α-四噻吩薄膜的生长及性能研究

利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)研究了在氧化硅衬底上生长的α-四噻吩(α-4T)薄膜的表面形貌及分子取向。在低温下,获得了大尺寸、高有序的α-4T薄膜,为横向生长模式。衬底温度35℃以上转为纵向生长模式。晶体结构分析发现,α-4T薄膜属于单斜晶系,分子c-轴垂直基板排列。强的衍射峰和高有序的衍射峰意味着α-4T薄膜具有高的有序性和结晶性。电性能研究发现,提高衬底温度有利于提高薄膜的迁移率,衬底温度为35℃时器件迁移率为3.53×10-2cm2·V-1·s-1。但衬底温度进一步增加,迁移率反而下降,与原子力分析结果一致。低温退火可以降低器件的亚阈值陡度,从13.27 V·dec-1降低到3.83 V·dec-1,使器件的界面缺陷降低,电性能提高。

环状亚砜衍生物α-十二烷-四氢噻吩亚砜的合成及其萃金机理研究

讨论了新奇的环状亚砜衍生物α-十二烷-四氢噻吩亚砜DTMSO的合成及其萃金机理,四氢塞吩亚砜TMSO与NaH作用生成中间体后用溴代十二烷处理生成DTMSO。萃取反应为放热反应,反应热为-15.3kJ·mol-1。DTMSO在低酸度盐酸溶液中以中性溶剂化机理萃金,萃合物组成为(HAuCl4).3DTMSO,DTMSO通过氧与金配位;高酸度条件下,以离子缔合机理萃金,DTMSO和AuCl4-发生内配位转变。

四(α-噻吩甲酰三氟丙酮)合铕(Ⅲ)酸十六烷基吡啶LB膜的研究

标题配合物(Ⅰ)和硬脂酸(Ⅱ)的CHCl_3溶液按不同摩尔比Ⅱ:Ⅱ=1:a(a=1,2,4,8,12)混合后,a≥2时,其π-A曲线比单一的标题配合物的有明显改善。Ⅰ:Ⅱ=1:4时,在亲水石英基片上制备了Z型LB膜,并用紫外光谱、荧光光谱和小角X射线衍射进行了表征。

环状亚砜衍生物α-十二烷-四氢噻吩亚砜的合成

利用四氢噻吩亚砜 (TMSO)烷基化合成了环状亚砜衍生物α_十二烷_四氢噻吩亚砜 (DTMSO) .讨论了原料的比例、反应温度和反应时间对产率的影响 ;得到了合成的最佳条件 :n(TMSO)∶n(NaH)∶n(C12 H2 5Br) =1∶1∶1.5 ;θ1=6 7℃ ,t1=1h ;θ2 =5 0℃ ,t2 =1h .利用FT_IR ,1H_NMR分析了DTMSO的结构 .

异质诱导生长的酞菁铜薄膜晶体管的研究

因酞菁薄膜平面具有多电子共轭大π键结构,本文采用异质诱导的方式对酞菁薄膜的生长特性进行了改善研究。采用高掺杂硅为栅极,氧化硅为绝缘层,生长α-四噻吩或p-六联苯薄膜为异质诱导层,制备了酞菁铜有机薄膜晶体管。利用原子力显微镜研究薄膜生长特性,并对比研究了2种诱导层对薄膜晶体管性能的影响。实验结果表明：α-四噻吩上生长的酞菁铜薄膜,形貌呈片状,而p-六联苯上生长的酞菁铜薄膜,形貌呈针状,均与单层酞菁铜棒状形貌不同。同时,α-四噻吩与p-六联苯薄膜上生长酞菁铜后,两者晶体管电性能都有不同程度的提高,均比单层酞菁铜提高了1~2个数量级,表明α-四噻吩或p-六联苯对酞菁铜薄膜均有诱导效应,可以获得高性能的有机薄膜晶体管。

DTMSO的合成及其萃金性能研究

研究了环状亚砜衍生物 α-十二烷 -四氢噻吩亚砜 ( DTMSO)的合成及其萃金性能 ,用 0 .1 mol/ L DTMSO从金浓度为 0 .89g/ L的 0 .1 mol/ L HCl的溶液中萃金 ,一次萃取率 >98% ;DTMSO在低酸度盐酸溶液中 ,以中性配合溶剂化机理萃金 ,萃合物组成为 ( HAu Cl4)· 3DTMSO,DTMSO通过氧与金配位 ;高酸度下 ,以离子缔合机理萃金 ,萃合物组成为 ( H· n H2 O· 3DTMSO) + Au Cl- 4 。