生产发展的必然规律。300mm晶圆与90nm工艺是互动的。90nm新工艺主要包括193nm光刻技术、铜互连、低k绝缘层、CMP、高k绝缘层、应变硅和SOI等。本文着重讨论300mm晶圆芯片制造技术的发展趋势。

宝钢Φ140mm连轧管机组穿孔顶头提高使用寿命的研究

针对宝钢钢管事业部Φ140mm连轧管机组改造后,初期设计的Meer材质顶头出现使用寿命低的情况,试制了一种新材质顶头,并从顶头形状、铸造工艺、氧化工艺等方面进行改进。通过试验,分析了这些改进措施对顶头使用寿命的影响。结果表明,新材质穿孔顶头的使用寿命较Meer材质顶头的提高7倍以上,解决了Φ140mm连轧管机组顶头消耗量过大的难题。

简析Ф600mm穿孔机组新结构

介绍了Ф600mm穿孔机组的主要技术参数及整体结构特点,并对其应用的关键技术———新型顶杆顶头预旋转装置、上下导板装置、主机机架和轧辊等的结构设计进行分析说明。该穿孔机在应用过程中运行可靠,各项指标均达到设计要求,在穿制Ф400mm以上规格无缝钢管时经济效益显著。

天长Φ140mm穿孔机进口台设计特点

简述了穿孔机进口台中各种型式推坯机和进口导槽的优缺点。着重介绍了天长Φ140mm穿孔机进口台的技术性能、结构及设计特点。

Xilinx采用90nm工艺制造FPGA器件

作为采用300mm晶圆和90nm制造技术制造FPGA产品的供应商，赛灵思公司（Xilinx）继续保持与竞争解决方案间的巨大成本优势。与目前的130nm技术相比，采用90nm工艺技术使芯片面积和芯片成本降低了50%-80%，结合300mm晶圆技术，每晶圆可生产的有效芯片数量是采用130nm技术在200mm晶圆上获得芯片数量的5倍。

飞利浦推出90nm基于ARM9的微控制器系列

飞利浦电子公司(Philips Electronics)推出90nm基于ARM9的32位微控制器系列LPC3000，该系列基于Nexperia平台，采用飞利浦、飞思卡尔半导体和意法半导体在法国建立的Crolles2联盟先进90nm工艺、300mm晶圆设备制造。该公司称通过采用先进的90nm工艺和ARM926EJ—S内核，可以降低芯片成本，减少功耗，并提高其先进的32位微控制器的运行速度。

中国300mm晶圆厂的成品率管理

当晶圆厂转向300mm、130纳米和90纳米工艺，并随着新的材料和工艺方法的引进，都为成品率管理带来独特的挑战和机会，那就是如何确保300mm晶圆缺陷计划的新重点。

飞利浦首推基于ARM9的90nm微控制器系列

2005年3月28日，皇家飞利浦电子公司在2005年飞利浦半导体微控制器研讨会上宣布，利用其一直以来对90nm技术的承诺及技术专长，推出基于ARM9系列的90nm 32位微控制器系列。LPC300系列基于飞利浦的Nexperia平台，采用飞利浦，飞思卡尔半导体和意法半导体在法国建立的Crolles2联盟先进的300mm试验设备开发的90nm工艺技术制造。